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China RoHS PTVS5V0Z1USKN
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
PTVS5V0Z1USKN
本资料为恩智浦关于元器件的RoHS合规性声明,详细阐述了PTVS5V0Z1USKN等型号产品在有害物质管控方面的具体指标。声明中明确列出了产品中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等关键物质的含量,并确认所有相关指标均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,资料特别说明所有Nexperia产品具备50年的环保使用期限(EFUP),充分体现了其在绿色环保与长期可靠性方面的技术优势,同时也对信息的准确性、修改权限及免责条款进行了界定。针对文中所述的高性能元器件,Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型指导、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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应用/方案
Nexperia工业应用指南
本指南针对工业应用,提供设计问题和标准产品(二极管、双极型晶体管、汽车MOSFET、ESD保护和逻辑器件)的解决方案。涵盖19种常见应用,包括汽车主动安全、工业控制、电机控制、POS、机器人、智能UPS、白货等。指南详细介绍了每个应用的设计考虑因素,包括操作电压、功率需求、ESD保护等,并提供相应的产品选择建议。
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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