74LVC1G02GX China RoHS
发布时间：
2019-04-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74LVC1G02GX
本环保合规性声明详细介绍了Nexperia公司元器件74LVC1G02GX的绿色属性。该资料明确指出，该元器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定。此外，Nexperia承诺该产品具有50年的环保使用期限，确保了长期的可靠性与合规性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GX
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G02GX
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02；单路2输入或非门产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GX
Version 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GX
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GX
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
单2输入NOR门
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
单2输入NOR门
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02-Q100单路2输入NOR门
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G02GX化学成分
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02-Q100单2输入或非门产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02-Q100单2输入或非门产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GW-Q100\ U CU
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GW-Q100\ U CU
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GW-Q100\ U CU
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G02GF中国RoHS
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GV
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GV
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G02GV
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 16.1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GS
Version 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GS
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G02GS
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GW
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GW
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G02GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器，带开漏输出
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器，带开漏输出
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GM
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G02GM
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 18.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GN
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G02GN
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G02GN
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07开漏输出缓冲器产品数据手册
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06开漏输出反相器产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G02GV中国RoHS
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G02GS中国RoHS
2018/04/27
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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