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China RoHS 74AHC1G00GV
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74AHC1G00GV
本环保合规性声明详细介绍了Nexperia公司74AHC1G00GV元器件的绿色属性。资料明确指出,该元器件的粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件中,铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,Nexperia承诺该产品拥有长达50年的环保友好使用期限,充分体现了其在电子电气设备环保领域的合规承诺与技术可靠性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该声明,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
74AHC1G00;74AHCT1G00双输入与非门产品数据手册
Rev. 9
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数据手册 - 英文
74AHC1G00 74AHCT1G00双输入与非门产品数据手册
Rev.8
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GV
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G00GV
2018/03/07
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技术文档 - 英文
低成本、小体积的单输出应用替代品带振荡器的AHC分频器
February 2018
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数据手册 - 英文
2输入与非门
Rev. 7
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数据手册 - 英文
2输入与非门
Rev. 2
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV
2018/09/29
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV
2018/04/26
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC1G00;74AHCT1G00 - 2输入与非门
v.11
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数据手册 - 英文
74AHC1G00-Q100;74AHCT1G00-Q100双输入与非门产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G00-Q100;74AHCT1G00-Q100双输入与非门产品数据表
Rev. 3
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GV-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GV-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GV-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G00GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC1G42xx带振荡器的AHC分频器
July 2019
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数据手册 - 英文
74AHC1G09 2-输入与门,带开漏输出产品数据手册
Rev. 3
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV-Q100
Version 2
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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数据手册 - 英文
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 2
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74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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数据手册 - 英文
74AHC1GU04变频器产品数据表
Rev. 6
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数据手册 - 英文
74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 3
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74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GW
2019/05/25
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GW
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G00GW
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G00GW
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC1G4214 14级分频器和振荡器
Rev. 3
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 3
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GW-Q100
2019/02/26
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GW-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GW-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G00GW-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G00GW-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 9
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74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 8
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GW-Q100
2019/02/26
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G00GW-Q100
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技术论坛
请帮忙找一下是否有可以替换74AHC1G08GV的国产物料?谢谢
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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