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Chemical content 74VHCT595BQ
发布时间: 2019-04-04
类型: 测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74VHCT595BQ; 9352 895 14115
本数据手册详细介绍了74VHCT595BQ元器件的化学成分与材料构成。资料内容涵盖该器件的封装类型、总重量、各组成部分的质量百分比,以及制造工艺版本和制造地点等关键信息。文中具体列出了各部分材料的化学名称、CAS编号及质量百分比,并明确说明了有害物质含量,以符合无铅焊接工艺及环保安全标准。此外,手册还包含了制造日期等详细追溯信息及相关的安全免责声明,为用户在产品合规性审查与生产制造环节提供了精准的数据支持。基于该资料所涉器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,相关品牌在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。平台支持型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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数据手册 - 英文
74VHC595;74VHCT595 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器,带输出锁存
Rev. 3
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测试报告 - 英文
74VHCT595BQ化学成分
2019/01/07
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数据手册 - 英文
带输出闭锁的8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器
Rev. 2
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数据手册 - 英文
带输出闭锁的8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器
Rev. 1
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测试报告 - 英文
化学成分74VHCT595BQ
2018/09/28
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测试报告 - 英文
化学成分74VHCT595BQ
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74VHC595-Q100;74VHCT595-Q100 8位串行输入/串行输出或并行输出移位寄存器,带输出锁存
Rev. 2
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595BQ
2018/09/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595BQ
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595BQ
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74VHC32;74VHCT32四通道2输入或门
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC02;74VHCT02四通道2输入NOR门产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC02;74VHCT02四通道2输入NOR门
Rev. 2
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595BQ-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595BQ-Q100
2018/09/06
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595BQ-Q100
2018/04/25
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595BQ-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74VHC08;74VHCT08四通道2输入和门产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC08;74VHCT08四通道2输入与门
Rev. 3
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数据手册 - 英文
74VHC541;74VHCT541八路缓冲器/线路驱动器;3-状态
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC32-Q100;74VHCT32-Q100四通道2输入或门
Rev. 2
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测试报告 - 英文
化学成分74VHCT595BQ-Q100
Version 3
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测试报告 - 英文
化学成分74VHCT595BQ-Q100
2018/09/06
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测试报告 - 英文
化学成分74VHCT595BQ-Q100
2018/04/25
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测试报告 - 英文
化学成分74VHCT595BQ-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
74VHC126;74VHCT126四通道缓冲器/线路驱动器;三态产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC02-Q100;74VHCT02-Q100四通道2输入NOR门产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC02-Q100;74VHCT02-Q100四通道2输入NOR门产品数据表
Rev. 3
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测试报告 - 英文
74VHCT595BQ-Q100化学成分
2019/07/18
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74VHC08-Q100;74VHCT08-Q100四通道2输入与门
Rev. 3
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数据手册 - 英文
74VHC125;74VHCT125四通道缓冲器/线路驱动器;三态产品数据表
Rev. 3
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595D
2018/09/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595D
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595D
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74VHC541-Q100;74VHCT541-Q100八路缓冲器/线路驱动器;3-状态
Rev. 2
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数据手册 - 英文
74VHC08-Q100;74VHCT08-Q100四通道2输入和门产品数据表
Rev. 2
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595D-Q100
2019/01/08
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595D-Q100
2018/09/06
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595D-Q100
2018/04/25
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595D-Q100
2018/03/06
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数据手册 - 英文
四2输入或门
Rev. 01
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数据手册 - 英文
四2输入或门
Rev. 1
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数据手册 - 英文
六角反相施密特触发器
Rev. 01
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数据手册 - 英文
74VHC02;74VHCT02 四2输入NOR门 Rev. 3.1 — 2024年4月22日 产品数据手册
Rev. 3.1
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测试报告 - 英文
中国RoHS 74VHCT595PW
2018/09/28
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595PW
2018/04/26
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测试报告 - 中文
中国RoHS 74VHCT595PW
2018/03/07
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数据手册 - 英文
74VHC126-Q100;74VHCT126-Q100四通道缓冲器/线路驱动器;三态产品数据表
Rev. 2
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数据手册 - 英文
四路2输入或非门
Rev. 01
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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