Central Semiconductor（中央半导体）CP373晶圆工艺停产通知(PCN#167)
发布时间：
2019-04-09
类型：
产品变更通知及停产信息，PCN通知、停产通告
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CP373; CP398X; CP373-CMPDM303NH-CT; CP373-CTLDM303N-WN; CTLDM303N-M832DS; CEN1233
本产品变更通知详细阐述了Central Semiconductor（中央半导体）发布的PCN #167，正式宣布CP373晶圆工艺已停产，并将全面替换为CP398X晶圆工艺。此次工艺变更旨在提升制造工艺控制水平及设备性能，同时确保产品未来的供应连续性。资料明确指出，全新的CP398X晶圆工艺完全符合所有受影响器件的电规格要求，涉及变更的器件型号包括CEN1233、CP373-CMPDM303NH-CT、CP373-CTLDM303N-WN以及CTLDM303N-M832DS等。目前，现有库存的CP373晶圆工艺产品将继续销售，直至库存耗尽。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该停产通知，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关产品支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CBRDFA4-100 TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRDFA4-100 |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | full wave bridge rectifier mounted in a durable epoxysurface mount case, utilizing glass passivated chips |
| 封装/外壳/尺寸 | BR DFN-A |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 1 kV |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 0.16666666666666666 |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1 V @ 4 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供CBRDFA4-100 TR13 PBFREE在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 在线购买 >>
世强硬创平台提供CBRDFA4-100 TR13 PBFREE样品申请服务，支持工程师在研发初期快速获取器件用于功能验证与兼容性测试；样品将由原厂审核，世强协助申请，物流全程可追踪，助力加速原型开发与方案选型。
CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 样品申请 >>
世强硬创平台提供CBRDFA4-100 TR13 PBFREE批量询价服务，提交产品信息、目标用量后，专属商务团队将在1个工作日内向原厂争取最优批量价格。
CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 批量询价 >>
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CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 交期查询 >>
世强硬创平台提供CBRDFA4-100 TR13 PBFREE期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
CBRDFA4-100 TR13 PBFREE 期货订购 >>
| 订货型号 | CP792V-CMPT3906-CT |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CP792V-CMPT3906, CP792V |
| 品类 | 晶体管 |
| 描述/说明 | 40V,200mA,350mW Bare die,11.024 X 11.024 mils,Transistor-Small Signal (<=1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 400 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Die Size | 11 x 11 MILS |
| Die Thickness | 7.1 MILS |
| Base Bonding Pad Area | 3.7 x 3.7 MILS |
| Emitter Bonding Pad Area | 3.7 x 3.7 MILS |
| Top Side Metalization | Al - 30,000Å |
| Back Side Metalization | Au - 18,000Å |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
世强硬创平台提供CP792V-CMPT3906-CT在线购买服务，支持单件起订、小批量试产，世强仓现货0，交期透明。下单后自动进入标准化交付流程，物流全程可追踪，适用于研发打样、功能验证及小批量试产需求。
CP792V-CMPT3906-CT 在线购买 >>
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CP792V-CMPT3906-CT 样品申请 >>
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CP792V-CMPT3906-CT 批量询价 >>
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CP792V-CMPT3906-CT 交期查询 >>
世强硬创平台提供CP792V-CMPT3906-CT期货订购服务，可提前预定产能；签订期货协议后，平台将按约定时间节点保障交付，降低供应链中断风险。
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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加工定制
提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制，语音时长：40秒~3小时（外挂flash），可以外挂TF卡或U盘扩容。
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可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP373 MOSFET TransistorN-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
10-October 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP373 MOSFET TransistorN-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
10-October 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP373 MOSFET Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
10-October 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP373 MOSFET Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
10-October 2012
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| 数据手册 - 英文 |
PROCESS CP373 MOSFET Transistor N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Chip
R1
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| 测试报告 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） TLM3D6D8 材质分析表
2012年10月11日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CP373晶圆工艺正在停产，现在被归类为寿命终止（EOL）。替换晶圆工艺为CP398X（PDN01124）
REV 002
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| 封装信息/封装结构图 - 英文 |
工艺cp373mosfet晶体管N沟道增强型MOSFET芯片
R1
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| 测试报告 - 英文 |
工艺cp773mosfet晶体管P沟道增强型MOSFET芯片
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） 以TLM832DS封装制造的产品通产通知（PDN01077）
REV 002
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| 测试报告 - 英文 |
工艺CP764X小信号MOSFET晶体管P沟道增强型晶体管芯片
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS表面贴装双N沟道增强型硅MOSFET
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS表面贴装双N沟道增强型硅MOSFET
REV 002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS表面贴装双N沟道增强型硅MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS表面贴装双N沟道增强型硅MOSFET
R2
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| 技术文档 - 英文 |
今天的电源管理需要新的中功率MOSFET
2017/10/01
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒
2018/07/23
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒
2018/07/23
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| 数据手册 - 英文 |
CTLSH1-50M832DS表面贴装硅双，大电流低VF肖特基整流器
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLSH1-50M832DS表面贴装硅双，大电流低VF肖特基整流器
R2
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2019/05/27
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/07/30
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/07/14
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/07/02
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/05/19
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/04/12
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| 数据手册 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2017/10/05
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CP373-CTLDM303N-M832DS/CMPDM303NH数据手册
2016年07月01日
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM304P-M832DS表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
R1
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLDM304P-M832DS表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
REV 002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLDM304P-M832DS表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM304P-M832DS表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
R1
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| 数据手册 - 英文 |
TLM832DS CASE CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM7590表面贴装P沟增强型硅MOSFET
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLDM7590表面贴装P沟增强型硅MOSFET
REV 002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CTLDM7590表面贴装P沟增强型硅MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM7590表面贴装P沟增强型硅MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CTLDM303N-M832DS数据手册
2016年07月04日
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| 数据手册 - 英文 |
产品简介：TLM832DS封装中的CTLDM303N-M832DS（30V，3.6AN通道）CTLDM304P-M832DS（30V，4.2A P通道）双MOSFET
2017/01/14
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01006
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
8-October 2012
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
8-October 2012
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CTLDM303N-M832DS SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R2
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）所有TLM621&TLM621H封装的产品停产通知（PDN01096）
REV 002
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
MOSFETs JFETs
该资料提供了一系列MOSFET和JFET的详细规格信息，包括最大漏源电压、最大电流、导通电阻、栅极电荷、芯片尺寸、厚度以及金属化层等信息。资料中列出了多个产品型号，并提供了查看详细信息的链接。
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分立半导体样品盒介质功率MOSFET
Central Semiconductor提供的离散半导体样品套件，包含适用于高速脉冲放大器、驱动电路和电源管理应用的MOSFET器件。套件中包含多种型号的P沟道和N沟道MOSFET，涵盖不同的电压和电流规格，以及不同的封装类型。样品套件中的器件适用于不同的应用场景，并附有详细的技术数据表。
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【经验】一款经典的电源防反接电路分析以及元件推荐
实际项目中往往由于操作人员的疏忽大意，或者准备不充分导致设备的电源正负极接反的情况，尤其是卡件接线设备中，更容易发生此类事件。但是人无完人，是人就会出现疏忽，所以设计一款可以防止电源正负极反接的电路既能增强设备的建壮性，又可避免不必要的一些损失。本文针对一款比较经典的电源正负极防反接电路简要分析，并推荐一些合适器件，以飨读者。
阅读原文 >>
