ROHM（罗姆）适用于xEV Ma的功率器件产品介绍
发布时间：
2019-04-08
类型：
培训文档-商品应用及供应商介绍
品牌：
ROHM（罗姆）
型号：
BM61SxxRFV-C; BM610xFV-C; BM610xFV-LB; BM6005xFV-C; BM67420FV-C; BM67421FV-C; BM6001xFV-C; BM6001xFV-LB; UL1577; BM60014FV; BM60212FV; BM61S40RF; BM61S41RFV; BM61M40RFV; BM6101FV; BM6102FV; BM6104FV; BM6105AFW; BM60051FV; BM60052AFV; BM60054AFV; BM60055FV; BM60212FV-C; BM67420FV; BM67421FV
本产品介绍详细阐述了ROHM公司针对新能源汽车（xEV）市场发布的功率器件产品线，涵盖SiC（碳化硅）模块、IGBT及MOSFET等核心器件，旨在满足电机驱动、充电站等关键应用场景的需求。该产品线不仅包含隔离栅极驱动器、温度与高压监控器及AC/DC转换器，还具备高可靠性与高速响应等显著特性，且提供了一系列符合汽车电子行业严格认证要求的栅极驱动器，展现了ROHM在车载功率电子领域的技术实力。ROHM在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将为用户提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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ROHM官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是ROHM的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供ROHM的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商
罗姆（ROHM）半导体集团是全球最知名的半导体厂商之一，创立于1958年，总部位于日本京都市。历经半个多世纪的发展，罗姆的生产、销售、研发网络遍及世界各地。为了迅速且准确应对不断扩大的中国市场的需求，在中国构建了与罗姆日本同样的集开发、生产、销售于一体的一条龙体制。
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现货平台 / ROHM 授权代理店
| 订货型号 | BM6104FV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM6104FV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating temperature range(℃) | -40°C ~ 125°C | Supply Voltage Range(V) | 10V ~ 24V |
| I/O Delay Time(ns) | 150ns | Isolation Voltage(V) | 2500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥30.2916
库存：
6,545
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BM6104FV-CE2 批量询价 >>
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BM6104FV-CE2 交期查询 >>
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BM6104FV-CE2 期货订购 >>
| 订货型号 | BM61S40RFV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM61S40RFV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | Isolation voltage 3750Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating temperature range(℃) | -40°C ~ 125°C | Supply Voltage Range(V) | 16V ~ 20V |
| I/O Delay Time(ns) | 65ns | Isolation Voltage(V) | 2500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥15.3734
库存：
50
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| 订货型号 | BM60051FV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM60051FV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation 2500Vrms Isolation Voltage | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating temperature range(℃) | -40°C ~ 125°C | Supply Voltage Range(V) | 9V ~ 24V |
| I/O Delay Time(ns) | 260ns | Isolation Voltage(V) | 2500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥60.9619
库存：
50
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BM60051FV-CE2 期货订购 >>
| 订货型号 | BM6101FV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM6101FV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating temperature range(℃) | -40°C ~ 125°C | Supply Voltage Range(V) | 14V ~ 24V |
| I/O Delay Time(ns) | 350ns | Isolation Voltage(V) | 2500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥30.2916
库存：
20
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| 订货型号 | BM67421FV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM67421FV-C | 品类 | Digital Isolator |
| 描述/说明 | Isolation voltage 2500Vrms Bi-direction 2ch High Speed Digital Isolator | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Voltage Range(V) | 4.5V to 5.5V | Operating Temperature Range(℃) | -40℃ to 125℃ |
| Propagation delay(ns) | 40ns (Max) | Insulation Resistance | >109Ω |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BM60212FV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM60212FV-C | 品类 | Side Driver |
