China RoHS 74LVC1G07GW
发布时间:
2019-04-08
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74LVC1G07GW
本合规性声明详细阐述了Nexperia公司74LVC1G07GW元器件的RoHS符合性情况。资料明确指出,该元器件的粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件中,有毒有害物质含量均严格控制在SJ/T11363-2006标准规定的限量要求之内。此外,Nexperia承诺该产品拥有长达50年的环保使用期限,确保了长期的绿色环保性能。文中同时包含免责声明,说明所提供信息仅供参考。针对该器件,Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务,用户可放心获取原厂授权的正品器件。平台支持相关型号单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足,能够覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。结合专职FAE团队提供的选型、设计验证及调试支持,有助于用户缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07开漏输出缓冲器产品数据手册
Rev. 16
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
具有开漏输出的74LVC1G07缓冲器
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW
2019/05/24
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW
Version 16
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW
2018/09/28
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07-Q100带开漏输出的缓冲器产品数据表
Rev. 3
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| 数据手册 - 英文 |
带开漏输出的缓冲器
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
带开漏输出的缓冲器
Rev. 2
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07 缓冲器,开漏输出 Rev. 18 — 2024年9月23日 产品数据手册
Rev. 18
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G07-Q100缓冲器,带开漏输出
Rev. 4
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100\ U CU
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100\ U CU
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100\ U CU
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G00单2输入与非门产品数据表
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08单路2输入与门产品数据手册
Rev. 16.1
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02;单路2输入或非门产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100
2019/02/27
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器,带开漏输出
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06逆变器,带开漏输出
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 15
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G02单2输入或非门产品数据表
Rev. 13
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G06开漏输出反相器产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100\U CU
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100\U CU
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC1G07GW-Q100\U CU
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100
2019/02/27
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100
2018/09/06
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC1G07GW-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 16
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G04单逆变器产品数据表
Rev. 18.1
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08-Q100单2输入与门产品数据表
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G08-Q100单2输入与门产品数据表
Rev. 3
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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