Chemical content 74LVT02D
发布时间：
2019-04-02
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74LVT02D; 9352 089 50118; 9352 089 50112
本数据手册详细介绍了74LVT02D型号元器件的化学成分及物理属性，涵盖了封装类型、总产品重量、无铅焊接工艺、组装地点、材料清单、CAS编号及质量百分比等关键信息。资料深入阐述了器件各部分的材料组成，并明确列出了有害物质含量及相关免责声明，为用户在环保合规性审查及生产制造环节提供了详实的数据支持。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74LVT02 3.3 V四通道2输入NOR门
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02D
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02D
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
3.3 V四路2输入或非门
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT573；3.3 V八通道D型透明锁存；3态产品数据表
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT2245；74LVTH2245 3.3 V八通道收发器，带30Ω端接电阻；3态产品数据表
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT02D
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT02D
2018/04/27
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT02D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT2245；74LVTH2245 3.3 V八通道收发器，带30Ω端接电阻；3-状态
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT14 3.3 V六路反相器施密特触发器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT14 3.3 V六路反相器施密特触发器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT241 3.3V八进制缓冲器/线路驱动器；三态产品数据表
v. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT02DB
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT02DB
2018/04/27
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT02DB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT04 3.3 V六角逆变器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT04 3.3 V六角逆变器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT2241 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器，带30Ω串联端接电阻；3-状态
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT2241 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器，带30Ω串联端接电阻；3-状态
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02DB
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02DB
2018/04/27
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02DB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT125；74LVTH125 3.3 V四通道缓冲器；3-STAT产品数据表
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT244A；74LVTH244A 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器；3态产品数据表
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT640 3.3 V八通道收发器，带方向引脚；换向；3-状态
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT02PW
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT02PW
2018/04/27
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT02PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT245 3.3 V八通道收发器，带方向引脚；3-状态
Rev. 5
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74LVT244B；74LVTH244B 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器；3态产品数据表
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT244A；74LVTH244A 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器；3-状态
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02PW
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVT02PW
2018/04/27
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化学成分74LVT02PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT08；3.3 V四通道2输入和栅极产品数据手册
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT640D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT640D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT640D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT2244 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器，带30Ω端接电阻；3-状态
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT573D
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT573D
2018/04/26
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中国RoHS 74LVT573D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVT244B；74LVTH244B 3.3 V八通道缓冲器/线路驱动器；3-状态
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT2241PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVT2241PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVT2241PW
2018/03/07
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技术论坛
我司设计一款楼宇控制系统，原8路三态输出总线收发器设计了NEXPERIA 74LVT245BQ，正在做国产替代，请推荐满足需求国产型号。
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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