China RoHS 74AVC4TD245GU
发布时间:
2019-04-08
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74AVC4TD245GU
本环保合规性声明详细阐述了恩智浦(Nexperia)型号74AVC4TD245GU产品的有害物质管控情况。资料明确指出,该产品内部的粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及引线等关键部件,其铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有毒有害物质的含量均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,恩智浦承诺该产品具备长达50年的环保友好使用期限,充分体现了其在绿色制造与可持续发展方面的技术实力。针对文中所述器件,Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。同时,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
可配置电压转换的4位双电源转换收发器;3状态
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
可配置电压转换的4位双电源转换收发器;3状态
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AVC4TD245GU
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AVC4TD245GU
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AVC4TD245GU
Version 8
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化学成分74AVC4TD245GU
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AVC4TD245GU
2018/04/25
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化学成分74AVC4TD245GU
2018/03/07
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中国RoHS 74AVC4TD245PW
2018/09/28
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中国RoHS 74AVC4TD245PW
2018/04/25
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中国RoHS 74AVC4TD245PW
2018/03/07
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中国RoHS 74AVC4TD245BQ
2019/01/07
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中国RoHS 74AVC4TD245BQ
2018/09/28
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中国RoHS 74AVC4TD245BQ
2018/04/25
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中国RoHS 74AVC4TD245BQ
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AVC4TD245PW
Version 6
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化学成分74AVC4TD245PW
2018/09/28
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化学成分74AVC4TD245PW
2018/04/25
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化学成分74AVC4TD245PW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AVC4TD245BQ
Version 6
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化学成分74AVC4TD245BQ
2018/09/28
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化学成分74AVC4TD245BQ
2018/04/25
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化学成分74AVC4TD245BQ
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
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| 数据手册 - 英文 |
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP6_SOT8090;适用于SMD的7英寸卷装干包装;Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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74AVCH2T45 双比特,双电源电压电平转换器/收发器;3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
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74HC4851-Q100;74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器,具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD110陶瓷,非常小的陶瓷矩形表面贴装封装;2个引脚;2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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| 数据手册 - 英文 |
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器;3态
SOT353-1
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肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
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Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
SMAJ系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
版本 1.1 — 2024年7月31日 产品数据表
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia P4SMA系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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| 技术文档 - 英文 |
极低电容双向ESD保护二极管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS19
9397 750 12417
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20W
1999年4月21日
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NPN中频晶体管BF840
9397 750 12416
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
NPIC6C4894-Q100应用指南
本指南为Nexperia公司提供,旨在帮助设计师识别特定设计问题及所需的标准产品,包括二极管、双极型晶体管、汽车MOSFET、ESD保护和逻辑器件等。指南涵盖了汽车、计算、通信、消费、工业(包括照明和医疗)以及便携式设备等领域的50种常见应用,并提供设计考虑因素、产品/价值表和典型应用图,以帮助设计师选择合适的产品。
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RC缓冲器的设计
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表面贴装回流焊接
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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