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Chemical content 74AHCT1G00GV
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74AHCT1G00GV; 9352 716 48125
本技术资料详细阐述了元器件74AHCT1G00GV的化学成分、封装规格及制造工艺细节。内容涵盖了该器件各组成部分的具体化学物质、CAS编号及质量百分比,同时明确了封装类型、重量参数、焊接处理要求以及组装地点等关键物理属性。此外,资料还提供了制造过程中的关键参数与注意事项,并附有免责声明,指出所有数据仅供参考,可能因制造地点差异而产生轻微偏差,旨在为用户提供精确的材料合规性信息。基于该资料所涉器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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数据手册 - 英文
74AHC1G00;74AHCT1G00双输入与非门产品数据手册
Rev. 9
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数据手册 - 英文
74AHC1G00 74AHCT1G00双输入与非门产品数据手册
Rev.8
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G00GV
2018/09/29
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G00GV
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC1G00;74AHCT1G00 - 2输入与非门
v.11
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G00GV
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G00GV
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G00GV
2018/03/07
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数据手册 - 英文
2输入与非门
Rev. 7
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2输入与非门
Rev. 2
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74AHC1G00-Q100;74AHCT1G00-Q100双输入与非门产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G00-Q100;74AHCT1G00-Q100双输入与非门产品数据表
Rev. 3
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G00GV-Q100
Version 2
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G00GV-Q100
2018/09/05
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化学成分74AHCT1G00GV-Q100
2018/04/24
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化学成分74AHCT1G00GV-Q100
2018/03/06
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中国RoHS 74AHCT1G00GV-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74AHCT1G00GV-Q100
2018/09/05
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中国RoHS 74AHCT1G00GV-Q100
2018/04/24
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中国RoHS 74AHCT1G00GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC86;74AHCT86四路2输入异或门
Rev. 3
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74AHC74;74AHCT74双D型触发器,具有置位和复位功能;正沿触发产品数据手册
Rev. 8
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74AHC3G14;74AHCT3G14三逆变施密特触发器产品数据表
2018/12/28
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数据手册 - 英文
74AHC00;74AHCT00四路2输入与非门产品数据表
Rev. 5
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数据手册 - 英文
74AHCT240八路缓冲器/线路驱动器;换向;3-状态
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数据手册 - 英文
74AHC573;74AHCT573八位D型透明锁存器;3-状态
Rev. 8
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数据手册 - 英文
74AHC594;74AHCT594带输出寄存器的8位移位寄存器
Rev. 3
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G00GW
2019/05/25
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G00GW
2018/09/29
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中国RoHS 74AHCT1G00GW
2018/04/26
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中国RoHS 74AHCT1G00GW
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC02;74AHCT02四通道2输入NOR门产品数据表
Rev. 5
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74AHC2G00;74AHCT2G00双2输入与非门产品数据表
v.5
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74AHC2G00;74AHCT2G00双2输入与非门产品数据表
Rev. 4
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74AHC32;74AHCT32四路2输入或门
Rev. 5
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G00GW-Q100
2019/02/26
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G00GW-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74AHCT1G00GW-Q100
2018/09/05
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中国RoHS 74AHCT1G00GW-Q100
2018/04/24
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中国RoHS 74AHCT1G00GW-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC14;74AHCT14六角反相施密特触发器
Rev. 6
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74AHC04;74AHCT04六角逆变器
Rev. 7
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G00GW-Q100
Version 4
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化学成分74AHCT1G00GW-Q100
2018/09/05
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化学成分74AHCT1G00GW-Q100
2018/04/24
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化学成分74AHCT1G00GW-Q100
2018/03/06
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技术论坛
我司正在做一款自动售票机控制板的降本设计,原逻辑器件设计NEXPERIA 74AHCT86D,拟导入国产第二供应商,希望推荐国产替代型号。
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项目上国产化需求,请问有兼容安世74AHCT1G08GV 的方案推荐吗?
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现在项目上用到一颗安世的74AHCT139PW需要国产化替代,有没有合适的产品推荐?
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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