China RoHS PTVS12VZ1USKN
发布时间：
2019-04-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
PTVS12VZ1USKN
本环保合规性声明详细阐述了恩智浦半导体元器件PTVS12VZ1USKN在有害物质管控方面的具体指标。资料明确指出，该部件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等受控物质的含量，在所有均质材料中均严格低于SJ/T11363-2006标准规定的限量要求，符合相关环保法规。此外，声明还提及所有Nexperia产品均具备50年的环保使用期限（EFUP），体现了产品在长期可靠性方面的承诺。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
用于移动应用的DSN1608-2中的PTVS12VZ1USKN瞬态电压抑制器
20 November 2015
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS PTVS12VZ1USKN
2018/03/09
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| 技术文档 - 英文 |
ESD保护、TVS设备和EMI滤波
February 2017
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| 数据手册 - 英文 |
用于移动应用的DSN1608-2瞬态电压抑制器
22 November 2016
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| 数据手册 - 英文 |
用于移动应用的DSN1608-2瞬态电压抑制器
22 August 2016
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| 数据手册 - 英文 |
用于移动应用的DSN1608-2瞬态电压抑制器
22 August 2016
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| 数据手册 - 英文 |
用于移动应用的DSN1608-2瞬态电压抑制器
22 August 2016
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VZ1USKN
2018/04/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VZ1USKN
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS12VZ1USK瞬态电压抑制器，采用DSN1608-2封装，适用于移动应用
v.3
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| 技术文档 - 英文 |
DFXUN2300系列
May 2014
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| 数据手册 - 英文 |
用于移动应用的PTVSxV5D1BL、PTVSxU1UPA和PTVSxZ1USK（P）瞬态电压抑制器TVS
April 2018
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PTVS12VZ1USK
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PTVS12VZ1USK
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PTVS12VZ1USK
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PTVS12VZ1USK
2018/03/06
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| 技术文档 - 英文 |
NXP 600和400 WTVS二极管，SOD128和SOD123W
August 2012
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| 数据手册 - 英文 |
高温600w瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
400瓦瞬态电压抑制器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
高温400w瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VZ1USK
Version 10
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VZ1USK
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VZ1USK
2018/04/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VZ1USK
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
600W瞬态电压抑制器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
300w瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PTVSxU1UPA系列300 W瞬态电压抑制器
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS18VZ1USK瞬态电压抑制器，采用DSN1608-2封装，适用于移动应用
v.3
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| 测试报告 - 英文 |
ESD保护–移动设备的USB 3.2保护连接
November 2017
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VS1UR_
2019/02/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS12VS1UR_
2018/10/25
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS18VU1UPA 300 W瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
PTVS10VZ1USK瞬态电压抑制器，采用DSN1608-2封装，适用于移动应用
v.3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS14VS1UR_
2019/02/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS14VS1UR_
Version 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS14VS1UR
Version 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS18VS1UR_
2019/02/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS18VS1UR_
Version 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS18VS1UR
Version 7
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS17VS1UR_
2019/02/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS17VS1UR
Version 6
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分PTVS17VS1UR_
2018/10/25
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PTVS13VP1以上的质量信息
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
PTVS13VP1UTP型产品可靠性调查结果
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PTVS13VP1UTP的质量信息
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
产品类型PTVS14VP1UTP的质量信息
2017/12/21
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PTVS13VP1UTP
2019/01/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS PTVS13VP1UTP
2018/09/05
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技术论坛
你好用于DC-DC 项目 热接口保护 10V 的车规TVS管子，最好能直接替代 安世-PTVS10VP1UP,115 的物料
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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