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China RoHS 74AHCT1G02GV
发布时间: 2019-04-03
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74AHCT1G02GV
本资料为Nexperia产品74AHCT1G02GV的RoHS合规性声明,详细阐述了该器件在粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件中的有害物质含量情况。声明明确指出,该产品中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等物质的含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,Nexperia承诺该产品具有50年的环保使用期限,确保了长期的环保合规性与可靠性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
74AHC1G02;74AHCT1G02 2-输入或非门产品数据手册
Rev. 8
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GV
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G02GV
2018/03/07
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数据手册 - 英文
2输入或非门
Rev. 7
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数据手册 - 英文
2输入或非门
Rev. 1
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74AHC1G02-Q100;74AHCT1G02-Q100 2-输入或非门产品数据手册
Rev. 2
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测试报告 - 英文
AHGV741G化学成分
2018/09/29
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测试报告 - 英文
AHGV741G化学成分
2018/04/26
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测试报告 - 英文
AHGV741G化学成分
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC1G02-Q100;74AHCT1G02-Q100 双输入或非门
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC00;74AHCT00四路2输入与非门产品数据表
Rev. 5
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GV-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GV-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GV-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G02GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHCT240八路缓冲器/线路驱动器;换向;3-状态
Rev. 6
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数据手册 - 英文
74AHC86;74AHCT86四路2输入异或门
Rev. 3
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G02GV-Q100
Version 2
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G02GV-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G02GV-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G02GV-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHC74;74AHCT74双D型触发器,具有置位和复位功能;正沿触发产品数据手册
Rev. 8
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数据手册 - 英文
74AHC3G14;74AHCT3G14三逆变施密特触发器产品数据表
2018/12/28
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数据手册 - 英文
74AHC573;74AHCT573八位D型透明锁存器;3-状态
Rev. 8
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数据手册 - 英文
74AHC2G00;74AHCT2G00双2输入与非门产品数据表
v.5
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数据手册 - 英文
74AHC2G00;74AHCT2G00双2输入与非门产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC32;74AHCT32四路2输入或门
Rev. 5
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数据手册 - 英文
74AHC14;74AHCT14六角反相施密特触发器
Rev. 6
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GW
2019/05/25
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GW
2018/09/29
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G02GW
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G02GW
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74AHC04;74AHCT04六角逆变器
Rev. 7
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数据手册 - 英文
74AHC594;74AHCT594;带输出寄存器的8位移位寄存器产品数据手册
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC594;74AHCT594带输出寄存器的8位移位寄存器
Rev. 3
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数据手册 - 英文
74AHC02;74AHCT02四通道2输入NOR门产品数据表
Rev. 5
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GW-Q100
2019/02/26
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GW-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GW-Q100
2018/09/05
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74AHCT1G02GW-Q100
2018/04/24
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74AHCT1G02GW-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74AHCT240-Q100八路缓冲器/线路驱动器;换向;3-状态
Rev. 3
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数据手册 - 英文
74AHC2G32;74AHCT2G32双2输入或栅极产品数据表
Rev. 4
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数据手册 - 英文
74AHC30;74AHCT30 8输入与非门产品数据表
Rev. 5
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G02GW-Q100
2019/02/26
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测试报告 - 英文
化学成分74AHCT1G02GW-Q100
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技术论坛
我司正在做一款自动售票机控制板的降本设计,原逻辑器件设计NEXPERIA 74AHCT86D,拟导入国产第二供应商,希望推荐国产替代型号。
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现在项目上用到一颗安世的74AHCT139PW需要国产化替代,有没有合适的产品推荐?
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项目上国产化需求,请问有兼容安世74AHCT1G08GV 的方案推荐吗?
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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