| 描述/说明 | 1200V High Voltage High and Low Side Driver | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating Temperature [°C] | -40°C ~ 125°C（TA） | NuM biter of channels | 2.0 |
| Vcc[V] | 10V ~ 24V | High-side floating supply voltage [V] | 1200 V |
| Rise/fall time (typical value)(ns) | 50ns，50ns | Peak output current(A) | 4.5A，3.9A |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
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世强自营,
原厂认证
价格：
￥20.0688
库存：
0
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| 订货型号 | BM61S41RFV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM61S41RFV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | Isolation Voltage 3750 Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating temperature range(℃) | -40°C ~ 125°C | Supply Voltage Range(V) | 16V ~ 24V |
| I/O Delay Time(ns) | 65ns | Isolation Voltage(V) | 3750Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | BM60052AFV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM60052AFV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Isolation Voltage(Vrms) | 2500Vrms | Gate Drive Voltage(V) | 20V |
| I/O Delay Time(ns) | 120ns (Max) | Input Pulse Width(ns) | 90ns(Max) |
| Operating Temperature Range(°C) | -40～125 °C | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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BM60052AFV-CE2 在线购买 >>
世强硬创平台提供BM60052AFV-CE2样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
BM60052AFV-CE2 样品申请 >>
世强硬创平台提供BM60052AFV-CE2批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
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BM60052AFV-CE2 交期查询 >>
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| 订货型号 | BM60054AFV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM60054AFV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 1,500 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Isolation Voltage(Vrms) | 2500Vrms | Gate Drive Voltage(V) | 20V |
| I/O Delay Time(ns) | 120ns (Max) | Input Pulse Width(ns) | 90ns(Max) |
| Operating Temperature Range(°C) | -40～125 °C | ||
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供BM60054AFV-CE2在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，库存充足，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
BM60054AFV-CE2 在线购买 >>
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BM60054AFV-CE2 交期查询 >>
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| 订货型号 | BM60014FV-CE2 | 品牌 | ROHM |
| 型号系列 | BM60014FV-C | 品类 | Gate Driver |
| 描述/说明 | Isolation voltage 2500Vrms 1ch Gate Driver Providing Galvanic Isolation | 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 2,000 | 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) | 停产时间 | |
| Operating temperature range(℃) | -40°C ~ 125°C | Supply Voltage Range(V) | 10V ~ 24V |
| I/O Delay Time(ns) | 120ns | Isolation Voltage(V) | 2500Vrms |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
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原厂认证
价格：
库存：
0
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
BM60059FV-C隔离电压2500 Vrms 1ch门驱动器提供电流隔离数据表
Rev.001
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
符合ELV指令（2011/37/EU）BM60055FV-CE2
Rev.001
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
隔离电压2500 Vrms 1通道栅极驱动器提供电流隔离BM60059FV-c
Rev.002
|
下载 |
| 测试报告 - 英文 |
REACH SVHC非使用声明BM60051FV-CE2
Rev.001
|
下载 |
| 数据手册 - 英文 |
2500Vrms隔离电压BM60056FV-C数据表
Rev.001
|
