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China RoHS 74AHC1G02GV
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74AHC1G02GV
本资料为Nexperia公司关于74AHC1G02GV元器件的RoHS合规性声明,详细阐述了该器件在粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件中的有毒有害物质含量情况。声明明确指出,上述所有物质含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求,确保了产品的环保合规性。此外,Nexperia在文中承诺该产品具有长达50年的环保使用期限,体现了对产品质量与可持续发展的长期保证。资料末尾附带免责声明,强调所提供信息仅供参考,不构成具体的承诺或保证。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,确保产品符合环保法规要求。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持,协助用户进行选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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数据手册 - 英文
74AHC1G02;74AHCT1G02 2-输入或非门产品数据手册
Rev. 8
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GV
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G02GV
2018/03/07
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技术文档 - 英文
低成本、小体积的单输出应用替代品带振荡器的AHC分频器
February 2018
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数据手册 - 英文
2输入或非门
Rev. 7
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数据手册 - 英文
2输入或非门
Rev. 1
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74AHC1G02-Q100;74AHCT1G02-Q100 2-输入或非门产品数据手册
Rev. 2
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GV
2018/09/29
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GV
2018/04/26
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GV
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC1G02-Q100;74AHCT1G02-Q100 双输入或非门
Rev. 4
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74AHC1G42xx带振荡器的AHC分频器
July 2019
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G02GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC1G09 2-输入与门,带开漏输出产品数据手册
Rev. 3
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数据手册 - 英文
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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数据手册 - 英文
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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化学成分74AHC1G02GV-Q100
Version 2
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GV-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GV-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC1GU04变频器产品数据表
Rev. 6
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数据手册 - 英文
74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 3
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74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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74AHC1G4214 14级分频器和振荡器
Rev. 3
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GW
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHC1G02GW
2018/04/26
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中国RoHS 74AHC1G02GW
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 9
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74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 8
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2018/04/24
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中国RoHS 74AHC1G02GW-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 3
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数据手册 - 英文
74AHC1GU04-Q100变频器产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74AHC1G09-Q100 2-带开漏输出的输入与门产品数据手册
Rev. 3
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GW-Q100
Version 4
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GW-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分74AHC1G02GW-Q100
2018/04/24
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化学成分74AHC1G02GW-Q100
2018/03/06
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请帮忙找一下是否有可以替换74AHC1G08GV的国产物料?谢谢
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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