Chemical content CBT3251D
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
CBT3251D; 9352 741 13112; 9352 741 13118
本数据手册详细介绍了元器件CBT3251D的化学成分及相关物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量规格、无铅焊接处理工艺、MPPT版本信息及处理周期等关键参数。同时，手册深入剖析了材料组成，明确列出了有害物质与非有害物质的含量限制，并详细说明了纯金属层的具体成分。此外，资料特别附带了免责声明，指出所有信息仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性作出保证，且不承担因使用该信息造成的任何后果，相关数据可能随时更新，不同制造地点的产品可能存在轻微差异。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CBT3251 1-of-8 FET多路复用器/多路分用器
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251D
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
1/8场效应管多路复用器/解复用器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A四路1/2复用器/解复用器产品数据表
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3251D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3251D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3251D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A四通道2选1多路复用器/解复用器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A四通道2选1多路复用器/解复用器
Rev. 8
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3253双1/4场效应晶体管多路复用器/解复用器产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3251DB
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3251DB
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3251DB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3253双通道1-of-4 FET多路复用器/多路分用器
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3253A双通道1-of-4 FET多路复用器/解复用器
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A八进制总线交换机产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A八进制总线交换机产品数据表
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251DB
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251DB
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251DB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A-Q100八进制总线交换机产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A-Q100八进制总线交换机产品数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A-Q100四通道1-of-2多路复用器/解复用器
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3251PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3251PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3251PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
双1/4场效应晶体管多路复用器/解复用器
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
双1/4场效应晶体管多路复用器/解复用器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
四路1/2复用器/解复用器
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251PW
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3251PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
带四路输出的八进制总线开关启用
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
八进制总线开关
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
八进制总线开关
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3257APW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3257APW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3257APW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3257AD
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3257AD
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3257AD
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3257ABQ
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3257ABQ
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3257ABQ
2018/03/07
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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