IDT70V3599/89S HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
发布时间：
2019-04-09
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
IDT（艾迪悌）
型号：
IDT70V3599; IDT70V3589S; XXXXXA999AAAA; IDT70V3589; 70V3599; 70V3589BF; 70V3589BC; 70V3589DR; 70V3599S166BFGI; 70V3599S166; 70V3599S166BFG; 70V3589S166; IDT70V3599
S; 70V3599BF; 70V3599BC; 70V3599DR; 70V3599S; 70V3599S133; 70V3589S; 70V3589S133; 70V3589
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE IDT70V3599/89S
OCTOBER 2014
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0710-02 IDT49C465APQF产品/工艺变更通知单
14-Dec-2007
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-05
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V3599/89S HIGH-SPEED 3.3V 128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/05/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A1207-05产品/工艺变更通知（PCN）
August 3, 2012
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| 产品勘误说明 - 英文 |
勘误表-01-04
Revision 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V3569S HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36SYNCHRONOUS PIPELINEDDUAL-PORT STATIC RAMWITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
AUGUST 2019
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| 数据手册 - 英文 |
70V3569S HIGH-SPEED 3.3V 16K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
AUGUST 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0402-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7037L HIGH-SPEED 32K x 18 DUAL-PORT STATIC RAM
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0802-02
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7019L高速128K x 9双端口静态RAM数据表
OCTOBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-02
REV. 00
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| 技术文档 - 英文 |
多端口存储器产品
REVA
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| 数据手册 - 英文 |
70V18L HIGH-SPEED 3.3V 64K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM
DECEMBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0506-01 PQFP包
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V7519S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
11/01/19
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0704-02产品质量产品/工艺变更通知单（PCN）
9/19/2007
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7037L高速32K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2018
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）A-0607-05
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
70V18L高速3.3V 64K x 9双端口静态RAM数据表
DECEMBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知单（PCN）SM-0112-03
REV. 00
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| 数据手册 - 英文 |
7035L高速8K x 18双端口静态RAM数据表
JUNE 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
IDT10206-PL84-ASM产品/工艺变更通知（PCN）
21-Mar-2006
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| 技术文档 - 英文 |
ATM的逆复用IDT82V2604
Version - 4
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| 数据手册 - 英文 |
HIGH-SPEED 3.3V 8/4K x 18 DUAL-PORT 8/4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM IDT70V35/34S/L IDT70V25/24S/L
NOVEMBER 2017
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A-0403-03 BGA封装系列
REV. 00
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| 技术文档 - 英文 |
EEPROM可编程2.5V可编程斜交PLL差分时钟驱动器
NOVEMBER 2004
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| 数据手册 - 英文 |
70V25/24S/L 8/4K x 18 DUAL-PORT 70V35/34S/L 8/4K x 16 DUAL-PORT HIGH-SPEED 3.3V STATIC RAM
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品/工艺变更通知（PCN）A0610-01R2
REV. 00
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| 技术文档 - 英文 |
用于ATM的IDT82V2608反向复用
Version - 4
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| 数据手册 - 英文 |
70V7599S高速3.3V 128K x 36同步组可切换双端口静态RAM，带3.3V或2.5V接口数据表
OCTOBER 2019
