China RoHS HEF4094BTT-Q100
发布时间:
2019-04-09
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
HEF4094BTT-Q100
本环保信息报告详细介绍了HEF4094BTT-Q100元器件的合规性情况,重点阐述了该部件中所有均质材料的有毒有害物质含量数据。报告依据SJ/T11363-2006标准进行严格评估,结果显示,该部件中铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯和多溴二苯醚等关键有害物质的含量均低于标准规定的限值,符合环保要求。此外,恩智浦公司声明该产品具有50年的环保使用期限,并对报告信息的准确性承担全部责任。针对文中所述器件,恩智浦在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请、批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4094B 8级移位和存储寄存器产品数据表
Rev. 13
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS HEF4094BTT-Q100
2019/01/08
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中国RoHS HEF4094BTT-Q100
2018/09/06
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中国RoHS HEF4094BTT-Q100
2018/04/25
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中国RoHS HEF4094BTT-Q100
2018/03/06
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| 数据手册 - 英文 |
HEF4094B;8级移位存储寄存器产品数据手册
Rev. 14
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HEF4094B-Q100 8级移位和存储寄存器产品数据表
Rev. 5
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HEF4094B-Q100 8级移位和存储寄存器产品数据表
Rev. 4
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化学成分HEF4094BTT-Q100
2019/02/27
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化学成分HEF4094BTT-Q100
2019/01/08
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化学成分HEF4094BTT-Q100
2018/09/06
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化学成分HEF4094BTT-Q100
2018/04/25
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化学成分HEF4094BTT-Q100
2018/03/06
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中国RoHS HEF4094BTT
2018/09/29
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中国RoHS HEF4094BTT
2018/04/26
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中国RoHS HEF4094BTT
2018/03/07
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化学成分HEF4094BTT
2018/09/29
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化学成分HEF4094BTT
2018/04/26
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化学成分HEF4094BTT
2018/03/07
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中国RoHS HEF4094BT
2018/09/29
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中国RoHS HEF4094BT
2018/04/26
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中国RoHS HEF4094BT
2018/03/07
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化学成分HEF4094BT
2020/03/15
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化学成分HEF4094BT
2018/09/29
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化学成分HEF4094BT
2018/04/26
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化学成分HEF4094BT
2018/03/07
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中国RoHS HEF4094BTS
2018/09/29
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中国RoHS HEF4094BTS
2018/04/26
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中国RoHS HEF4094BTS
2018/03/10
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中国RoHS HEF4094BT-Q100
2019/01/08
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中国RoHS HEF4094BT-Q100
2018/09/06
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中国RoHS HEF4094BT-Q100
2018/04/25
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中国RoHS HEF4094BT-Q100
2018/03/06
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化学成分HEF4094BTS
2018/09/29
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化学成分HEF4094BTS
2018/04/26
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化学成分HEF4094BTS
2018/03/10
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化学成分HEF4094BT-Q100
2019/01/08
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化学成分HEF4094BT-Q100
2018/09/06
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化学成分HEF4094BT-Q100
2018/04/25
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化学成分HEF4094BT-Q100
2018/03/06
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SOD110陶瓷,非常小的陶瓷矩形表面贴装封装;2个引脚;2毫米x1.25毫米x1.6毫米的封装体 2025年1月29日 封装信息
29 January 2025
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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