Guidelines for Laying Out T3 and E3 Network Interfaces APPLICATION NOTE 3410
发布时间：
2019-04-09
类型：
应用笔记或设计指南，设计参考、应用指南
品牌：
Maxim（美信）
型号：
DS315x; DS3151; DS3152; DS3153; DS3154; DS3150; DS3170; DS3171; DS3172; DS3173; DS3174; DS3181; DS3182; DS3183; DS3184; DS3251; DS3252; DS3253; DS3254
本应用笔记详细阐述了Maxim T3/E3网络接口单元（LIU）的布局指南，并以DS315x产品系列为例进行了深入说明。资料重点涵盖了阻抗保持、关键布局考虑因素以及具体的布局示例，旨在指导工程师确保网络接口具备正确的阻抗特性与优异的性能表现。针对文中所述Maxim相关器件，在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。同时，平台配备专职FAE团队，为用户提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
DS3151/DS3152/DS3153/DS3154 Single/Dual/Triple/Quad DS3/E3/STS-1 LIUs
REV: 030607
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| 测试报告 - 英文 |
0.35μm特许工艺达拉斯半导体可靠性监测报告
07/29/2004
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| 测试报告 - 英文 |
0.35μm特许工艺达拉斯半导体可靠性监测报告
1/20/05
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3151/DS3152/DS3153/DS3154单/双/三/四DS3/E3/STS-1 LIUs勘误表
REV: 030807
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3151/DS3152/DS3153/DS3154单/双/三/四DS3/E3/STS-1 LIUs勘误表
REV: 040403
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3151/DS3152/DS3153/DS3154单/双/三/四DS3/E3/STS-1 LIUs勘误表
REV: 030807
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| 数据手册 - 英文 |
DS3171/DS3172/DS3173/DS3174单/双/三/四DS3/E3单芯片收发器
REV: 110206
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| 测试报告 - 英文 |
0.35μM特许工艺可靠性监控报告
11/03/2005
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| 数据手册 - 中文 |
DS3170DK DS3/E3 单芯片收发器开发板
REV: 091205
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| 数据手册 - 英文 |
DS3170 DS3/E3单片收发器
Rev 2
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| 测试报告 - 英文 |
DS3152产品可靠性报告，B1版本，Dallas Semiconductor
2/6/2007
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3171/DS3172/DS3173/DS3174单/双/三/四单片收发器勘误表
REV: 010305
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| 数据手册 - 英文 |
DS3150DK Demo Kit for the DS3150 DS3/E3/STS-1 LIU
2/5/02
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体公司DS3153 B1版产品可靠性报告
2/6/2007
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3150 3.3V T3/E3/STS-1线路接口单元勘误表
REV: 012907
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3150 3.3V T3/E3/STS-1线路接口单元勘误表
090302
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3150 3.3V T3/E3/STS-1线路接口单元勘误表
110101
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| 数据手册 - 英文 |
DS3150 3.3V, DS3/E3/STS-1 Line Interface Unit
REV: 071305
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| 测试报告 - 英文 |
DS3151产品可靠性报告，B1版，Dallas Semiconductor
2/6/2007
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| 产品勘误说明 - 英文 |
DS3150勘误表
Rev: 102507
