Chemical content 74LV244ATPW
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74LV244ATPW; 9353 082 61118
本数据手册详细介绍了74LV244ATPW元器件的化学成分、封装信息、环保特性及制造过程。资料内容涵盖无铅焊接工艺的具体要求、材料成分分析、总产品重量以及制造地点等关键信息，旨在为用户提供全面的产品合规性参考。同时，手册中包含免责声明，指出所有数据仅供参考，实际参数可能存在轻微偏差。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。此外，平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
八进制缓冲器/线路驱动器；三态
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八进制缓冲器/线路驱动器；三态
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LV244ATPW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LV244ATPW
2018/03/07
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具有部分掉电特性的LV-A（T）逻辑
March 2019
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LV244ATPW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LV244ATPW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LV244ATPW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LV244APW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LV244APW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LV244APW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LV244APW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LV244APW
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LV244APW
2018/03/07
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74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
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NPN中频晶体管BFS20W
1999年4月21日
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NPN中频晶体管BF840
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40V低VCEsat NPN/PNP晶体管PBSS4240DPN
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SOD1610-1塑料，无引线超小型封装；2个引脚；本体尺寸1.6 x 1 x 0.55毫米。
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SOD993B DSN1006-2，无引脚超小型封装；2个引脚；本体尺寸1.0 x 0.6 x 0.27 mm 2022年5月20日 封装信息
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SOD992B
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PNE20020AER-Q - 200 V, 2 A 超快速恢复整流器 2024年11月15日 产品数据手册
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SOT1089塑料，无引脚超薄小外形封装；8个引脚；0.35毫米节距；1.35毫米 x 1毫米 x 0.5毫米体尺寸 2019年5月28日 封装信息
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
RC缓冲器的设计
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表面贴装回流焊接
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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