4MX0121VA13AVG 4MX0121VA13AVG8 4MX0121VA13AVG/M 4MX0121VA13AVG8/M PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)
发布时间：
2019-04-04
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
4MX0121VA13AVG; 4MX0121VA13AVG8; 4MX0121VA13AVG/M; 4MX0121VA13AVG8/M
本产品变更通知（PCN）详细阐述了Integrated Device Technology, Inc.（IDT）针对特定系列产品实施的制造工艺调整。由于原组装厂Amkor Philippines停止相关产品的组装工艺，IDT决定将组装地点转移至其合格分包商Amkor Korea，并将Amkor Korea增加为备选凸块位置。资料明确指出，此次变更属于生产供应链优化，不会对产品的可靠性、资格认证、形式、尺寸及功能产生任何负面影响，且产品的RoHS合规性和MSL等级均保持不变。IDT要求客户在30天内对通知予以回应，并在有需求时提供样品验证，以确保生产切换的平稳过渡。针对文中所述器件，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该变更方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可协助用户进行选型确认、设计验证及生产调试，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 技术文档 - 英文 |
4MX0121V开关/多路复用器，用于DDR3/DDR4 NVDIMM
2018/02/25
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| 数据手册 - 英文 |
4MX0121V开关/多路复用器，用于DDR3/DDR4 NVDIMM
REVA
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| 技术文档 - 英文 |
内存多路复用器系列概述
2018/03/28
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| 技术文档 - 英文 |
内存多路复用器系列概述
REVA
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| 技术文档 - 英文 |
出口产品分类
2019-05-30
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| 数据手册 - 英文 |
LDS6100系列PureTouch®*电容式触摸传感器IC系列
Rev. 0.7
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| 数据手册 - 英文 |
ADC1006S055/070单通道10位ADC，最高55 MHz或70 MHz
Rev. 03
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ADC1215S系列单通道12位ADC；带输入缓冲的65 MSPS、80 MSPS、105 MSPS或125 MSPS；CMOS或LVDS DDR数字输出
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
ADC1453D250双通道14位ADC；高达246 MSPS；JESD204B串行输出
Rev. 3.2
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| 数据手册 - 英文 |
ICS87931I-147低偏斜、1至6 LVCMOS/LVTTL时钟倍频器/零延迟缓冲器
REV. A
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| 电路原理图 - 英文 |
RC19020
REV.C
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT521/A/B/C快速CMOS 8位身份比较器
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT163T/AT/CT快速CMOS同步可预置二进制计数器
2007/12/5
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| 数据手册 - 英文 |
2： 4个3.3V PCIe时钟多路复用器
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
4通道10Gb/s接收机
May 16, 2017
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| 数据手册 - 英文 |
1.8V LVPECL时钟分配器
REVISION 1
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| 数据手册 - 英文 |
可编程FLEXPC时钟
JANUARY, 2014
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| 数据手册 - 英文 |
用户可配置分隔符
REV H
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| 数据手册 - 英文 |
时钟分配电路
REV H
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| 数据手册 - 英文 |
LOCO™ 锁相环时钟倍增器
REV M
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| 数据手册 - 英文 |
LOCO™ 锁相环时钟倍增器
REV S
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| 数据手册 - 英文 |
Tsi381™ PCIe®到PCI网桥
August 14, 2009
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| 数据手册 - 英文 |
低偏差1到2时钟缓冲器
REVISION F
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| 数据手册 - 英文 |
低偏差1到4时钟缓冲器
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
低偏差1到4时钟缓冲器
REV G
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低偏差1到4时钟缓冲器
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
可编程时钟发生器
NOVEMBER 11, 2016
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| 数据手册 - 英文 |
可编程时钟发生器
MARCH 3, 2017
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| 数据手册 - 英文 |
可编程时钟发生器
MARCH 3, 2017
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| 数据手册 - 英文 |
低偏差1至5时钟缓冲器
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V CMOS 1到2时钟驱动器
MAY 2010
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V CMOS 1到4时钟驱动器
MAY 2010
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| 数据手册 - 英文 |
快速CMOS缓冲/时钟驱动器
MAY 2010
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| 数据手册 - 英文 |
低压10位总线开关
DECEMBER 2014
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| 数据手册 - 英文 |
低压20位总线开关
DECEMBER 2014
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| 数据手册 - 英文 |
28G–1路TIA+PA接收机
November 16, 2017
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| 数据手册 - 英文 |
扩频能力时钟发生器
REV C
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| 数据手册 - 英文 |
扩频能力时钟发生器
REV E
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| 数据手册 - 英文 |
扩频能力时钟发生器
REV J
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| 数据手册 - 英文 |
28G-1信道TIA+PA接收机
May 15, 2017
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| 数据手册 - 英文 |
通用频率合成器
REVISION A
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| 数据手册 - 英文 |
1输出PCIE GEN1/2合成器
REV J
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| 数据手册 - 英文 |
2输出PCIE GEN1/2合成器
REV H
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
IDT 内存多路复用器概述
IDT memory multiplexers address the industry’s growing need for memory expansion in SSD and NVDIMM applications.
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【产品】小尺寸封装的内存多路复用器，满足行业对SSD与NVDIMM的内存扩展需求
IDT内存多路复用器满足了行业对SSD（固态硬盘）和NVDIMM（非易失性双列直插式内存模块）应用中不断增长的内存扩展需求。
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MX0141K内存多路复用器系列概述
IDT的内存复用器系列针对SSD和NVDIMM应用中日益增长的内存扩展需求。这些高性能的1:4复用器（符合ONFI 4.1标准）在低引脚数、低功耗封装中显著提高闪存密度，同时最大化NV-DDR3吞吐量。1:2复用器在NVDIMM应用中电源故障期间将DRAM数据路由到闪存。复用器引脚布局允许其放置在边缘连接器附近，减轻了电路板约束问题，同时对高速信号的影响最小。主要特点包括易于集成、小封装尺寸、低功耗和高带宽开关架构。
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Memory Multiplexer Family Overview 产品介绍
IDT的内存复用器系列针对SSD和NVDIMM应用中日益增长的内存扩展需求。这些高性能的1:4复用器在低引脚数、低功耗封装中显著提高闪存密度，同时最大化NV-DDR3吞吐量。1:2复用器在NVDIMM应用中电源故障期间将DRAM数据路由到闪存。复用器引脚布局允许其放置在边缘连接器附近，减轻了电路板约束问题，同时对高速信号的影响最小。特点包括易于集成、小封装尺寸、低功耗和高带宽切换架构。
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