IDT70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
发布时间：
2019-04-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT70V7519S; IDT70V7519; 70V7519BF; 70V7519BC; 70V7519DR; XXXXXA999AAAA; 70V7519; 70V7519S200BFGI; 70V7519S200; 70V7519S200BFG; 70V7519S; 70V7519S166; 70V7519S133
加工定制
励知可定制高达36层PCB，适用FR4、无卤、PI及Rogers等高频材料。具备3mil/3mil精细线路、8mil钻孔及16:1厚径比能力，提供化学沉金、镀硬金等超10种表面处理与7种阻焊颜色，并支持高频混压、背钻、埋阻容等特殊工艺。
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可定制B-Flon高频同轴电缆的温度-40~105℃、尺寸长度，采用导体规格：AWG28~36，减衰量：1GHz-6GHz/1.4-8.5db/m，阻燃UL:VW-1规格。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V7519S
JUNE 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0710-02 IDT49C465APQF产品/工艺变更通知单
14-Dec-2007
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-05
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S高速3.3V 256K x 36同步组可切换双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
NOVEMBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A1207-05产品/工艺变更通知（PCN）
August 3, 2012
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-04
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/01/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0802-02
REV. 00
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| 技术文档 - 英文 |
ATM的逆复用IDT82V2604
Version - 4
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7037L HIGH-SPEED 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-01 PQFP包
REV. 00
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| 技术文档 - 英文 |
用于ATM的IDT82V2608反向复用
Version - 4
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7019L高速128K x 9双端口静态RAM数据表
OCTOBER 2017
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| 技术文档 - 英文 |
EEPROM可编程2.5V可编程斜交PLL差分时钟驱动器
NOVEMBER 2004
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| 数据手册 - 英文 |
70V18L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
DECEMBER 2017
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7037L高速32K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
70V18L高速3.3V 64K x 9双端口静态RAM数据表
DECEMBER 2017
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| 数据手册 - 英文 |
7035L高速8K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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| 技术文档 - 英文 |
多端口存储器产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7034S/L高速4K x 18双端口静态RAM
MAY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7038L HIGH-SPEED64K x 18 DUAL-PORTSTATIC RAM
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
70V09L高速3.3V 128K x 8双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7028L HIGH-SPEED64K x 16 DUAL-PORTSTATIC RAM
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
70V38L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/21/19
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| 数据手册 - 英文 |
70V38L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/21/19
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| 数据手册 - 英文 |
70V09L HIGH-SPEED 3.3V 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
06/18/19
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| 数据手册 - 英文 |
70V37L HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/20/19
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| 数据手册 - 英文 |
70V37L HIGH-SPEED 3.3V 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
06/20/19
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| 数据手册 - 英文 |
7009L HIGH-SPEED 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
05/06/19
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| 数据手册 - 英文 |
70T3509M高速2.5V 1024K x 36同步双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
OCTOBER 2019
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| 数据手册 - 英文 |
7016L HIGH-SPEED 16K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
MAY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V37L高速3.3V 32K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V08L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
05/30/19
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| 数据手册 - 英文 |
7009L高速128K x 8双端口静态RAM产品介绍
MAY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
7015L高速8K x 9双端口静态RAM数据表
MAY 2019
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7005S/L高速8K x 8双端口静态RAM数据表
MARCH 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V7599S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7054S/L HIGH-SPEED4K x 8 FourPortTMSTATIC RAM
JULY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V28L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
06/26/19
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7035S/L HIGH-SPEED8K x 18 DUAL-PORTSTATIC RAM
MAY 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7052S/L HIGH-SPEED2K x 8 FourPortTMSTATIC RAM
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V7339S HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
JUNE 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT70V639S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
银行可切换双端口常见问题应用说明
本文介绍了银行切换双端口（BSDP）技术，这是一种创新的内存解决方案，允许从两个独立端口同时访问公共内存，具有比传统双端口更高的存储密度和更低的每比特成本。BSDP通过使用SRAM核心内存架构和额外的内部逻辑，而不是更复杂的传统双端口架构，支持更大的内存阵列。文章还比较了BSDP与传统双端口SRAM的差异，以及BSDP与多路复用SRAM解决方案的区别。此外，还讨论了IDT支持的BSDP解决方案的类型、封装选项以及银行仲裁的控制方式。
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银行可切换双端口常见问题应用说明AN-306
本文介绍了银行切换双端口（BSDP）技术，这是一种创新的内存解决方案，允许从两个独立端口同时访问公共内存，具有比传统双端口更高的存储密度和更低的每比特成本。BSDP通过使用SRAM核心内存架构和额外的内部逻辑，而不是更复杂的传统双端口架构，支持更大的内存阵列。文章还比较了BSDP与传统双端口SRAM的异同，讨论了BSDP的优势，包括性能提升、更小的板空间和更低的成本。此外，文章还讨论了IDT支持的BSDP解决方案的类型和包装选项。
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IDT82V3395双同步以太网卡PLL产品简介
IDT82V3395是一款双同步以太网线路卡锁相环（PLL）芯片，适用于同步以太网（SyncE）、蜂窝和WLL基站（GSM和3G网络）、1吉比特和10吉比特以太网应用。该芯片采用PLL架构，集成两个DPLL，支持可编程DPLL带宽，提供多种输出时钟频率，支持PECL/LVDS和CMOS输入/输出技术，适用于1吉比特和10吉比特以太网、BITS/SSU、SMC/SEC（SONET/SDH）、DWDM交叉连接和传输设备等。
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