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Chemical content XC7WH126GD
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
XC7WH126GD; 9352 899 49125
本数据手册详细介绍了元器件XC7WH126GD的化学成分、封装信息及环保处理特性。资料内容涵盖了该器件的无铅焊接工艺、MPPT处理、MSL等级以及PPT处理周期等关键技术参数,并详细列出了各部分材料的质量百分比和CAS编号,同时注明了部分信息属于专有性质或无官方CAS编号。此外,手册中包含免责声明,明确指出所有信息仅供参考,Nexperia不对信息的准确性或完整性承担责任。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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数据手册 - 英文
XC7WH126双缓冲器/线路驱动器;三态产品数据表
v.3
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126GD
2018/03/09
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数据手册 - 英文
双缓冲器/线路驱动器;3态
Rev. 2
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测试报告 - 中文
中国RoHS XC7WH126GD
2018/04/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS XC7WH126GD
2018/03/09
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测试报告 - 英文
中国RoHS XC7WH126DC
2018/09/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS XC7WH126DC
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS XC7WH126DC
2018/03/07
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测试报告 - 英文
中国RoHS XC7WH126DP
2018/09/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS XC7WH126DP
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS XC7WH126DP
2018/03/07
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126DP
2018/09/28
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126DP
2018/04/26
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126DP
2018/03/07
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126DC
2018/09/28
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126DC
2018/04/26
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测试报告 - 英文
化学成分XC7WH126DC
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
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数据手册 - 英文
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
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数据手册 - 英文
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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封装信息/封装结构图 - 英文
WLCSP6_SOT8090;适用于SMD的7英寸卷装干包装;Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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数据手册 - 英文
74AVCH2T45 双比特,双电源电压电平转换器/收发器;3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
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数据手册 - 英文
74HC4851-Q100;74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器,具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
Rev. 4
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数据手册 - 英文
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
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数据手册 - 英文
NXB0106
Rev. 2.1
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封装信息/封装结构图 - 英文
SOD110陶瓷,非常小的陶瓷矩形表面贴装封装;2个引脚;2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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数据手册 - 英文
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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数据手册 - 英文
74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器;3态
SOT353-1
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肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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数据手册 - 英文
Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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数据手册 - 英文
SMAJ系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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数据手册 - 英文
版本 1.1 — 2024年7月31日 产品数据表
Rev. 1.1
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数据手册 - 英文
Nexperia P4SMA系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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技术文档 - 英文
极低电容双向ESD保护二极管
v.1
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数据手册 - 英文
NPN中频晶体管BFS19
9397 750 12417
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数据手册 - 英文
NPN中频晶体管BFS20W
1999年4月21日
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数据手册 - 英文
NPN中频晶体管BF840
9397 750 12416
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数据手册 - 英文
40V低VCEsat NPN/PNP晶体管PBSS4240DPN
2003 Feb 20
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封装信息/封装结构图 - 英文
SOD1610-1塑料,无引线超小型封装;2个引脚;本体尺寸1.6 x 1 x 0.55毫米。
3 December 2024
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数据手册 - 英文
ESD应用手册汽车版保护概念、测试与模拟现代接口设计工程师指南
v.1
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封装信息/封装结构图 - 英文
SOD993B DSN1006-2,无引脚超小型封装;2个引脚;本体尺寸1.0 x 0.6 x 0.27 mm 2022年5月20日 封装信息
20 May 2022
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封装信息/封装结构图 - 英文
SOD882P-1
2023.06.26
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
用于下一代设计的超高速CMOS逻辑
NXP推出的VHC/T和XC7逻辑器件,提供高速低功耗特性,适用于多种应用。这些器件具有宽温度范围、TTL兼容输入、施密特触发器动作等特性,适用于工业和汽车应用。VHC/T和XC7逻辑器件支持3.3/5V混合设计,具有较低的功耗和热散失,适用于电池供电系统。NXP提供全面的VHC逻辑产品组合,包括标准和小型无引脚封装,满足不同应用需求。
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单、双或三门逻辑功能,占地面积小≤10引脚引线封装
该资料介绍了Mini Logic - PicoGate产品组合,包括单、双、三路逻辑门功能,采用小型封装,节省电路板空间。产品具有低功耗、表面贴装和PicoGate引线封装等特点,适用于空间受限的应用,包括消费、便携、工业和汽车领域。产品涵盖多种逻辑家族,如HC(T)、AHC(T)、AUP、AVC、AXP、CBTLV(D)、LVC和LV1T,并提供多种封装选项。
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RC缓冲器的设计
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表面贴装回流焊接
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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