Chemical content CBT3253PW
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
CBT3253PW; 9352 725 79112; 9352 725 79118
本数据手册详细介绍了元器件CBT3253PW的化学成分及物理特性。资料内容涵盖了该器件的封装类型、重量、焊接处理工艺以及详细的材料组成与百分比，并提供了相应的CAS编号和总产品重量信息。此外，手册还明确了制造地点、MSL等级及PPT处理周期等关键生产细节，并附有相关的免责声明与注意事项，旨在为用户提供全面的产品合规性参考。针对文中所述器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CBT3253双通道1-of-4 FET多路复用器/多路分用器
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3253双1/4场效应晶体管多路复用器/解复用器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
双1/4场效应晶体管多路复用器/解复用器
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
双1/4场效应晶体管多路复用器/解复用器
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253PW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3253A双通道1-of-4 FET多路复用器/解复用器
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A四通道2选1多路复用器/解复用器
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A四通道2选1多路复用器/解复用器
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A四路1/2复用器/解复用器产品数据表
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3251 1-of-8 FET多路复用器/多路分用器
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253APW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253APW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253APW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A八进制总线交换机产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A八进制总线交换机产品数据表
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253DB
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253DB
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253DB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A-Q100八进制总线交换机产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3245A-Q100八进制总线交换机产品数据表
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
CBT3257A-Q100四通道1-of-2多路复用器/解复用器
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253ADS
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253ADS
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253ADS
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253ADB
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253ADB
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253ADB
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
1/8场效应管多路复用器/解复用器
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
四路1/2复用器/解复用器
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS CBT3253AD
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253AD
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS CBT3253AD
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
八进制总线开关
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
八进制总线开关
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
带四路输出的八进制总线开关启用
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253D
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253D
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253DB
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253DB
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分CBT3253DB
2018/03/10
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化学成分CBT3253AD
2018/09/28
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世强AI
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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