下载 |
技术论坛
SIC模块带短路保护的驱动芯片,需求：带短路保护，关断时间快，米勒钳位功能
查看官方回答 >>
我们设计低速电动车驱动，IGBT DRIVER,甲方要求通过驱动芯片通过AEC-Q100和UL1577认证，带米勒钳位， 初步选ROHM BM60014FV-CE2 ，请问这个交货怎样，是常用型号吗？
查看官方回答 >>
世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
ROHM 功率器件解决方案
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2SARxxx（PNP）/2SCRxxx（NPN）双极性晶体管，适用于栅极驱动电路（用于SiC/IGBT/超级结MOSFET）
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锂离子电池监控LSI
LAPIS Semiconductor发布了一系列针对锂离子电池的监控解决方案，包括电池监控IC、双向DCDC转换器/逆变器、高精度电压参考等。产品适用于工业市场，如电动工具、无线吸尘器、电动助力自行车、UPS和储能系统。公司还展示了其工业级电池管理IC的发展路线图，包括独立型和AFE型产品，以及针对不同应用场景的电池保护IC。此外，还介绍了多种电池管理IC的详细规格和应用示例。
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【产品】绝缘电压2500Vrms的1ch栅极驱动器 BM60059FV-C，采用SSOP-B28W封装
ROHM推出的BM60059FV-C是最大栅极驱动电压为24V、绝缘电压2500Vrms、输入输出延迟时间450ns、最小输入脉冲宽度400ns的栅极驱动器。内置故障信号输出功能、欠压锁定（UVLO）、短路保护功能（SCP）、米勒钳位功能、温度监测功能、开关控制、栅极恒流驱动功能、栅极状态监视功能。
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【产品】隔离电压2500Vrms的1ch栅极驱动器BM60060FV-C
ROHM推出的BM60060FV-C是一个隔离电压为2500Vrms的1ch栅极驱动器。输入输出延时210ns，最小输入脉冲宽度90ns，具有故障信号输出功能、欠压闭锁功能（UVLO）、短路保护功能（SCP、检测电压的内置温度补偿）、短路保护快速关断功能、有源米勒钳位（MC）功能。温度监测功能、开关控制器功能、门极电阻开关功能、输出状态反馈函数。
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【产品】集成了故障信号输出功能的单通道栅极驱动器BM60060FV-C，隔离电压达2500Vrms
ROHM推出的单通道栅极驱动器BM60060FV-C的隔离电压高达2500Vrms，最大栅极驱动电压为24V，I/O延迟时间最大210ns，最小输入脉冲宽度为90ns，可以应用在汽车逆变器、汽车DC-DC转换器、工业逆变器系统和UPS系统中。
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【产品】隔离电压2500Vrms的单通道栅极驱动器BM60014FV
ROHM推出的BM60014FV-C是一款单通道栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，I/O延迟时间为120ns，最小输入脉冲宽度为70ns。同时，它集成了故障信号输出功能，欠压锁定（UVLO）功能和米勒钳位等功能。可应用于IGBT栅极驱动器、MOSFET栅极驱动器等应用领域。
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【产品】汽车级栅极驱动器BM60051FV-C、BM60055FV-C，2500Vrms高电压隔离
罗姆(ROHM)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一，由其于2017年和2018年分别推出的BM60051FV-C和BM60055FV-C栅极驱动器，均已通过AEC-Q100认证（级别1），可提供高达2500Vrms的电压隔离，内置的多种保护功能使得驱动器具有出色的可靠性，非常适用于汽车隔离IGBT / MOSFET逆变器栅极驱动、汽车DC/DC转换器、工业逆变器系统和UPS系统等领域。
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【产品】隔离电压达2500Vrms，最高驱动电压24V的BM60056FV-C单通道栅极驱动器，适用汽车级IGBT驱动
ROHM（罗姆）株式会社的众多高品质产品在世界电子行业中获得许可和赞许。其中，BM60056FV-C是一款提供隔离的单通道栅极驱动器，隔离电压为2500Vrms，最大栅极驱动电压为24V，I/O延迟时间最高为3.0μs，其输出的开启/关断时间最大3.0μs，最小输入脉冲宽度为3.0μs。可用于车载系统，最适用于汽车隔离IGBT/MOSFET逆变器栅极驱动等领域。
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闸门驱动器选型指南
本指南旨在帮助用户选择合适的栅极驱动器，涵盖了多个关键因素，如隔离电压、温度范围、输出电流、输入输出延迟时间等。指南详细介绍了ROHM栅极驱动器的特性，包括隔离电压、爬电距离、工作电压、温度范围、输出电流、输入输出延迟时间等。此外，还介绍了Miller Clamp、负电源、温度监控、安全特性等高级功能。最后，提供了产品线表，方便用户快速评估和搜索所需特性。
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【产品】单通道高可靠性的BM60052AFV-C、BM60054AFV-C栅极驱动器，2500Vrms隔离电压
ROHM于2018年新推出的BM60052AFV-C和BM60054AFV-C栅极驱动器，均已通过AEC-Q100认证，满足汽车级产品的应用需求，可提供高达2500Vrms的隔离电压，具有较强的耐压性，能够实现有效的电压隔离，非常适用于汽车逆变器、汽车DC/DC转换器、工业逆变系统、UPS系统等领域。
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为什么在SiC和GaN功率器件时代，IGBT依然重要？
尽管宽禁带技术崛起，IGBT凭借高性价比、稳定供应和可靠性，在特定应用中仍具优势。本文探讨IGBT持续被采用的原因，包括成本、供应、可靠性及系统层面优势，并介绍其性能改进。
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为什么在SiC和GaN功率器件时代，IGBT依然重要？
尽管宽禁带技术崛起，IGBT凭借高性价比、稳定供应及可靠性，在工业设备、电机驱动等领域仍是优选。文章探讨了IGBT的选型考量、技术演进及ROHM的功率模块创新。
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SiC MOSFET损耗计算方法：通过波形的线性近似分割来计算损耗的方法
本文ROHM将介绍根据在上一篇文章（《SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法》）中测得的开关波形，使用线性近似法来计算功率损耗的方法。
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SiC MOSFET损耗计算方法：开关波形的测量方法
关于根据开关波形计算功率损耗的方法，本文中ROHM将为大家介绍SiC MOSFET开关波形的测量方法。近年来，一些示波器已经具备可以自动计算并显示所观测波形的功率损耗的功能，但如果没有该功能，就需要通过测得的波形来计算损耗了。为此，需要了解具体的测量方法和波形。
