China RoHS XC7SH04GW
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
XC7SH04GW
本资料为Nexperia公司关于元器件XC7SH04GW的RoHS合规性声明，详细阐述了该产品在环保法规下的合规情况。资料具体列出了器件内部粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件的化学成分，明确指出铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外，声明中还确认该产品拥有50年的环保使用期限，Nexperia对所提供信息的准确性承担全部责任，确保器件满足严格的绿色制造标准。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
XC7SH04变频器产品数据表
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS XC7SH04GW
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS XC7SH04GW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS XC7SH04GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
逆变器
Rev. 01
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GW
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GW
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS XC7SH04GV
2018/09/28
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中国RoHS XC7SH04GV
2018/04/26
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中国RoHS XC7SH04GV
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GV
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GV
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分XC7SH04GV
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
NXT4558-Q100 SIM卡接口电平转换器带使能引脚 版本2 — 2024年10月23日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS1503Y; PBLS1503V 15V PNP BISS负载开关 版本03 — 2009年8月24日 产品数据手册
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
2N7002BKV 60V，340mA双N沟道沟槽型MOSFET
v.4
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia 74LVC1G125 - 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.17.1
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒（双）二极管 1PS70SB82；1PS70SB84；1PS70SB85；1PS70SB86
2001年1月18日
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| 数据手册 - 英文 |
HEF40175B-Q100 四D型触发器 Rev. 2 — 2024年8月8日 产品数据手册
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G125-Q100 总线缓冲器/线驱动器；3态
v.7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NCR405U 50 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2013年12月10日产品数据手册
Rev. 1
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NCR401U 10 mA LED驱动器在SOT457 Rev. 1 — 2014年2月20日产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS4V8Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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修订版10 — 2024年9月5日 产品数据表
Rev. 10
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Nexperia 74LVC1G32 单元 2 输入 OR 门
v.16.1
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Nexperia 74AUP1G08 低功耗2输入与门
v.12.1
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BAS21AVD-Q 高压开关二极管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
74HC245；74HCT245 八路总线收发器；3态 修订版 8 — 2024年11月29日 产品数据手册
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
74VHC245; 74VHCT245 - 八通道总线收发器；3态 - 2024年11月29日 产品数据表
3
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS5V0Z1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS36VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS20VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
BC848W-Q 30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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30V，100mA NPN通用晶体管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
600W瞬态电压抑制器
SMBJ_SER v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20
2004 Feb 05
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BF570
2004年3月15日
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106-Q100
Rev. 2.1
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| 数据手册 - 英文 |
BC850C NPN通用晶体管 2024年10月8日 产品数据手册
BC850C v.4
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS6022D 60V，1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01
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PBLS6021D 60V，1.5A PNP BISS负载开关
Rev. 01 — 12 August 2009
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT883塑料，无引脚超小型封装；3个终端；0.35毫米齿距；1毫米x 0.6毫米x 0.48毫米机身
27 February 2020
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PESD24VL1BL - 极低钳位双向ESD保护二极管 2024年7月5日 产品数据手册
v.1
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PSC2065J 650V，20A SiC肖特基二极管，封装为D2PAK R2P。
v.2
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NXP半导体PMD3001D MOSFET驱动器
PMD3001D_2
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四重ESD瞬态电压抑制器
1999年5月25日
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
单、双或三门逻辑功能，占地面积小≤10引脚引线封装
该资料介绍了Mini Logic - PicoGate产品组合，包括单、双、三路逻辑门功能，采用小型封装，节省电路板空间。产品具有低功耗、表面贴装和PicoGate引线封装等特点，适用于空间受限的应用，包括消费、便携、工业和汽车领域。产品涵盖多种逻辑家族，如HC(T)、AHC(T)、AUP、AVC、AXP、CBTLV(D)、LVC和LV1T，并提供多种封装选项。
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