SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%) Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
发布时间：
2019-04-04
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
DIOTEC（德欧泰克）
型号：
SMZ10B; SMZ11B; SMZ12B; SMZ13B; SMZ15B; SMZ16B; SMZ18B; SMZ20B; SMZ22B; SMZ24B; SMZ27B; SMZ30B; SMZ33B; SMZ36B; SMZ39B; SMZ43B; SMZ47B; SMZ51B; SMZ56B; SMZ62B; SMZ68B; SMZ75B; SMZ82B; SMZ91B; SMZ100B; SMZ110B; SMZ120B; SMZ130B; SMZ150B; SMZ160B; SMZ180B; SMZ200B
本数据手册详细介绍了SMZ系列表面贴装硅稳压二极管（非平面技术）的技术规格与应用参数。该系列器件涵盖SMZ10B至SMZ200B型号，具备2W的最大功率耗散能力及±2%的高精度电压容差，专为电子电路中的过压保护而设计。在特性方面，产品采用DO-213AB塑料MELF封装，支持卷带包装形式，便于自动化生产；其工作温度范围宽广，覆盖-55°C至+175°C，且热阻性能优异，结到环境空气热阻小于45K/W，结到引脚热阻小于15K/W，确保了在严苛环境下的稳定运行。基于该器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。同时，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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全球顶尖的半导体二极管和整流器专家：Diotec（德欧泰克）
Diotec（德欧泰克）成立于1973年，致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线，产品涵盖5000余种料号，600多种车规，包括二极管，三极管，肖特基二极管，稳压管，TVS（保护器件），整流器等。
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现货平台 / DIOTEC 授权代理店
| 订货型号 | SMZ200B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ200B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 196 | Vznom（V） | 200 |
| Vzmax（V） | 204 | Iztest（mA） | 5 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 90 |
| rzj（Ω） | 150 | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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| 订货型号 | SMZ180B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ180B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 176 | Vznom（V） | 180 |
| Vzmax（V） | 184 | Iztest（mA） | 5 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 90 |
| rzj（Ω） | 120 | ||
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| 订货型号 | SMZ160B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ160B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 157 | Vznom（V） | 160 |
| Vzmax（V） | 163 | Iztest（mA） | 5 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 75 |
| rzj（Ω） | 110 | ||
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| 订货型号 | SMZ120B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ120B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 118 | Vznom（V） | 120 |
| Vzmax（V） | 122 | Iztest（mA） | 5 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 60 |
| rzj（Ω） | 80 | ||
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| 订货型号 | SMZ110B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ110B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 108 | Vznom（V） | 110 |
| Vzmax（V） | 112 | Iztest（mA） | 5 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 50 |
| rzj（Ω） | 80 | ||
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| 订货型号 | SMZ100B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ100B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 97.9 | Vznom（V） | 100 |
| Vzmax（V） | 102.1 | Iztest（mA） | 5 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 50 |
| rzj（Ω） | 60 | ||
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| 订货型号 | SMZ51B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ51B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fuir die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 49.9 | Vznom（V） | 51 |
| Vzmax（V） | 52.1 | Iztest（mA） | 10 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 24 |
| rzj（Ω） | 25 | RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V) | - |
| RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V) | - | Ciss Typ.(pF) | 447 |
| VGS(th) Max.(V) | 1.2 | Qg Typ. (nC)(10V) | 11.3 |
| Qg Typ. (nC)(4.5V) | - | ||
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| 订货型号 | SMZ36B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ36B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fuir die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 35.2 | Vznom（V） | 36 |
| Vzmax（V） | 36.8 | Iztest（mA） | 10 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 17 |
| rzj（Ω） | 16 | RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V) | - |
| RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V) | - | Ciss Typ.(pF) | 447 |
| VGS(th) Max.(V) | 1.2 | Qg Typ. (nC)(10V) | 11.3 |
| Qg Typ. (nC)(4.5V) | - | ||
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| 订货型号 | SMZ24B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ24B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fuir die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 23.48 | Vznom（V） | 24 |
| Vzmax（V） | 24.52 | Iztest（mA） | 25 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 12 |
| rzj（Ω） | 7 | RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V) | - |
| RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V) | - | Ciss Typ.(pF) | 633 |
| VGS(th) Max.(V) | -1.3 | Qg Typ. (nC)(10V) | 15 |
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价格：
库存：
0
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| 订货型号 | SMZ22B | 品牌 | DIOTEC |
| 型号系列 | SMZ22B | 品类 | Zener Diodes |
| 描述/说明 | Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology),Flachendiffundierte Si-Zener-Dioden fuir die Oberflachenmontage | 封装/外壳/尺寸 | DO-213AB/Melf |
| 最小包装量 | 5,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Vzmin（V） | 21.58 | Vznom（V） | 22 |
| Vzmax（V） | 22.42 | Iztest（mA） | 25 |
| Ptot（W） | 2 | Tjmax（°C） | 150 |
| IR（µA） | 1 | IR（µA）、VR（V） | 12 |
| rzj（Ω） | 7 | RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V) | - |
| RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V) | - | Ciss Typ.(pF) | 633 |
| VGS(th) Max.(V) | -1.3 | Qg Typ. (nC)(10V) | 15 |
| Qg Typ. (nC)(4.5V) | - | ||
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库存：
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
SMZ10B.。SMZ200B（2 W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）
Version 2015-05-13
|
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| 数据手册 - 英文 |
SMZ10B.。SMZ200B（2 W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）
Version 2015-05-13
|
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| 数据手册 - 英文 |
SMZ10B.。SMZ200B（2 W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）
Version 2015-05-13
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
特殊类型“GR.”、“KLR”和“2%”的第2）条以及《桥式整流器产品变更通知》的变更
18.08.2011
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| 技术文档 - 英文 |
关于假冒德欧泰克产品的警告
30.08.2013
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| 数据手册 - 英文 |
SMZ1 ... SMZ200 SMD Zener Diodes (non-planar technology)
Version 2019-01-30
|
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| 数据手册 - 英文 |
SMZ1 ... SMZ200 SMD Zener Diodes (non-planar technology)
Version 2016-03-21
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SMZ1.。SMZ200 SMD齐纳二极管（非平面技术）
Version 2023-09-05
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SMZ1.。SMZ200 SMD齐纳二极管（非平面技术）
Version 2023-09-05
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SMZ1.。SMZ200 SMD齐纳二极管（非平面技术）
Version 2019-01-30
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SMZ1.。SMZ200 SMD齐纳二极管（非平面技术）
Version 2019-01-30
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| 技术文档 - 英文 |
德欧泰克照明产品
Version 2005-07-07
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电信用德欧泰克产品
Version 2005-11-03
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德欧泰克电源产品
Version 2007-06-26
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德欧泰克白色家电产品
Version 2007-08-21
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ZMY3B9G ... ZMY9B1G (1.0 W, 2%),ZMY10B ...ZMY200B (1.3 W, 2%) Surface Mount Silicon-Zener Diodes
Version 2015-05-13
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SZ3C10B..SZ3C200B（3W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）
Version 2015-05-13
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SZ3C10B..SZ3C200B（3W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）
Version 2015-05-13
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SZ3C10B..SZ3C200B（3W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）
Version 2015-05-13
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| 数据手册 - 英文 |
SZ3C 1-2% ... SZ3C200 -2% (3W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
