China RoHS CBTD3306PW
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
CBTD3306PW
本合规性声明详细阐述了Nexperia产品CBTD3306PW的RoHS符合性情况。资料明确指出，该产品内部的粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及引线等关键部件，其有毒有害物质含量均严格控制在SJ/T11363-2006标准规定的限量要求之内。此外，Nexperia承诺该产品具备长达50年的环保使用期限，确保了长期的绿色环保性能。文中同时附带了免责声明，提示所提供信息仅供参考。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
带电平转换的CBTD3306双总线开关
Rev. 10
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBTD3306PW
2018/09/28
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中国RoHS CBTD3306PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD3306带电平转换的双总线开关产品数据表
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
带水平移动的双总线开关
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBTD3306PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBTD3306PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBTD3306PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD3384 10位电平转换总线开关，带5位输出使能
Rev. 10
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD3384 10位电平转换总线开关，带5位输出使能
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD3384带5位输出的10位电平转换总线开关启用产品数据表
v.9
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CBTD3861带输出使能的10位电平移位总线开关产品数据表
v.3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBTD3306GM
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBTD3306GM
2018/04/26
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中国RoHS CBTD3306GM
2017/12/29
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| 数据手册 - 英文 |
带5位输出的10位电平转换总线开关使能
Rev. 8
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBTD3306D
2018/04/26
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中国RoHS CBTD3306D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD16211带12位输出的24位电平移位总线交换开关使能
2001年6月13日
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD16211带12位输出的24位电平移位总线交换开关使能
2001 Jun 13
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBTD3306GT
2018/09/28
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中国RoHS CBTD3306GT
2018/04/26
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中国RoHS CBTD3306GT
2018/03/07
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带输出使能的10位电平转换总线开关
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
CBTD16210 20位电平转换总线开关，带有10位输出使能
2000年10月12日
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| 数据手册 - 英文 |
带10位输出的20位电平转换总线开关使能
2000 Oct 12
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBTD3306GT
2018/09/28
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化学成分CBTD3306GT
2018/04/26
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化学成分CBTD3306GT
2018/03/07
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化学成分CBTD3306GM
2019/02/26
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化学成分CBTD3306GM
2018/09/28
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化学成分CBTD3306GM
2018/04/26
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化学成分CBTD3306GM
2017/12/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBTD3306D
2018/04/26
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化学成分CBTD3306D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBTD3384PW
2019/05/25
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中国RoHS CBTD3384PW
2018/09/28
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中国RoHS CBTD3384PW
2018/04/26
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中国RoHS CBTD3384PW
2018/03/07
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中国RoHS CBTD3861BQ
2018/09/28
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中国RoHS CBTD3861BQ
2018/04/26
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中国RoHS CBTD3861BQ
2018/03/07
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中国RoHS CBTD3384DB
2019/05/25
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中国RoHS CBTD3384DB
2018/09/28
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中国RoHS CBTD3384DB
2018/04/26
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中国RoHS CBTD3384DB
2018/03/10
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中国RoHS CBTD3384D
2019/05/25
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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