本资料介绍了使用Nexperia离散半导体和逻辑IC组件设计的H-bridge电机控制器。该控制器适用于48V最大、12V最小、5A最大电流的刷式直流电机。设计特点包括低成本、无需微控制器或软件。控制器包含电源、时钟和占空比发生器、PWM、驱动电路、H-bridge、过流检测等子系统，并提供了详细的电路图和元件清单。

GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。

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