Chemical content 74AHC1G86GV
发布时间：
2019-04-03
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74AHC1G86GV; 9352 716 73125
本数据手册详细介绍了74AHC1G86GV元器件的化学成分及物理属性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量、焊接处理工艺以及详细的材料组成百分比，并提供了不同材料组分的CAS编号和质量数据。此外，手册还包含了关于材料处理方式、环境友好性评估、制造地点说明及相关免责声明等关键信息，旨在为用户提供全面的产品合规性参考。基于该方案，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。针对文中所述器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G86；74AHCT1G86 2输入异或门产品数据手册
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G86GV
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G86GV
2018/03/07
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| 技术文档 - 英文 |
低成本、小体积的单输出应用替代品带振荡器的AHC分频器
February 2018
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| 数据手册 - 英文 |
2输入异或门
Rev. 05
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| 数据手册 - 英文 |
2输入异或门
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G86-Q100；74AHCT1G86-Q100 2输入异或门产品数据手册
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G42xx带振荡器的AHC分频器
July 2019
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G09 2-输入与门，带开漏输出产品数据手册
Rev. 3
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV-Q100
2018/09/05
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV-Q100
2018/04/24
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GV-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4210 10级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4214-Q100 14级分配器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G86GV-Q100
Version 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G86GV-Q100
2018/09/05
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化学成分74AHC1G86GV-Q100
2018/04/24
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化学成分74AHC1G86GV-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1GU04变频器产品数据表
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212-Q100 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4214 14级分频器和振荡器
Rev. 3
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74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G4212 12级分频器和振荡器产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G86GW
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G86GW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1GU04-Q100变频器产品数据表
Rev. 2
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AHC1G86GW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AHC1G86GW-Q100
2018/09/05
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中国RoHS 74AHC1G86GW-Q100
2018/04/24
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中国RoHS 74AHC1G86GW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G09-Q100 2-带开漏输出的输入与门产品数据手册
Rev. 3
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74AHC1G4214 14级分频器和振荡器产品数据手册
Rev. 4
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74AHC1G4210 10级分频器和振荡器
Rev. 3
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74AHC1G4210-Q100 10级分频器和振荡器产品数据手册
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AHC1G86GW
2019/02/26
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技术论坛
请帮忙找一下是否有可以替换74AHC1G08GV的国产物料？谢谢
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世强AI
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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