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SiC MOSFET缓冲电路设计方法
与传统的功率半导体相比，SiC MOSFET的开关速度更快，因此其电压和电流变化更急剧。这使得器件自身的封装电感和外围电路的布线电感等的影响变大（已经不容忽视），最终会导致较大的浪涌。关于这种浪涌的抑制方法，我们已经介绍过其中一种，即缓冲电路的增加方法和设计方法。
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有助于车载和工业设备降低功耗，内置SiC二极管的IGBT，可同时实现高效率和低成本
ROHM的650V耐压Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的优点，并实现了一体化封装。由于已经在元器件层面优化了需要进行精密电路设计的部分，因此用户使用该系列产品可以轻松构建性价比高的功率转换系统。
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【技术】ROHM介绍第4代SiC MOSFET的特点
ROHM推出的SiC MOSFET第4代产品，进一步改进了第3代确立的沟槽栅极结构，实现了更低的导通电阻和更出色的高速开关特性。为了更好地了解第4代SiC MOSFET使用效果，我们先来了解一下其特点。
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【技术】SiC MOSFET栅-源电压测量：在桥式结构中的注意事项－探头的CMRR篇
在对桥式结构中的高边（HS）MOSFET进行测试时，通常使用高压差分探头或差分探头来观测波形，但所用探头的共模抑制比（CMRR）在高频区域可能会降低，波形波动可能会增加。
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【经验】浅析SiC MOSFET栅-源电压的测量方法
SiC MOSFET具有出色的开关特性，但其开关过程中电压和电流变化非常大。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时需要注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOSFET和IGBT等各种功率元器件。
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【经验】解析如何在电机应用中区分使用功率器件：IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET
每种功率元器件都有其各自的特点，通常需要根据目标应用和所需特性和性能等来区分使用。本文ROHM将谈一下如何在电机应用中正确地区分使用IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET。
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【经验】解析IGBT的工作原理
ROHM在本文的关键要点：1.当相对于IGBT发射极向IGBT栅极施加正电压时，IGBT导通，流过集电极电流。2.如等效电路图所示，通过Nch MOSFET导通、IB流过PNP晶体管，使PNP晶体管导通，IGBT的集电极和发射极之间导通。
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【经验】解析SiC MOSFET缓冲电路的设计方法
SiC MOSFET作为各种各样的电源应用和电源线的开关元件， 其应用范围在迅速地扩大中，由于开关的时候电压和电流的急剧变化，导致漏极源极之间会有很大的电压尖峰，本文ROHM将对漏极源极尖峰抑制方法之一的缓冲电路的设计方法进行说明。
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SiC功率器件手册
本文介绍了碳化硅（SiC）功率器件在能源节约和设备小型化方面的贡献。SiC器件具有更高的击穿电场强度、低导通电阻和低开关损耗，使其在高压应用中表现出色。文章还强调了ROHM公司在SiC器件研发和生产方面的领先地位，包括其全SiC功率模块和AC/DC转换器IC产品。
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SiC内置MOSFET AC/DC转换器
ROHM推出全球首款SiC内置MOSFET AC/DC转换器，采用SiC技术实现更高效率和耐热性，实现小型化设计。产品支持48W功率，适用于400VAC工业设备辅助电源电路，如通用逆变器、AC伺服和PLC。与传统的解决方案相比，该产品采用单芯片设计，减少外部元件数量，提高系统可靠性。
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RGWxx65C系列(符合AEC-Q101标准)内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT
本资料主要介绍了ROHM公司生产的SiC SBD和Hybrid IGBT产品，包括RGWxx65C系列。资料详细描述了这些产品的电气参数、封装类型、应用场景以及符合的认证标准。此外，还提供了相关产品的数据表链接，方便用户查阅详细信息。
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SiC应用实例
本文介绍了碳化硅（SiC）在多个应用场景中的实例，包括CATL的V2X电源单元、BAIC BJEV的6.6kW双向车载充电器和GLM的800V系统主逆变器原型。SiC的应用显著提高了功率转换效率，减小了设备尺寸，并增强了系统的可靠性。此外，还提到了与东京大学藤本实验室和其他公司合作开发的无线供电轮毂电机系统，其中ROHM的SiC功率模块提供了高效、紧凑、高功率和高可靠性的特性。
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内置SiC肖特基势垒二极管的RGWxx65C系列混合IGBT
该资料介绍了ROHM公司推出的新型混合IGBT器件，包括RGWxx65C系列，该系列器件集成了SiC肖特基势垒二极管，适用于交错 Totem Pole PFC（双向车载充电器）应用。资料详细描述了这些器件的开关特性、效率、成本效益以及在不同应用中的优势，如车辆充电器、汽车DC/DC转换器、光伏逆变器和不间断电源等。此外，还提供了不同封装类型和型号的详细规格参数，包括耐压、集电极电流、导通损耗等关键性能指标。
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ROHM‘s New Hybrid IGBTs with Built-In SiC Diode Reduce Loss by 67% VS. Conventional IGBTs
ROHM developed Hybrid IGBTs with integrated 650V SiC Schottky barrier diode, the RGWxx65C series (RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR, RGW00TS65CHR). The devices are qualified under the AEC-Q101 automotive reliability standard. They are ideal for automotive and industrial applications that handle large power, such as photovoltaic power conditioners, onboard chargers, and DC/DC converters used in electric and electrified vehicles (xEV).
