Chemical content 74LVC1G07GV
发布时间：
2019-04-08
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74LVC1G07GV; 9352 720 29125
本数据手册详细介绍了74LVC1G07GV元器件的化学成分、封装规格及制造工艺信息。资料内容涵盖了该器件的材料组成，具体列出了粘合剂、硅、铜合金、塑料、锡、银等成分的质量百分比及对应的CAS编号，确保了产品化学属性的透明度。此外，手册还提供了无铅焊接工艺的详细说明、制造地点、处理周期以及MSL（潮湿敏感度）等级等关键制造与质量数据，并附带了相关的安全信息及免责条款，旨在为用户提供全面准确的产品合规性参考。针对文中所述的74LVC1G07GV器件，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品保障，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价服务，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07开漏输出缓冲器产品数据手册
Rev. 16
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GV
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GV
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
带开漏输出的缓冲器
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
带开漏输出的缓冲器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07 缓冲器，开漏输出 Rev. 18 — 2024年9月23日 产品数据手册
Rev. 18
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GV-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07-Q100缓冲器，带开漏输出
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GV-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GV-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GV-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GV-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 16.1
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02；单路2输入或非门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器，带开漏输出
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器，带开漏输出
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GN
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GN
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GN
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 18.1
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06开漏输出反相器产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GF
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GF
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GF
2018/03/10
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100\ U CU
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100\ U CU
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100\ U CU
2018/03/06
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世强AI
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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