74LVC1G00GW China RoHS
发布时间：
2019-04-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74LVC1G00GW
本环保合规声明详细阐述了Nexperia公司74LVC1G00GW产品的China RoHS符合性情况。资料明确指出，该产品内部的粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件，其铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有害物质含量，均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。同时，Nexperia承诺该产品具备长达50年的环保友好使用期，充分体现了其在绿色制造与可持续发展方面的技术实力。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，并享受专职FAE团队在选型、设计验证及调试环节的专业技术支持。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，从而有效缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G00GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G00GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00-Q100单2输入与非门产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00-Q100单2输入与非门产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G00GW化学成分
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G00GW化学成分
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单路双输入与非门
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G00GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G00GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
单2输入与非门
Rev. 11
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| 数据手册 - 英文 |
单2输入与非门
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国Lvg00c174gw
2019/02/27
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| 测试报告 - 中文 |
中国Lvg00c174gw
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国Lvg00c174gw
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国Lvg00c174gw
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国Lvg00c174gw
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 16.1
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02；单路2输入或非门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器，带开漏输出
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器，带开漏输出
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G00GW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G00GW-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G00GW-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G00GW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 18.1
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07开漏输出缓冲器产品数据手册
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06开漏输出反相器产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G00GN中国RoHS
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G00GN中国RoHS
2018/04/27
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G00GS
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G00GS
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G00GM
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G00GM
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G00GV
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G00GV
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G00GN
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G00GN
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G00GF
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G00GF
2018/03/10
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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