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【产品】ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）RGWxx65C系列
ROHM开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT(Hybrid IGBT)“RGWxx65C系列”，且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101”，损耗比以往IGBT产品低67%，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗。
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【经验】ROHM解析SiC MOSFET栅极-源极电压产生的浪涌
近年来，SiC MOSFET被越来越多地用于电源和电力线路中的开关应用，SiC MOSFET工作速度非常快，快到已经无法忽略由于SiC MOSFET其自身封装电感和外围电路布线电感带来的影响。本文中ROHM将具体解析SiC MOSFET栅极-源极电压产生的浪涌。
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【经验】SiC MOSFET桥式电路的开关产生的电流和电压
本文ROHM将介绍在SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)开关动作中，SiC MOSFET的VDS和ID的变化会产生什么样的电流和电压。
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【经验】SiC MOSFET桥式结构中栅极-源极电压的动作之桥式结构介绍
本文中，ROHM对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行讲解，以在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路为例进行介绍。希望通过本文让读者大致了解这种SiC MOSFET桥式电路的工作、以及电压和电流的波形。
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ROHM Gen4 SiC MOSFET解决方案
Rohm公司发布第四代碳化硅（SiC）MOSFET解决方案，包括1200V SiC MOSFET。该产品采用 trench gate 结构，实现业界最佳性能，降低导通电阻，提高开关性能，减少开关损耗。目前处于量产阶段，并计划开发下一代产品。
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ROHM IGBT产品
ROHM公司提供全面的功率器件产品线，包括硅基和碳化硅(SiC)器件。产品涵盖功率器件、模块、IC和智能功率模块。主要产品包括SiC二极管、MOSFET、IGBT、混合MOS、超结MOSFET、FRD、肖特基二极管、分流电阻IC、栅极驱动器和温度/高压监控器。资料中详细介绍了ROHM的IGBT产品路线图、封装路线图、产能计划和产品推荐。
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【经验】简析Sic MOSFET相对于IGBT器件的三个优势：低导通损耗、低开关损耗、高驱动电压条件下更低导通电阻
ROHM的SCT2080KEHR是1200V，导通电阻是80mΩ，电流40A，封装TO-247-3的车规级SiC MOSFET，驱动电压范围VGSS在 -6V~+22V，驱动范围比较窄。本文以CT2080KEHR为例，对比市场通用的1200V/40A的TO-247-3的IGBT单管，说明Sic MOSFET在导通损耗和开关损耗上更具优势。
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【经验】以SCT3040KR为例说明SiC MOSFET的Vgs尖峰可通过SBD和MOSFET的设计来进行抑制
SiC MOSFET的Vgs尖峰是影响SiC MOSFET设计的痛点。尖峰抑制得好，将提升产品应用的可靠性。本文中以参考设计的原理图为基础，采用抑制的MOSFET（Q53）和钳位SBD（D55和D56）来实现SiC MOSFET设计的尖峰抑制，并给出相关抑制波形图说明实际效果。
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【经验】如何通过增加栅极电容的方式减缓SiC MOSFET 的米勒效应
SiC MOSFET 同Si 基MOSFET和IGBT一样，由于存在米勒电容，都会有米勒效应的存在。由于SiC材料所带来的优势，SiC MOSFET可以工作在更高开关频率下，这样就会面临更严峻的误触发现象。所以在驱动电路设计中需要增加相关设计，使之能够较为有效地避免误触发。本文将主要介绍增加栅极电容的方式。
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