74LVC2G125GM Chemical content
发布时间:
2019-04-09
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74LVC2G125GM; 9352 772 14125
本数据手册详细介绍了74LVC2G125GM元器件的化学成分、封装信息及材料组成等关键参数。资料涵盖了该器件在环保处理方面的具体要求,包括无铅焊接、MPPT处理、MSL等级以及Pb-free焊接等标准,并提供了各成分的CAS编号、质量百分比及总产品重量等详细数据。该资料旨在为用户提供准确的物料信息,以符合相关环保法规及制造工艺需求,但文中注明所有内容仅供参考,Nexperia不对信息的准确性或完整性提供保证。针对文中所述器件,Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G125双总线缓冲器/线路驱动器;3状态产品数据表
Rev. 16
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC2G125GM
2020/03/15
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC2G125GM
2018/09/28
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化学成分74LVC2G125GM
2017/12/28
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双总线缓冲器/线路驱动器;3状态
Rev. 15
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双总线缓冲器/线路驱动器;3状态
Rev. 2
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| 技术文档 - 英文 |
NXP 74LVC2G66演示板演示了使用双SPST模拟开关快速切换高频信号
August 2010
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74LVC2G125双总线缓冲器/线路驱动器;3-状态
Rev. 17
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74LVC2G125-Q100双总线缓冲器/线路驱动器;3状态产品数据表
Rev. 4
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74LVC2G125-Q100双总线缓冲器/线路驱动器;3状态产品数据表
Rev. 3
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC2G125GM
2018/09/28
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中国RoHS 74LVC2G125GM
2017/12/28
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74LVC2G125GM中国RoHS
2018/04/26
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74LVC2G02双路2输入或非门
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC2G125GN
2018/09/28
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中国RoHS 74LVC2G125GN
2018/03/07
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74LVC2G74单D型触发器,带设置和复位;正边缘触发器产品数据表
Rev. 12
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G74单D型触发器,具有置位和复位功能;正沿触发
Rev. 13
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中国RoHS 74LVC2G125GF
2018/09/28
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中国RoHS 74LVC2G125GF
2017/12/28
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G53 2通道模拟多路复用器/解复用器产品数据表
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC2G125GD
2018/04/28
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中国RoHS 74LVC2G125GD
2018/03/09
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74LVC2G53产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74LVC2G125GN
Version 4
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化学成分74LVC2G125GN
2018/09/28
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化学成分74LVC2G125GN
2018/03/07
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74LVC2G02;双路2输入或非门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G04双逆变器
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC2G125GF中国RoHS
2018/04/26
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2GU04双无缓冲逆变器产品数据表
Rev. 13
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74LVC2GU04双无缓冲逆变器产品数据表
Rev. 11
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC2G125GN中国RoHS
2018/04/26
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74LVC2G32双通道2输入或门产品数据手册
Rev. 14
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G241双缓冲器/线路驱动器;3状态产品数据表
Rev. 15
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC2G125GS
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC2G125GS
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G04双逆变器产品数据表
Rev. 12
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74LVC2G125DP
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74LVC2G125DP
2018/03/07
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| 数据手册 - 英文 |
74LVC2G74;具有置位和复位功能的单D型触发器正沿触发产品数据手册
Rev. 14
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| 测试报告 - 英文 |
74LVC2G125DP中国RoHS
2018/04/26
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化学成分74LVC2G125GT
2019/05/25
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化学成分74LVC2G125GT
Version 21
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化学成分74LVC2G125GT
2018/09/28
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化学成分74LVC2G125GT
2018/03/07
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74LVC2GU04双通道无缓冲反相器
Rev. 12
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世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
通过低压逻辑迷宫进行分类
本文介绍了Nexperia公司(原NXP Standard Product业务)的转型,并详细阐述了低电压逻辑电路的设计和应用。文章首先概述了Nexperia公司的成立和品牌变更,随后深入探讨了低电压逻辑电路的特点、选择标准、与ASIC或FPGA的比较、小型封装技术、混合电压系统、热插拔技术以及数字低电压总线开关的应用。文章还提供了不同逻辑家族的特性和应用场景,并强调了逻辑电路在高速、低功耗、混合电压和热插拔等领域的应用价值。
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功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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