74AVC16834ADGG China RoHS
发布时间：
2019-04-08
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74AVC16834ADGG
本环保合规性声明详细介绍了Nexperia公司产品74AVC16834ADGG的有害物质管控情况。资料明确指出，该产品在粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及导线等关键部件中，对铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等有害物质的含量进行了严格限定，所有检测指标均符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外，Nexperia承诺该产品具备长达50年的环保友好使用期，充分体现了其在绿色制造与可持续发展方面的技术实力。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规声明，用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件，平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试。相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价，并覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74AVC16834A 18位注册驱动器，带反向寄存器启用和动态控制输出；3态产品数据表
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AVC16834ADGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AVC16834ADGG
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
18位注册驱动器，带反转寄存器启用和动态控制输出（3态）
2002 Sep 11
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AVC16834ADGG
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AVC16834ADGG
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
74AVC16834ADGG化学成分
2018/04/26
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
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| 数据手册 - 英文 |
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP6_SOT8090；适用于SMD的7英寸卷装干包装；Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
74AVCH2T45 双比特，双电源电压电平转换器/收发器；3态 Rev. 9.1 — 2024年8月12日 产品数据手册
Rev. 9.1 — 12 August 2024
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| 数据手册 - 英文 |
74HC4851-Q100；74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器，具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4521B 24级分频器和振荡器 修订版9 — 2024年8月19日 产品数据手册
Rev. 9
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| 数据手册 - 英文 |
NXB0106
Rev. 2.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD110陶瓷，非常小的陶瓷矩形表面贴装封装；2个引脚；2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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| 数据手册 - 英文 |
20V PNP BISS负载开关
PBLS2003D_2
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| 数据手册 - 英文 |
74AHC1G125/74AHCT1G125 单缓冲/线驱动器；3态
SOT353-1
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| 数据手册 - 英文 |
肖特基势垒二极管 BAT17
2003 Mar 25
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| 数据手册 - 英文 |
74LVCU04A-Q100 六路非缓冲反相器 修订版 5 — 2025年1月20日 产品数据手册
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS48VZ1UPC 瞬态电压抑制器
v.2
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3Z1UPC 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia PTVS6V3D1UCL 瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
SMAJ系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
版本 1.1 — 2024年7月31日 产品数据表
Rev. 1.1
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| 数据手册 - 英文 |
Nexperia P4SMA系列 - 400W瞬态电压抑制器
v.1
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| 技术文档 - 英文 |
极低电容双向ESD保护二极管
v.1
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS19
9397 750 12417
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BFS20W
1999年4月21日
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| 数据手册 - 英文 |
NPN中频晶体管BF840
9397 750 12416
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| 数据手册 - 英文 |
40V低VCEsat NPN/PNP晶体管PBSS4240DPN
2003 Feb 20
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD1610-1塑料，无引线超小型封装；2个引脚；本体尺寸1.6 x 1 x 0.55毫米。
3 December 2024
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| 数据手册 - 英文 |
ESD应用手册汽车版保护概念、测试与模拟现代接口设计工程师指南
v.1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD993B DSN1006-2，无引脚超小型封装；2个引脚；本体尺寸1.0 x 0.6 x 0.27 mm 2022年5月20日 封装信息
20 May 2022
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD882P-1
2023.06.26
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD992B
19-2-2019
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOD992B
19-2-2019
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G240-Q100 单路反相缓冲器/线驱动器；3态 Rev. 1 — 2023年11月1日 产品数据手册
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
PNE20020AER-Q - 200 V, 2 A 超快速恢复整流器 2024年11月15日 产品数据手册
v.2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1089塑料，无引脚超薄小外形封装；8个引脚；0.35毫米节距；1.35毫米 x 1毫米 x 0.5毫米体尺寸 2019年5月28日 封装信息
28 May 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PNP通用晶体管BC859W；BC860W
9397 750 05583
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| 数据手册 - 英文 |
PSMN2R3-100SSJ N沟道100V，2.3毫欧姆ASFET，具有在LFPAK88封装中增强的动态电流共享功能。
13 January 2025 Preliminary data sheet
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| 数据手册 - 英文 |
PBLS4004Y; PBLS4004V 40V PNP BISS负载开关 修订版 03 — 2009年2月16日 产品数据手册
Rev. 03
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| 数据手册 - 英文 |
60 V PNP BISS负载开关
PBLS6001D_2
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT666塑料表面贴装封装；6个导联；0.5毫米节距；1.6毫米X 1.2毫米X 0.55毫米机身
18 June 2019
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
SOT1215塑料无引脚散热增强型超薄小型封装，具有侧面可湿侧翼（SWF）；3个端子；0.75毫米节距；1.1毫米X 1毫米X 0.37毫米机身
27 November 2019
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| 数据手册 - 英文 |
PSC0665K 650V，6A SiC肖特基二极管，封装为TO-220-2 R2P，2024年7月24日产品数据手册。
v.1
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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表面贴装回流焊接
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功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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