China RoHS 74LVT04PW_代理商_研发采购服务

China RoHS 74LVT04PW

发布时间： 2019-04-04

类型：测试报告，认证报告、性能测试报告

品牌：

Nexperia（安世半导体）

型号：

74LVT04PW

本环保合规性声明详细阐述了Nexperia产品74LVT04PW中有害物质的管控情况，依据SJ/T11363-2006标准，对粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及导线等各部件的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚含量进行了严格检测。资料明确指出，该产品所有均质材料的有害物质含量均低于标准规定的限量要求，并强调Nexperia产品具备长达50年的环保友好使用期限，充分体现了其在绿色电子制造领域的合规性与可靠性。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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我司设计一款楼宇控制系统，原8路三态输出总线收发器设计了NEXPERIA 74LVT245BQ，正在做国产替代，请推荐满足需求国产型号。

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应用/方案

功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度

GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。

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