Chemical content 74AHC1G02GV
发布时间：
2019-04-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74AHC1G02GV; 9352 716 50125
本数据手册详细介绍了74AHC1G02GV元器件的化学成分、封装规格及制造工艺信息。资料内容涵盖了该器件的材料组成、质量百分比、各组成部分的CAS编号、总产品重量以及封装重量等关键物理参数。同时，文档还明确了无铅焊接工艺要求及加工周期，并附有免责声明，指出相关数据仅供参考，可能因制造地点不同而存在轻微差异。该资料为用户在元器件选型、环保合规性审查及生产工艺评估方面提供了详实的技术依据。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足，能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外，平台专职FAE团队可提供选型指导、设计验证及调试支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G02；74AHCT1G02 2-输入或非门产品数据手册
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G02GV
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G02GV
2018/03/07
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| 技术文档 - 英文 |
低成本、小体积的单输出应用替代品带振荡器的AHC分频器
February 2018
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| 数据手册 - 英文 |
2输入或非门
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
2输入或非门
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G02-Q100；74AHCT1G02-Q100 2-输入或非门产品数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G02GV
2018/09/29
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中国RoHS 74AHC1G02GV
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G02GV
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G02-Q100；74AHCT1G02-Q100 双输入或非门
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G42xx带振荡器的AHC分频器
July 2019
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2018/04/24
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中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G09 2-输入与门，带开漏输出产品数据手册
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G02GV-Q100
Version 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G02GV-Q100
2018/09/05
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化学成分74AHC1G02GV-Q100
2018/04/24
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化学成分74AHC1G02GV-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1GU04变频器产品数据表
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G02GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G02GW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G02GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4214 14级分频器和振荡器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2018/09/05
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中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2018/04/24
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中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1GU04-Q100变频器产品数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G09-Q100 2-带开漏输出的输入与门产品数据手册
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G02GW-Q100
Version 4
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化学成分74AHC1G02GW-Q100
2018/09/05
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化学成分74AHC1G02GW-Q100
2018/04/24
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化学成分74AHC1G02GW-Q100
2018/03/06
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技术论坛
请帮忙找一下是否有可以替换74AHC1G08GV的国产物料？谢谢
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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