Chemical content 74ALVCH16374DGG
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74ALVCH16374DGG; 9352 051 30118; 9352 051 30112
本化学成分报告详细阐述了74ALVCH16374DGG型号元器件的材料构成与制造工艺细节。资料内容涵盖了该器件的封装类型、总产品重量以及无铅焊接工艺规范，并深入解析了其化学组成，列出了不同材料组分的CAS编号、具体质量（mg）及质量百分比。同时，报告注明了部分信息可能涉及商业机密或缺乏官方CAS编号，并附带了免责声明，明确所有数据仅供参考，Nexperia不对信息的准确性或完整性提供保证，且保留随时更改信息的权利。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价及充足库存。此外，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74ALVCH16374 2.5 V/3.3 V 16位边沿触发D型触发器；3-状态
Rev. 7
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVCH16374DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVCH16374DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVCH16374 2.5v/3.3v 16位边沿触发D型触发器；三态产品数据表
v.6.1
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| 数据手册 - 英文 |
2.5V/3.3V 16位边沿触发D型触发器；3态
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVCH16374DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVCH16374DGG
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVCH16374DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC374八进制D型触发器；正边缘触发器；三态
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC374八进制D型触发器；正边缘触发器；三态
Rev. 02
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC574八路D型触发器；正沿触发；3-状态
Rev. 3
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVCH16374DL
2017/12/28
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC74；具有置位和复位功能的双D型触发器正边沿触发产品数据手册
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVCH16374DL
2017/12/28
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC02四路2输入或非门
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74C574PW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C574PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C574PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC04六角逆变器
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVC373PW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC373PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC373PW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC373八位D型透明锁存器；3-状态
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVC04D
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC04D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC573八位D型透明锁存器；3-状态
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVC04BQ
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC04BQ
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC14十六进制反转施密特触发器产品数据表
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVC374D
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC374D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC374D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC08四通道2输入与门
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74C574D
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C574D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C574D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC00四通道2输入与非门
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74C573D
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C573D
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C573D
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVC74双D型触发器，具有置位和复位功能；正沿触发
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVC373BQ
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC373BQ
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVC373BQ
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74AlVC02；四路2输入或非门产品数据手册
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74C573PW
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C573PW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74C573PW
2018/03/07
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在5G光通讯基站上面要用到Nexperia 74ALVC164245DGG，看看是否有合适替代？
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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