Chemical content HEF4053BT
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
HEF4053BT; 9333 729 60653; 9333 729 60652
本技术资料详细介绍了HEF4053BT元器件的化学成分构成、封装类型及物理属性。内容涵盖了该器件的总产品重量、无铅焊接工艺要求以及制造地点等关键信息，并深入剖析了包括粘合剂、硅片、铜合金、模具化合物在内的多种材料组成。资料不仅列出了每种物质的具体CAS编号和质量（毫克），还提供了精确的质量百分比数据，旨在为用户全面了解该器件的材料特性提供详实参考。文中同时附带了免责声明，明确指出所有信息仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性做出保证。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4053B三重单极双掷模拟开关产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4053BT
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4053BT
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
三重单刀双掷模拟开关
Rev. 12
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三重单刀双掷模拟开关
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4053B-Q100三路单刀双掷模拟开关产品数据手册
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4053BT
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4053BT
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4053BT
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4053BTT
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4053BTT
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4053BTT
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4053BT-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4053BT-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4053BT-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS HEF4053BT-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4053BTT-Q100
2019/01/08
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中国RoHS HEF4053BTT-Q100
2018/09/06
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中国RoHS HEF4053BTT-Q100
2018/04/25
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中国RoHS HEF4053BTT-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分HEF4053BTT-Q100
Version 2
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化学成分HEF4053BTT-Q100
2018/09/06
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化学成分HEF4053BTT-Q100
2018/04/25
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化学成分HEF4053BTT-Q100
2018/03/06
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化学成分HEF4053BT-Q100
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化学成分HEF4053BT-Q100
2018/09/06
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化学成分HEF4053BT-Q100
2018/04/25
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化学成分HEF4053BT-Q100
2018/03/06
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化学成分HEF4053BTT
2018/09/29
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化学成分HEF4053BTT
2018/04/26
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化学成分HEF4053BTT
2018/03/07
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74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
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HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
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NXB0106
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SOD110陶瓷，非常小的陶瓷矩形表面贴装封装；2个引脚；2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器；3态
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肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
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表面贴装回流焊接
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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