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| 数据手册 - 英文 |
DS3146/DS3148/DS31412 6-/8-/12-Channel DS3/E3 Framers
REV: 071103
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| 测试报告 - 英文 |
DS3154产品可靠性报告，版本B1
2/6/2007
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| 数据手册 - 英文 |
DS3141/DS3142/DS3143/DS3144 Single/Dual/Triple/Quad DS3/E3 Framers
REV: 012003
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| 测试报告 - 英文 |
Maxim集成产品可靠性报告
Rev C1
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| 数据手册 - 英文 |
DS3161/DS3162/DS3163/DS3164 Single/Dual/Triple/Quad ATM/Packet PHYs for DS3/E3/STS-1
REV: 113006
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| 测试报告 - 英文 |
DS26556产品可靠性报告，版本A2 Maxim集成产品
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
DS34S132评估套件（评估：DS34S132）
Rev 0
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| 测试报告 - 英文 |
TQFP包的可靠性监视报告
7/20/2006
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| 数据手册 - 英文 |
DS31256 256通道高吞吐量HDLC控制器
REV: 012506
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| 测试报告 - 英文 |
DS26522 Maxim集成产品的产品可靠性报告
Rev B
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| 数据手册 - 英文 |
DS3112 TEMPE T3/E3 Multiplexer 3.3V T3/E3 Framer and M13/E13/G.747 Mux
REV : 092706
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| 测试报告 - 英文 |
达拉斯半导体可靠性监测报告
10/20/06
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| 数据手册 - 英文 |
DS3153DK Triple DS3/E3/STS-1 LIU演示套件数据表
REV: 111403
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| 测试报告 - 英文 |
BGA封装可靠性监测报告
8/2/05
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| 测试报告 - 英文 |
BGA封装可靠性监测报告
10/28/05
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| 数据手册 - 英文 |
DS3112RD DS3/E3 Multiplexer Reference Design
REV: 082103
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世强AI
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应用/方案
T3/E3/STS-1网络的冗余保护
本文探讨了T3/E3/STS-1网络接口的冗余保护方案。针对网络设备高可靠性需求，文章介绍了1:1保护和1:4保护两种冗余方案，并详细解释了如何使用Maxim的DS315x系列线接口单元（LIU）实现这些方案。文章重点阐述了使用功率分配器/组合器网络来切换线路卡，确保网络接口的连续性，并提供了相关电路图和元件清单。
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将Agere Ultramapper设备系列连接到Maxim T3/E3 LIUs
本应用笔记介绍了如何将Maxim的T3/E3线路接口单元（LIU）与Agere的Ultramapper设备家族连接。内容涵盖了T3/E3清晰通道、TransMUX以及Map/DeMap应用，并详细说明了如何配置Maxim的DS3150或DS315x系列LIU与Agere的UltramapperLite和Ultraframer设备进行连接。此外，还包括了不同应用场景下的配置方法和接口连接细节。
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使用Advantest R3132频谱分析仪测量回波损耗
本应用笔记介绍了使用Advantest R3132频谱分析仪测量反射损耗的基本操作步骤，适用于实验室环境。内容涵盖了反射损耗的要求、测量设置、频谱分析仪主要功能配置、跟踪发生器设置、轨迹控制设置以及测量反射损耗的具体步骤。笔记还提供了与测量相关的设备和技术参数。
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Engineering Journal 第四期:1-Wire技术及其应用概述/电信样板的测量与符合
