Chemical content 74ALVT162821DL
发布时间：
2019-04-04
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74ALVT162821DL; 9352 554 50512; 9352 554 50518
本数据手册详细介绍了74ALVT162821DL型号元器件的化学成分及物理特性。资料内容涵盖该器件的封装类型、重量规格、焊接工艺及处理周期，并重点阐述了其材料组成与百分比，具体包括粘合剂、硅、铜合金、聚合物及纯金属层等各组分的详细说明，同时提供了相应的CAS编号和重量百分比数据。此外，手册还包含免责声明，指出所有信息仅供参考，实际参数可能因不同制造地点而存在微小差异。基于该资料所涉器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
74ALVT162821 20位总线接口D型触发器；带30Ω端接电阻的正沿触发器；3-状态
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVT162821DL
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVT162821DL
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
2.5V/3.3V 20位总线接口D型触发器；带30个端接电阻器的正边缘触发器（3态）
1998 Oct 02
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16373；16位透明D型锁存器；3态产品数据表
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74T162821DL
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74T162821DL
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74T162821DL
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16823 18位总线接口D型触发器，具有复位和使能功能；3-状态
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16244 16位缓冲器/线路驱动器；3-状态
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16601 18位通用总线收发器；3状态
Rev. 03
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74T162821DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74T162821DGG
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74T162821DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16501 18位通用总线收发器；3状态
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16543 2.5 V/3.3 V ALVT 16位注册收发器（3状态）
Rev_3
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16373 16位透明D型闭锁；3-状态
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVT162821DGG
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVT162821DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVT162821DGG
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74ALVT162821DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT162245 16位收发器，带30欧姆端接电阻；3-状态
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT162245 16位收发器，带30Ω终端电阻；3-状态
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
带复位和使能的18位总线接口D型触发器；3态
Rev. 04
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| 数据手册 - 英文 |
18位总线接口D型触发器，带30 W端接电阻器；3态
Rev. 02
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT162823DL
2017/12/28
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| 数据手册 - 英文 |
20位总线接口D型触发器；正边缘触发器；3态
Rev. 03
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVT16373DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16373DGG
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16373DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
2.5 V/3.3 V 16位寄存器收发器（3态）74ALVT16543
2025/06/30
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74T16827DL
2017/12/28
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16601
Rev. 03
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| 测试报告 - 英文 |
74ALVT16827DGG中国RoHS
2018/04/25
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| 数据手册 - 英文 |
20位缓冲器/线路驱动器；非反转；3态
Rev. 03
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVT16821DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16821DGG
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16821DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
2.5V/3.3V 16位缓冲器/驱动器（3态）
1998 Oct 07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVT16827DGG
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVT16827DGG
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16827DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
2.5V/3.3V 16位透明D型锁存器（3态）
1999 Oct 18
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| 数据手册 - 英文 |
74ALVT16501
Rev. 04
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVT16823DGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16823DGG
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74ALVT16823DGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
20位缓冲器/线路驱动器，非反相，带30W端接电阻器（3态）
1998 Feb 13
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74ALVT162823DGG
2018/09/29
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世强AI
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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