IDT70V7339S HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
发布时间：
2019-04-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT70V7339S; XXXXXA999AAAA; 70V7339BF; IDT70V7339; 70V7339BC; 70V7339S200BFGI; 70V7339S200BFGI8; 70V7339S200; 70V7339S200BFG; 70V7339S200BFG8; 70V7339S; 70V7339S166; 70V7339S133
加工定制
可定制2512KL、2512KT、2512KB、2512KH、2482L系列；粘度：3000~20万；硬度：30~40A；表干时间：5~15min；固化速度：2.4mm/24H；粘接强度：1.2~1.7Mpa；
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可定制电感最大电流100A，尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm，工作频率100KHZ ~ 2MHZ，感值范围：0.15 ~ 100uh；支持大功率电感，扁平线电感，大电流电感，高频电感，汽车电感器，车规电感，一体成型电感等定制。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V7339S
AUGUST 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品停产通知（PDN）F-08-01
Rev. 02
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-05
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7339S高速3.3V 512K x 18同步组可切换双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0802-02
REV. 00
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IDT7037L HIGH-SPEED 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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| 技术文档 - 英文 |
ATM的逆复用IDT82V2604
Version - 4
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IDT7019L高速128K x 9双端口静态RAM数据表
OCTOBER 2017
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| 技术文档 - 英文 |
EEPROM可编程2.5V可编程斜交PLL差分时钟驱动器
NOVEMBER 2004
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| 数据手册 - 英文 |
70V18L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
DECEMBER 2017
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| 技术文档 - 英文 |
用于ATM的IDT82V2608反向复用
Version - 4
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IDT7037L高速32K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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70V18L高速3.3V 64K x 9双端口静态RAM数据表
DECEMBER 2017
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7035L高速8K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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| 技术文档 - 英文 |
多端口存储器产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7034S/L高速4K x 18双端口静态RAM
MAY 2018
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IDT7038L HIGH-SPEED64K x 18 DUAL-PORTSTATIC RAM
JUNE 2018
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70V09L高速3.3V 128K x 8双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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IDT7028L HIGH-SPEED64K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
70V38L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/21/19
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70V38L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/21/19
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| 数据手册 - 英文 |
7009L HIGH-SPEED 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
05/06/19
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| 数据手册 - 英文 |
70V09L HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
06/18/19
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70V37L HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/20/19
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70V37L HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/20/19
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70T3509M高速2.5V 1024K x 36同步双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
OCTOBER 2019
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| 数据手册 - 英文 |
7016L HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
MAY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V37L高速3.3V 32K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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| 数据手册 - 英文 |
7015L高速8K x 9双端口静态RAM数据表
MAY 2019
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7009L高速128K x 8双端口静态RAM产品介绍
MAY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V08L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
05/30/19
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7005S/L高速8K x 8双端口静态RAM数据表
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7054S/L HIGH-SPEED4K x 8 FourPortTMSTATIC RAM
JULY 2018
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IDT70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2015
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V7599S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2019
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70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
06/26/19
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IDT7035S/L HIGH-SPEED8K x 18 DUAL-PORTSTATIC RAM
MAY 2018
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IDT7052S/L HIGH-SPEED2K x 8 FourPortTMSTATIC RAM
JUNE 2018
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IDT70V639S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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70V07S/L高速3.3V 32K x 8双端口静态RAM数据表
JULY 2019
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70T3509M High-Speed 2.5V 1024K x 36 Synchronous Dual-Port Static RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
OCTOBER 2019
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70T3509M HIGH-SPEED 2.5V 1024K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
07/09/19
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
银行可切换双端口常见问题应用说明
本文介绍了银行切换双端口（BSDP）技术，这是一种创新的内存解决方案，允许从两个独立端口同时访问公共内存，具有比传统双端口更高的存储密度和更低的每比特成本。BSDP通过使用SRAM核心内存架构和额外的内部逻辑，而不是更复杂的传统双端口架构，支持更大的内存阵列。文章还比较了BSDP与传统双端口SRAM的差异，以及BSDP与多路复用SRAM解决方案的区别。此外，还讨论了IDT支持的BSDP解决方案的类型、封装选项以及银行仲裁的控制方式。
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银行可切换双端口常见问题应用说明AN-306
本文介绍了银行切换双端口（BSDP）技术，这是一种创新的内存解决方案，允许从两个独立端口同时访问公共内存，具有比传统双端口更高的存储密度和更低的每比特成本。BSDP通过使用SRAM核心内存架构和额外的内部逻辑，而不是更复杂的传统双端口架构，支持更大的内存阵列。文章还比较了BSDP与传统双端口SRAM的异同，讨论了BSDP的优势，包括性能提升、更小的板空间和更低的成本。此外，文章还讨论了IDT支持的BSDP解决方案的类型和包装选项。
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【产品】3.3V高速512K x 18位同步储存块可切换双端口RAM IDT70V7339S，提供208脚fpBGA封装
瑞萨电子公司（Renesas）的全资子公司IDT推出IDT70V7339S是3.3V, 高速512K x 18位同步储存块可切换双端口 RAM， 分为64个独立的8Kx18存储区。该器件具有两个独立的端口，每个端口具有单独的控制，地址和I / O引脚，从而允许每个端口访问另一个端口尚未访问的任何8Kx18存储模块。通过用户直接控制下的存储区地址引脚，可以控制端口对特定存储区的访问。
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IDT82V3395双同步以太网卡PLL产品简介
IDT82V3395是一款双同步以太网线路卡锁相环（PLL）芯片，适用于同步以太网（SyncE）、蜂窝和WLL基站（GSM和3G网络）、1吉比特和10吉比特以太网应用。该芯片采用PLL架构，集成两个DPLL，支持可编程DPLL带宽，提供多种输出时钟频率，支持PECL/LVDS和CMOS输入/输出技术，适用于1吉比特和10吉比特以太网、BITS/SSU、SMC/SEC（SONET/SDH）、DWDM交叉连接和传输设备等。
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