本资料主要介绍了1-Wire技术及其应用，包括1-Wire网络的基本组成、数据传输方式、设备类型和接口电路等。资料中详细描述了1-Wire设备如DS2409、DS2406、DS2423等的功能和特性，以及如何通过1-Wire网络进行数据通信和设备控制。此外，还涉及了1-Wire技术在温度传感器、湿度传感器等领域的应用实例。
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连接Agere Supermapper™ 达拉斯T3 LIUs设备系列申请说明3263
本应用笔记介绍了如何将Maxim的T3/E3线路接口单元（LIU）与Agere的Supermapper™设备系列连接。内容涵盖了T3 Clear-Channel、T3 TransMUX以及T3和T1/E1的Map/DeMap应用。详细说明了如何配置Dallas DS3150或DS315x系列T3 LIU与Agere SupermapperLite和Supermapper之间的连接，并提供了相应的配置图和寄存器设置信息。
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T3/E3/STS-1二次浪涌保护设计应用说明398
本应用笔记398为设计人员提供了使用Dallas Semiconductor T3、E3或STS-1线接口单元（LIU）构建网络接口电路的全面指南。该指南重点介绍了建筑物内连接所需的过压/过流保护。内容涵盖保护网络设计、金属保护电路示例、组件选择指南以及相关测试规范。
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用测试寄存器修改DS315x的脉冲波形
本应用笔记介绍了如何修改DS3151、DS3152、DS3153和DS3154（DS315x）的脉冲形状。通过更改内部测试寄存器的值，可以修改T3、E3和STS-1模式下的脉冲宽度、幅度以及T3和STS-1模式下的脉冲波形。笔记中详细说明了如何通过设置不同的寄存器地址来调整脉冲参数，并提供了相应的波形图进行说明。
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测量T3/E3/STS-1 LIU的回波损耗
本应用笔记详细介绍了如何测量和改善Maxim DS3150线路接口单元（LIU）的反射损耗（RL）。内容包括反射损耗的定义、要求、测量方法和改善措施。针对E3、ITU G.703和ETS 300-686标准，讨论了输入和输出端口的最小反射损耗要求。此外，还提供了测量反射损耗的测试设置和步骤，以及通过改变终止电阻值和更换变压器等方法来提高反射损耗的具体操作。
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修改DS3150、DS315x和DS325x应用说明404的E3模板符合性
本应用笔记介绍了如何修改DS3150、DS315x和DS325x线路接口单元（LIU）的脉冲形状（幅度、上升和下降时间）。通过修改与LIU一起使用的离散元件，可以改变脉冲的幅度和上升下降时间。笔记中详细描述了使用电容器和电阻分压器来改善脉冲幅度和形状的方法，并提供了不同电缆长度下的脉冲形状示例。
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HFTA-09.0:T3/E3/STS-1光纤扩展应用说明
本文介绍了设计T3/E3/STS-1光纤到铜媒体转换器的需求。这种设备将铜信号转换为光信号，通过光纤链路传输。一对转换器可以将T3/E3/STS-1信号扩展到其铜规格之外，透明地延长信号传输距离。文章讨论了光纤连接的设计，包括单模或多模光纤、不同波长的使用，以及光接收器和发射器的设计。此外，还介绍了Maxim公司提供的相关组件和系统设计。
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在没有微控制器的情况下配置Maxim LIUs
本应用笔记介绍了如何在不添加微控制器的情况下配置Maxim的线路接口单元（LIU）。通过使用具有SPI接口的PROM，可以实现LIU的配置。笔记中详细说明了SPI总线的工作原理、Xilinx XC18V00设备与Maxim LIU的连接方式，以及如何通过编程来实现不同的操作模式。
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脉冲模板测量
本文详细介绍了T1、T3、E1和E3脉冲模板的规格，以及如何测试传输信号的脉冲模板合规性。文章首先概述了电信行业中设计设备与现有电信系统接口的必要性，并强调了制造商需遵循的应用依赖性规范。接着，文章深入探讨了不同类型系统的传输信号质量规范，特别是T1、E1、T3和E3脉冲模板的测量方法。文章还讨论了在测试多端口传输设备时可能遇到的问题，并介绍了Maxim Integrated提供的多端口收发器和支持硬件，以简化脉冲模板测试过程。
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DS3144成帧器与DS3154线路接口单元（LIU）的接口
本文档详细介绍了Maxim公司的DS3144帧器和DS3154线路接口单元（LIU）之间的接口设计。DS3144帧器具有四个独立的DS3/E3帧器，支持多种帧格式和告警检测。DS3154 LIU则负责物理层接口，包括接收和发送路径，以及内置的抖动衰减器。文档涵盖了接口引脚配置、数据接口类型、时钟信号处理、以及硬件和CPU总线配置选项。此外，还提供了DS3144和DS3154的寄存器映射表，以及接口实现的具体步骤。
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DS317x和ds318xt3/E3/STS-1liu回波损耗的测量与改进
本应用笔记介绍了如何测量和改善DS317x和DS318x T3/E3收发器的回波损耗。文中定义了回波损耗，并展示了行业标准对回波损耗的要求。通过标准测试设置和改进后的设置进行测量，最终测试数据显示，建议的设计改进将产生满足行业规范的回波损耗。
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