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China RoHS PBLS4002D
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PBLS4002D
本合规性声明详细介绍了Nexperia公司产品PBLS4002D的RoHS认证情况。资料明确指出,该产品各部件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有害物质的含量,均符合SJ/T11363-2006标准要求,确保了所有均均质材料的环保合规性。此外,声明还界定了Nexperia产品的环保使用期限为50年,并包含了对信息准确性、修改权限及相关免责条款的详细说明,为用户在绿色电子设计与制造中提供了权威的合规依据。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试支持。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4004D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4002D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4001D_3
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
40V PNP BISS负载开关
PBLS4003D_3
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测试报告 - 英文
产品质量信息产品类型PBLS4002D的质量信息
2017/12/29
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技术文档 - 英文
PBLS6021D材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS4002D 40 V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS4002D
2018/03/09
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技术文档 - 英文
PBLS6022D材料清单全文
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS4004Y; PBLS4004V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月16日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
PBLS4002D型产品可靠性结果
2017/12/29
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技术文档 - 英文
完整材料声明为PBLS2021D
2025/06/30
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS4002D
2018/04/28
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS4002D
2018/03/09
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技术文档 - 英文
PBLS2023D材料清单声明
2025/06/30
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 03
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数据手册 - 英文
15V PNP BISS负载开关
Rev. 02
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技术文档 - 英文
PBLS4004Y材料清单全文
2025-06-24
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数据手册 - 英文
PBLS4003Y; PBLS4003V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月13日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
中国RoHS PBLS6021D
2019/01/05
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS6021D
2018/04/23
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测试报告 - 中文
中国RoHS PBLS6021D
2018/03/05
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技术文档 - 英文
PBLS6024D-Q材料清单全文
2025/06/30
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS6021D
Version 8
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技术文档 - 英文
PBLS2024D材料清单声明
2025/06/30
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技术文档 - 英文
完整材料声明为PBLS2022D
2025/06/30
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数据手册 - 英文
PBLS1504Y; PBLS1504V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月25日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS6023D
Version 7
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技术文档 - 英文
PBLS4004V型器件产品质量信息
Apr 2014
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数据手册 - 英文
PBLS1502Y;PBLS1502V
Rev. 03
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测试报告 - 英文
化学成分PBLS2023D
Version 7
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数据手册 - 英文
PBLS4001Y; PBLS4001V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月12日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS6024D的质量信息
2017/12/20
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数据手册 - 英文
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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测试报告 - 英文
PBLS6024D型产品的可靠性结果
2017/12/20
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测试报告 - 英文
PBLS6003D型产品的可靠性结果
2017/12/20
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS6021D的质量信息
2017/12/20
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测试报告 - 英文
产品类型PBLS2023D的质量信息
2017/12/20
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测试报告 - 英文
中国RoHS PBLS6024D
2019/01/05
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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