Version 2012-04-03
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SZ3C10B...SZ3C200B（3W，2%）表面贴装硅齐纳二极管（非平面技术）数据表
Version 2015-05-13
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正向固定稳压器
Version 2026-04-08
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| 数据手册 - 中文 |
BZT52C2V0..BZT52C75 SMD平面齐纳二极管
2026-04-07
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超快速恢复表面贴装整流二极管
2026-04-08
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| 数据手册 - 中文 |
SMD中的ESD9BL0521P ESD保护二极管
2026-04-08
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SIT04C065 Silicon Carbide Schottky Diodes
2026-04-09
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| 数据手册 - 中文 |
DI120N04PQ-AQ N沟道功率MOSFET
2026-04-09
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| 数据手册 - 英文 |
碳化硅肖特基二极管
2026-04-10
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| 数据手册 - 英文 |
DIF120SIC060 - 碳化硅 MOSFET
2026-04-09
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| 数据手册 - 英文 |
2SD350 表面贴装通用NPN晶体管
2026-04-08
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ESD0519Z SMD封装ESD保护二极管 / SMD封装ESD保护二极管
Version 2026-03-31
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| 数据手册 - 中文 |
BAS86 SMD 小信号肖特基二极管
2026-04-07
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| 数据手册 - 中文 |
MD03C090 N+P沟道功率MOSFET
2026-03-31
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| 数据手册 - 英文 |
DI170SIC850D7 - 碳化硅（SiC）MOSFET
2026-03-31
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DIF120SIC038 - 碳化硅（SiC）MOSFET
2026-04-09
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BC856S|BC857S SMD通用PNP晶体管
2026-03-24
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BC546 ... BC549 - 通用NPN晶体管
2026-03-30
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BC546.。BC549通用NPN晶体管
Version 2018-02-01
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1N4148W|1N4448W SMD小信号开关二极管
Version 2026-03-19
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1N4148、1N4150、1N4151、1N4448小信号开关二极管
2023-08-17
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
非平面芯片技术应用说明
本文介绍了非平面和平面芯片技术的应用和特点。非平面芯片技术具有大活性区域，适用于高脉冲能力、高功耗和高允许齐纳电流的器件，如Zener二极管。平面芯片技术则适用于小活性区域，具有低结电容，适用于低电压齐纳二极管。文章还讨论了不同封装类型的应用，如塑料封装和玻璃封装，以及它们在热传导和可靠性方面的差异。
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智能电表应用说明
本文档为智能电表应用笔记，主要介绍了智能电表的工作原理、功能模块以及Diotec半导体公司提供的针对智能电表需求的半导体解决方案。文档详细阐述了电源单元、微控制器板、通信和显示板等主要功能模块的设计要点，并针对输入整流阶段、TVS、Snubber、Flyback IC、Shunt Regulator、Output Rectification、Voltage Regulator LDO、Line Protection ESD、Schottky Diode OR-ing、Transistors BJT等关键部件提供了具体的器件建议和参数。
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贴片二极管/整流器
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SMD Diodes/Rectifier 快速参考指南
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【经验】以ZMY24B为例说明非平面工艺的齐纳二极管相较平面工艺的应用优势
非平面工艺焊接技术是硅晶圆与铜框引脚通过焊片进行高温焊接，具有高可靠性与更好的热传递，主要应用在于高电流、高功率、高稳电压的应用，相较于平面工艺具有功率高、高脉冲承受能力、稳压电流高、漏电流较低等优势。本文中以Diotec的齐纳二极管ZMY24B的实际替换案例来分析。
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【产品】1V-220V SMD齐纳二极管SMZ1 -SMZ200系列，适用于稳压器
Diotec（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。其推出的SMZ1~SMZ200系列SMD齐纳二极管，符合RoHS、REACH的认证标准，具有高耗散功率（最大2W）等特点，其中 VZ = 1 V - 200 V，Tjmax 最高可达150°C ，适用于稳压器（过压保护-单向和双向-见TVS二极管TGL41系列）等领域
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【产品】1W表面贴装硅齐纳二极管1SMA4728A~1SMA200A，内置应力消除装置，正向峰值浪涌电流为10A
鲁光电子推出的1SMA4728A~1SMA200A 1.0W表面贴装硅齐纳二极管，采用薄型封装SMA/DO-214AC封装，内置应力消除装置，结温和存储温度范–55℃ ~+150℃，正向峰值浪涌电流为10A，用于表面贴装应用。
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【产品】3.6V~75V表面贴装硅齐纳二极管PZ1AH10B-AU~PZ1AH75B-AU，峰值脉冲耗散功率1.0W
强茂（PANJIT）电子推出的表面贴装齐纳二极管，型号：PZ1AH10B-AU~PZ1AH75B-AU，共包含多个型号可选，电压范围3.6V~75V，SOD-123HE封装，峰值脉冲功率为1.0W，ESD（空气放电）电压等级为±30kV，ESD（接触放电）电压等级为±30kV，典型热阻RθJA为185℃/W，工作结点温度和存储温度范围为-55℃~150℃。
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【产品】表面贴装硅齐纳二极管1SMB5921~1SMB5942，稳定电压6.8V~51V，峰值脉冲功率1.5W
强茂（PANJIT）电子推出的表面贴装硅齐纳二极管，型号：1SMB5921~1SMB5942，包含多个型号可选，稳定电压范围6.8V~51V，SMB/DO-214AA封装，峰值脉冲功率为1.5W，正向峰值浪涌电流为10A，工作结温和存储温度范围为-55℃~150℃。
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