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
A0610-01R1产品/工艺变更通知单（PCN）
March 2, 2007
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 型号命名规则 - 英文 |
陶瓷5x7设备的默认频率和VCXO拉距订购信息订购信息
OCTOBER 30, 2018
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| 数据手册 - 英文 |
IDT7034S/L高速4K x 18双端口静态RAM
MAY 2018
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技术论坛
对于IDT，什么是多端口设备的IBIS，HSPICE，Verilog和VHDL模型？
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应用/方案
双端口电源讨论应用说明
本文讨论了双端口高I/O计数设备上的功耗，主要针对IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389等同步32K x 36双端口系列。文章分析了功耗增加的原因，包括速度提升、宽度增加和内部数据总线扩展。此外，还讨论了温度对电流的影响、核心电流与I/O电流的差异、功率损耗计算公式以及不同情况下的功耗。最后，提出了降低功耗的措施，如避免过大的电容负载、保持VDD/VDDQ在3.3V或以下，并确保适当的去耦策略。
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双端口电源讨论应用说明
本文讨论了双端口高I/O计数设备上的功耗，主要针对IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389等同步32K x 36双端口系列。文章分析了功耗增加的原因，包括运行速度、宽度和内部数据总线的变化。此外，还讨论了核心电流与I/O电流的差异，以及不同操作模式下的功耗计算方法。最后，提出了降低功耗的建议，如避免过大的电容负载、保持VDD/VDDQ在3.3V或以下，并确保适当的去耦策略。
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双端口电源讨论应用说明AN-255
本文讨论了IDT公司同步32K x 36双端口存储器系列（包括IDT70V3579、IDT70V3569、IDT70V3379和IDT70V3389）的功耗问题。文章详细分析了该系列器件的动态工作电流（IDD）以及I/O总线功耗，并探讨了温度对电流的影响。文章还提供了功耗计算公式，并分析了不同工作模式下的功耗情况。最后，文章提出了降低功耗的建议，包括减少电容负载、保持电源电压在合理范围内以及确保适当的去耦策略。
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【产品】高速8/4Kx18（8/4Kx16）位双端口静态RAM 70V35/34S/L（70V25/24S/L）
IDT（Renesas收购）推出的IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）是高速8 / 4K x 18（8 / 4Kx16）位双端口静态RAM。IDT70V35 / 34（IDT70V25 / 24）可用作独立的双端口RAM或结合使用MASTER / SLAVE双端口RAM，用于36位（32位）或更多位系统，可以实现全速、无错误的操作，而不需要额外的离散逻辑。
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【产品】3.3V高速32K x 36位同步双端口静态RAM 70V3579S，支持3.3V或2.5V工作电压
IDT（Renesas收购）推出的70V3579S是3.3V高速32K x 36同步双端口静态RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。
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【产品】高速16K x 36 位同步双端口RAM 70V3569，核心电源VDD为3.3V
IDT（Renesas收购）推出的70V3569 是一个高速的16K x 36 位同步双端口RAM，已为具有单向或双向数据流的应用程序进行了优化。自动断电功能由CE0和CE1控制，以允许每个端口的片上电路进入一个非常低的待机功耗模式。70V3569可以在一个或两个端口上支持3.3V或2.5V的工作电压，由OPT引脚控制。该装置的核心电源(VDD)为3.3V。
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同步双端口sram应用中最常见的问题
本文详细介绍了同步双端口SRAM（Synchronous Dual-Port SRAM）的相关知识，包括其定义、工作原理、不同模式（流水线模式和直通模式）的比较、常见问题解答、应用场景等。文章还涉及了设备配置、引脚配置、深度和宽度扩展、特殊布局考虑因素、与FIFO的比较等内容，旨在帮助读者全面了解同步双端口SRAM的设计和应用。
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关于同步双端口SRAMS应用的最常见问题注释AN-254
本文档为IDT公司发布的关于同步双端口SRAM的应用笔记，主要内容包括同步双端口SRAM的定义、工作原理、不同模式（流水线模式和直通模式）的比较、常见问题解答、引脚配置、深度和宽度扩展方法、与FIFO的比较以及应用领域等。文档旨在帮助读者了解同步双端口SRAM的特点和优势，并指导其在实际应用中的使用。
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IDT82V3395双同步以太网卡PLL产品简介
IDT82V3395是一款双同步以太网线路卡锁相环（PLL）芯片，适用于同步以太网（SyncE）、蜂窝和WLL基站（GSM和3G网络）、1吉比特和10吉比特以太网应用。该芯片采用PLL架构，集成两个DPLL，支持可编程DPLL带宽，提供多种输出时钟频率，支持PECL/LVDS和CMOS输入/输出技术，适用于1吉比特和10吉比特以太网、BITS/SSU、SMC/SEC（SONET/SDH）、DWDM交叉连接和传输设备等。
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多端口存储器产品
本资料介绍了Integrated Device Technology（IDT）的多端口存储器产品，包括异步和同步双端口、四端口和可切换双端口存储器。这些产品适用于通信市场，包括交换机、路由器、集线器、光纤通道线卡和RAID控制器。资料详细介绍了异步双端口RAM的优势，如增加带宽、减少设计复杂性、缩短上市时间等。此外，还提供了不同型号的多端口存储器的详细规格，包括核心电压、总线宽度、密度、封装代码、I/O类型、访问时间和温度范围等。
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用于DSP和通信应用的同步双端口静态ram应用说明AN-144
本文介绍了同步双端口静态随机存取存储器（SDPRAM）在数字信号处理（DSP）和通信应用中的技术特点和应用。文章详细阐述了SDPRAM的同步、顺序、流水线、直通等不同工作模式，以及它们在带宽、设计简易性、板级空间和成本节约等方面的优势。同时，文章还介绍了IDT公司提供的多种SDPRAM产品，并展示了其在便携式电话基站等实际应用中的性能表现。
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用于DSP和通信应用的同步双端口静态ram
本文介绍了同步双端口静态随机存取存储器（SDPRAM）在数字信号处理（DSP）和通信应用中的使用。文章详细讨论了SDPRAM的特点，包括同时访问能力、同步和异步接口、以及流水线和直通输出选项。文章还介绍了IDT公司的一系列SDPRAM产品，包括SARAM、70914和709149，并比较了它们的性能和适用场景。此外，文章还讨论了SDPRAM在便携式电话基站和8通道卡等应用中的使用案例，以及SDPRAM在满足高带宽系统需求方面的优势。
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