Chemical content 74CBTLV3126BQ
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74CBTLV3126BQ; 9352 893 42115
本数据手册详细介绍了74CBTLV3126BQ元器件的化学成分及物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量规格、无铅焊接工艺以及MPPT版本等关键参数，并深入披露了材料组成与处理周期信息。文中详细列出了不同材料组分的CAS编号、质量百分比以及总产品重量等精确数据，同时明确了有害物质含量，为环保合规与材料分析提供了详尽依据。此外，资料还包含免责声明，指出所提供信息仅供参考，不构成任何保证或承诺。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。平台专职FAE团队提供选型、设计验证及调试等技术支持，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3126 4位总线交换机产品数据表
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74CBTLV3126BQ
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74CBTLV3126BQ
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
4位总线开关
Rev. 4
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4位总线开关
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
4位总线开关
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
4位总线开关
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3126-Q100 4位总线交换机产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126BQ
2018/09/28
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中国RoHS 74CBTLV3126BQ
2018/04/26
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中国RoHS 74CBTLV3126BQ
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV1G125单总线开关产品数据表
Rev. 7.1
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV1G125单总线开关产品数据表
Rev. 7
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74CBTLV3126BQ-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126BQ-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126BQ-Q100
2018/04/25
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中国RoHS 74CBTLV3126BQ-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3257四路1/2复用器/解复用器产品数据表
Rev. 7
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3253双通道4选1多路复用器/多路分用器
Rev. 6
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74CBTLV3253双通道4选1多路复用器/多路分用器
Rev. 7
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74CBTLV3384 10位总线开关，带5位输出使能
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74CBTLV3126BQ-Q100
2019/01/08
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化学成分74CBTLV3126BQ-Q100
2018/09/06
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化学成分74CBTLV3126BQ-Q100
2018/04/25
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化学成分74CBTLV3126BQ-Q100
2018/03/06
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74CBTLV1G125单母线开关
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3861带输出使能功能的10位总线开关
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3245 8位总线开关，带输出使能功能
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3245 8位带输出使能总线开关产品数据表
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126DS
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126DS
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74CBTLV3126DS
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLVD3384带5位输出的10位电平移位总线开关启用产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126PW
2018/04/26
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中国RoHS 74CBTLV3126PW
2018/03/07
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带4位输出的74CBTLV3244 8位总线开关启用产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3253-Q100双通道4选1多路复用器/多路分用器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3253-Q100双通道4选1多路复用器/多路分用器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLVD3861带输出使能的10位电平移位总线开关产品数据表
Rev. 5
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74CBTLV3126PW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74CBTLV3126PW-Q100
2018/09/06
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中国RoHS 74CBTLV3126PW-Q100
2018/04/25
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中国RoHS 74CBTLV3126PW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3257-Q100四路1/2复用器/解复用器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3125 4位总线交换机产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74CBTLV3125 4位总线开关
Rev. 6
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74CBTLVD3245带输出使能功能的8位电平转换总线开关
Rev. 6
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
通过低压逻辑迷宫进行分类
本文介绍了Nexperia公司（原NXP Standard Product业务）的转型，并详细阐述了低电压逻辑电路的设计和应用。文章首先概述了Nexperia公司的成立和品牌变更，随后深入探讨了低电压逻辑电路的特点、选择标准、与ASIC或FPGA的比较、小型封装技术、混合电压系统、热插拔技术以及数字低电压总线开关的应用。文章还提供了不同逻辑家族的特性和应用场景，并强调了逻辑电路在高速、低功耗、混合电压和热插拔等领域的应用价值。
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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