TSE2004GB2C0NCG TSE2004GB2C0NCG8 PRODUCT/PROCESS CHANGE NOTICE (PCN)
发布时间：
2019-04-04
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
TSE2004GB2C0NCG; TSE2004GB2C0NCG8; NEWTECH P9-065-000 White; E-PAK eRL0126-T08-A47-TRL; C-PAK BD0200x0300; ECA1941-PS-BLK-520; TSE2004GB2C0
本产品/工艺变更通知（PCN）详细阐述了IDT针对选定产品进行的供应链制造环节调整。资料明确指出，编号A1804-01的变更旨在将相关产品的组装、测试及后端工艺从现有的马来西亚Carsem工厂，转移至TFME, China和HTC, China作为替代设施。文件重点强调，此次制造基地的迁移经过了严格验证，不会对产品的质量或可靠性性能产生负面影响，且新设施的测试结果与现有设施保持完全兼容，确保了产品规格的一致性与稳定性。针对文中所述IDT相关产品，IDT在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可依托平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TSE2004GB2C0 DDR4 Temperature Sensor with Integrated 4Kbit EEPROM for Memory Module
October 23, 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
TSE2004GB2B0NCG8 TSE2004GB2B0NCG8/B TSE2004GB2B0NCG8/M产品/工艺变更通知单
June 15, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
DDR4温度传感器，内置4Kbit EEPROM存储模块
Rev.C0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
TSE2004GB2B0NCG8 TSE2004GB2B0NCG8/B TSE2004GB2B0NCG8/M产品停用通知（PDN）
3-Aug-2018
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| 数据手册 - 英文 |
TSE2004GB2C0 DDR4温度传感器，集成4Kbit EEPROM，用于存储模块数据表
May 10, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
TSE2004GB2C0 DDR4温度传感器，集成4Kbit EEPROM，用于存储模块数据表
May 10, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
用于存储模块的DDR4温度传感器，带集成4KB EEPROM
Rev.B0
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| 数据手册 - 英文 |
TSE2004GB2B0 DDR4 Temperature Sensor with Integrated 4Kbit EEPROM for Memory Modules
September 16, 2014
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| 数据手册 - 英文 |
TSE2004GB2B0 DDR4温度传感器，集成4Kbit EEPROM，用于存储模块数据表
May 9, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
TSE2004GB2B0 DDR4温度传感器，集成4Kbit EEPROM，用于存储模块数据表
May 9, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
LDS6100系列PureTouch®*电容式触摸传感器IC系列
Rev. 0.7
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| 数据手册 - 英文 |
ADC1006S055/070单通道10位ADC，最高55 MHz或70 MHz
Rev. 03
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ADC1215S系列单通道12位ADC；带输入缓冲的65 MSPS、80 MSPS、105 MSPS或125 MSPS；CMOS或LVDS DDR数字输出
Rev. 03
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ADC1453D250双通道14位ADC；高达246 MSPS；JESD204B串行输出
Rev. 3.2
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ICS87931I-147低偏斜、1至6 LVCMOS/LVTTL时钟倍频器/零延迟缓冲器
REV. A
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| 电路原理图 - 英文 |
RC19020
REV.C
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT521/A/B/C快速CMOS 8位身份比较器
JUNE 2002
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| 数据手册 - 英文 |
IDT54/74FCT163T/AT/CT快速CMOS同步可预置二进制计数器
2007/12/5
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| 数据手册 - 英文 |
2： 4个3.3V PCIe时钟多路复用器
REVISION A
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4通道10Gb/s接收机
May 16, 2017
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1.8V LVPECL时钟分配器
REVISION 1
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| 数据手册 - 英文 |
可编程FLEXPC时钟
JANUARY, 2014
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| 数据手册 - 英文 |
用户可配置分隔符
REV H
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| 数据手册 - 英文 |
时钟分配电路
REV H
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| 数据手册 - 英文 |
LOCO™ 锁相环时钟倍增器
REV M
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LOCO™ 锁相环时钟倍增器
REV S
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| 数据手册 - 英文 |
Tsi381™ PCIe®到PCI网桥
August 14, 2009
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低偏差1到2时钟缓冲器
REVISION F
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低偏差1到4时钟缓冲器
REVISION A
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低偏差1到4时钟缓冲器
REV G
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低偏差1到4时钟缓冲器
REVISION A
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可编程时钟发生器
NOVEMBER 11, 2016
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可编程时钟发生器
MARCH 3, 2017
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可编程时钟发生器
MARCH 3, 2017
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低偏差1至5时钟缓冲器
REVISION A
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3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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3.3V零延迟时钟缓冲器
AUGUST 2012
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| 数据手册 - 英文 |
3.3V CMOS 1到2时钟驱动器
MAY 2010
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3.3V CMOS 1到4时钟驱动器
MAY 2010
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快速CMOS缓冲/时钟驱动器
MAY 2010
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低压10位总线开关
DECEMBER 2014
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| 数据手册 - 英文 |
低压20位总线开关
DECEMBER 2014
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28G–1路TIA+PA接收机
November 16, 2017
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扩频能力时钟发生器
REV C
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扩频能力时钟发生器
REV E
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世强AI
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应用/方案
服务器内存接口芯片组的领导者
该资料介绍了IDT公司提供的DDR4服务器内存接口芯片组解决方案。主要产品包括用于RDIMM和LRDIMM的注册时钟驱动器、数据缓冲器和温度传感器。这些产品支持高达3.2Gb/s的DDR4数据速率，提供高达35%的功耗节省，并支持自动阻抗校准和新的DDR4省电协议。此外，资料还提到了IDT芯片组的可靠性、兼容性和在内存密集型计算和存储应用中的适用性。
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【产品】适用于DDR4 RDIMM和LRDIMM的完整芯片组，包含DDR4寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器
瑞萨旗下的IDT的DDR4 寄存时钟驱动器、数据缓冲器及温度传感器组成了业界首款适用于 DDR4 寄存双列直插存储器模块 (RDIMM) 和低负载双列直插存储器模块 (LRDIMM) 的完整芯片组4RCD0124、4DB0226、TSE2004。随着DDR4的数据传输速率攀升至 3.2 Gb/s 乃至更高，RDIMM 和 LRDIMM 卓越的速度可扩展存储器技术具备毋庸置疑的优势。
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【产品】用于内存模块的集成4kbit EEPROM的DDR4温度传感器TSE2004GB2B0
IDT（Renesas收购）推出的TSE2004GB2B0数字温度传感器的精度最高可达±0.5℃，它根据最高温度读取水平的应用而设计。该器件还包含512字节EEPROM，用于存储供应商信息和系统配置，如用于DIMM模块的SPD。
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【产品】带有多个用户可编程寄存器的数字温度传感器TSE2004GB2C0，可为温度检测应用提供最大的灵活性
Renesas旗下IDT推出的TSE2004GB2C0数字温度传感器带有多个用户可编程寄存器，可为温度检测应用提供最大的灵活性。用户可编程寄存器指定临界、上限和下限温度以及滞后设置。极限值和滞后值都用于将芯片与系统之间的温度信号传递。该通信使用漏极开路配置的EVENT_n引脚完成。
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