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Chemical content PBLS4001D
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PBLS4001D; 9340 586 38115
本数据手册详细介绍了PBLS4001D元器件的化学成分、封装类型、总产品重量以及相关的环保和处理信息。资料内容涵盖了该器件的材料成分、CAS编号、质量百分比等详细技术参数,并注明了信息来源的准确性与可靠性。同时,手册还包含免责声明,指出所有数据仅供参考,可能因不同制造地点而存在轻微差异,为用户在合规性检查及物料管理方面提供了权威依据。基于该器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台提供的专职FAE团队将全程支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
PBLS4001D 40 V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS4001D
2018/03/09
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技术文档 - 英文
PBLS6021D材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4004D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4002D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4001D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4003D_3
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS4001D
2018/04/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS4001D
2018/03/09
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技术文档 - 英文
PBLS6022D材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS4004Y; PBLS4004V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月16日 产品数据手册
Rev. 03
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技术文档 - 英文
完整材料声明为PBLS2021D
2025/06/30
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测试报告 - 英文
产品质量信息产品类型PBLS4001D的质量信息
2017/12/29
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技术文档 - 英文
PBLS2023D材料清单声明
2025/06/30
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 02
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测试报告 - 英文
PBLS4001D型产品可靠性结果
2017/12/29
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技术文档 - 英文
PBLS4004Y材料清单全文
2025-06-24
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数据手册 - 英文
PBLS1504Y; PBLS1504V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月25日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS2023D的质量信息
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS2024D材料清单声明
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS1502Y;PBLS1502V
Rev. 03
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测试报告 - 英文
PBLS6003D型产品的可靠性结果
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS6024D-Q材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS4001Y; PBLS4001V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月12日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS6021D的质量信息
2017/12/20
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技术文档 - 英文
完整材料声明为PBLS2022D
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS6024D的质量信息
2017/12/20
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技术文档 - 英文
PBLS4004V型器件产品质量信息
Apr 2014
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测试报告 - 英文
PBLS6024D型产品的可靠性结果
2017/12/20
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测试报告 - 英文
中国RoHS PBLS6021D
2019/01/05
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS6021D
2018/04/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS6021D
2018/03/05
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS6021D
Version 8
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS2023D
Version 7
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数据手册 - 英文
PBLS4003Y; PBLS4003V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月13日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS6023D
Version 7
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测试报告 - 英文
中国RoHS PBLS6024D
2019/01/05
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GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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