74LVC1G08GS China RoHS
发布时间:
2019-04-03
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74LVC1G08GS
本资料为Nexperia公司关于74LVC1G08GS元器件的China RoHS合规性声明。该声明详细阐述了器件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有害物质的含量情况,明确指出其各项指标均符合SJ/T11363-2006标准要求。此外,资料中特别提及Nexperia保证该产品具有50年的环保使用期限,并附带了相关的免责声明,强调所提供信息仅供参考,不构成任何保证或承诺。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 16.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G08GS
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G08GS
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GS
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GS
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
单2输入和门
Rev. 11
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| 数据手册 - 英文 |
单2输入和门
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08-Q100单2输入与门产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08-Q100单2输入与门产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G08GS化学成分
2018/04/27
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW-Q100\ U CU
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW-Q100\ U CU
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW-Q100\ U CU
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G08-Q100
v.6
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器,带开漏输出
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器,带开漏输出
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G08GW中国RoHS
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW
Version 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G08GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02;单路2输入或非门产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G08GM中国RoHS
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G08GF
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G08GF
2018/03/10
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G08GW
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G08GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G08GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G08GM
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G08GM
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G08GF中国RoHS
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06开漏输出反相器产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G08GN中国RoHS
2018/04/27
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07开漏输出缓冲器产品数据手册
Rev. 16
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| 测试报告 - 英文 |
gvc174gws中国
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
gvc174gws中国
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 18.1
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC1G08GV中国RoHS
2018/04/27
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| 测试报告 - 英文 |
中国Lvg08g074gn
2018/09/29
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世强AI
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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