74HC163DB China RoHS
发布时间：
2019-04-08
类型：
测试报告，认证报告、性能测试报告
品牌：
Nexperia（安世半导体）
型号：
74HC163DB
本资料为Nexperia公司关于74HC163DB元器件的China RoHS合规性声明，详细阐述了该器件在粘合剂、晶粒、极片材料、注塑胶料、预电镀及引线等关键材料中的有害物质管控情况。声明明确指出，该部件中的铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等受限物质含量均严格符合SJ/T11363-2006标准要求。此外，资料还强调了Nexperia产品具备长达50年的环保使用期限，体现了其在绿色环保与长期可靠性方面的技术优势。针对文中所述器件，Nexperia在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74HC163；74HCT163可预置同步4位二进制计数器；同步复位产品数据表
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC163DB
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC163DB
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
74HC163；74HCT163，可预置同步4位二进制计数器；同步复位
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
74HC163-Q100；74HCT163-Q100可预置同步4位二进制计数器；同步复位产品数据表
Rev. 2
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC163DB
2019/05/25
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC163DB
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC163DB
2018/03/09
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| 数据手册 - 英文 |
74HC163-Q100；74HCT163-Q100，可预置同步4位二进制计数器；同步复位
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
74HC163DB化学成分
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC163D
2018/09/29
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC163D
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
74HC163D中国RoHS
2019/11/23
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| 测试报告 - 英文 |
74HC163D中国RoHS
2018/04/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC163D
2019/02/26
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74HC163D
2018/09/29
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化学成分74HC163D
2018/03/07
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74HC163D化学成分
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC163D-Q100
2019/01/08
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中国RoHS 74HC163D-Q100
2018/09/06
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中国RoHS 74HC163D-Q100
2018/04/25
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC163D-Q100
2018/03/06
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74HC163D-Q100化学成分
2019/07/17
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化学成分74HC163D-Q100
2019/01/08
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化学成分74HC163D-Q100
2018/09/06
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化学成分74HC163D-Q100
2018/04/25
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化学成分74HC163D-Q100
2018/03/06
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中国RoHS 74HC163PW
2018/09/29
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中国RoHS 74HC163PW
2018/03/07
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74HC163PW中国RoHS
2018/04/26
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74HC163PW-Q100
2019/01/08
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74HC163PW-Q100
2018/09/06
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中国RoHS 74HC163PW-Q100
2018/04/25
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中国RoHS 74HC163PW-Q100
2018/03/06
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| 测试报告 - 英文 |
74HC163PW-Q100中国RoHS
2019/11/19
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化学成分74HC163PW-Q100
2019/01/08
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化学成分74HC163PW-Q100
2018/09/06
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化学成分74HC163PW-Q100
2018/04/25
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化学成分74HC163PW-Q100
2018/03/06
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化学成分74HC163PW
2019/02/26
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化学成分74HC163PW
2018/09/29
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化学成分74HC163PW
2018/03/07
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| 测试报告 - 英文 |
74HC163PW化学成分
2018/04/26
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC1G74-Q100 单路D型触发器 产品数据表
Rev. 6.1
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| 数据手册 - 英文 |
74AVC2T45-Q100 双位、双电源电压电平转换器 产品数据表
Rev. 7.1
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| 数据手册 - 英文 |
NBM5100A-Q100 NBM5100B-Q100 纽扣电池寿命增强器 产品数据表
Rev. 1
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
WLCSP6_SOT8090；适用于SMD的7英寸卷装干包装；Q2/T3产品方向修订版1 — 2024年1月22日包装信息
Rev. 1
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| 数据手册 - 英文 |
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Rev. 9.1 — 12 August 2024
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| 数据手册 - 英文 |
74HC4851-Q100；74HCT4851-Q100 8通道模拟多路选择器/解复用器，具有注入电流效应控制 Rev. 4 — 2023年5月15日 产品数据手册
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应用/方案
功率氮化镓（氮化镓）场效应晶体管（FETs）以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能，具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式（e-mode）和级联模式（cascode mode），适用于多种电压等级的应用，包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术，以优化散热和灵活性。
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