74HC161DB Chemical content
发布时间:
2019-04-08
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74HC161DB; 9351 745 10118; 9351 745 10112
本数据手册详细介绍了74HC161DB元器件的化学成分、封装类型、重量、焊接工艺、处理版本及组装地点等关键信息。资料中列出了材料组分的详细清单,涵盖粘合剂、硅、铜合金、模具化合物、聚合物及纯金属层等,并精确提供了每种材料的CAS编号、质量(mg)及质量百分比等数据,旨在满足行业对物质成分的合规性审查需求。同时,手册附带免责声明,指出所有信息仅供参考,可能因制造地点不同而存在轻微偏差。针对文中所述器件,用户可通过世强硬创平台获取原厂授权的正品器件,平台支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,并拥有充足库存以覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求。此外,平台提供专职FAE团队支持选型、设计验证及调试服务,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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74HC161可预置同步4位二进制计数器;异步复位产品数据表
Rev. 4
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化学成分74HC161DB
2018/09/29
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化学成分74HC161DB
2018/03/09
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74HC161可预置同步4位二进制计数器;异步复位
Rev. 5
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可预置同步4位二进制计数器;异步复位
Rev. 3
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可预置同步4位二进制计数器;异步复位
Rev. 1
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中国RoHS 74HC161DB
2018/09/29
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中国RoHS 74HC161DB
2018/03/09
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74HC161-Q100可预置同步4位二进制计数器;异步复位产品数据表
Rev. 2
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74HC161DB中国RoHS
2018/04/26
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74HC161-Q100可预置同步4位二进制计数器;异步复位
Rev. 3
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中国RoHS 74HC161D
2018/09/29
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中国RoHS 74HC161D
2018/03/07
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74HC161D中国RoHS
2018/04/26
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74HC161D化学成分
2018/04/26
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化学成分74HC161D
2018/09/29
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化学成分74HC161D
2018/03/07
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中国RoHS 74HC161D-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74HC161D-Q100
2018/09/06
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中国RoHS 74HC161D-Q100
2018/04/25
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中国RoHS 74HC161D-Q100
2018/03/06
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化学成分74HC161D-Q100
2019/01/08
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2018/09/06
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2018/04/25
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中国RoHS 74HC161PW
2018/09/29
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2018/03/07
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74HC161PW中国RoHS
2018/04/26
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2019/02/26
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2018/09/29
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化学成分74HC161PW
2018/03/07
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74HC161PW化学成分
2018/04/26
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| 数据手册 - 英文 |
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NXB0106
Rev. 2.1
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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