74AUP1T97GW China RoHS
发布时间:
2019-04-10
类型:
测试报告,认证报告、性能测试报告
品牌:
Nexperia(安世半导体)
型号:
74AUP1T97GW
本合规性声明详细阐述了Nexperia产品74AUP1T97GW的RoHS符合性情况。资料明确指出,该产品涵盖的粘合剂、晶粒、极片、注塑胶料、后电镀及引线等关键部件,其铅、镉、汞、六价铬、多溴联苯及多溴二苯醚等有害物质含量,均严格符合SJ/T11363-2006标准规定的限量要求。此外,Nexperia承诺该产品拥有长达50年的环保使用期,确保了长期应用的可靠性。该声明还包含相关免责条款,说明所有信息仅供参考,厂商保留随时修改信息的权利。Nexperia在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该合规产品,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全方位技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有助于缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市。
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1T97低功耗可配置栅极(带电压电平转换器)产品数据手册
Rev. 8
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AUP1T97GW
2019/01/07
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AUP1T97GW
2018/09/28
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中国RoHS 74AUP1T97GW
2018/03/07
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| 技术文档 - 英文 |
演示可配置逻辑器件74AUP1T97的七种不同逻辑功能NXP演示板
July 2012
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74AUP1T97;带电压电平转换器的低功耗可配置门产品数据手册
Rev. 7
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| 技术文档 - 英文 |
74AUP1T00-74AUP1T02-74AUP1T04-74AUP1T08-74AUP1T14-74AUP1T17-74AUP1T32-74AUP1T50-74AUP1T86-74AUP1T87带电压转换的单电源逻辑门
January 2018
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1T97-Q100带电压电平转换器的低功耗可配置栅极产品数据手册
Rev. 3
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74AUP1T97-Q100带电压电平转换器的低功耗可配置栅极产品数据手册
Rev. 1
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带电压电平转换器的低功耗可配置门
Rev. 4
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| 数据手册 - 英文 |
带电压电平转换器的低功耗可配置门
Rev. 6
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| 数据手册 - 英文 |
带电压电平转换器的低功耗可配置门
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
带电压电平转换器的低功耗可配置门
Rev. 5
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| 数据手册 - 英文 |
带电压电平转换器的低功耗可配置门
Rev. 1
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| 测试报告 - 英文 |
化学成分74AUP1T97GW
2019/01/07
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化学成分74AUP1T97GW
2018/09/28
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化学成分74AUP1T97GW
2018/03/07
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74AUP1T97-Q100;带电压电平转换器的低功耗可配置门产品数据手册
Rev. 2
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74AUP1T97GW化学成分
2018/04/25
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1G00用于电池供电系统的先进超低功耗CMOS逻辑
April 2019
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| 数据手册 - 英文 |
具有电压转换功能的单电源逻辑门
January 2018
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| 测试报告 - 英文 |
中国RoHS 74AUP1T97GS
2019/01/07
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中国RoHS 74AUP1T97GS
2018/09/28
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中国RoHS 74AUP1T97GS
2018/03/07
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74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲器
Rev. 7
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中国RoHS 74AUP1T97UK
2018/04/26
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中国RoHS 74AUP1T97UK
2018/03/07
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74AUP1T98低功耗可配置门,带电压电平转换器
Rev. 6
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74AUP1T98低功耗可配置门,带电压电平转换器
Rev. 5
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| 测试报告 - 英文 |
74AUP1T97GX中国RoHS
2018/04/25
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲产品数据表
Rev. 8
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74AUP1T34低功耗双电源转换缓冲产品数据表
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
74AUP1T97GF中国RoHS
2018/04/25
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74AUP1T57带电压电平转换器的低功耗可配置栅极产品数据手册
Rev. 7
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74AUP1T57带电压电平转换器的低功耗可配置栅极产品数据手册
Rev. 6
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74AUP1T58带电压电平转换器的低功耗可配置门产品数据手册
Rev. 7
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74AUP1T58带电压电平转换器的低功耗可配置门产品数据手册
Rev. 6
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中国RoHS 74AUP1T97GN
2019/01/07
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中国RoHS 74AUP1T97GN
2018/09/28
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中国RoHS 74AUP1T97GN
2018/03/07
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中国RoHS 74AUP1T97GM
2019/01/07
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中国RoHS 74AUP1T97GM
2018/09/28
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中国RoHS 74AUP1T97GM
2018/03/07
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74AUP1T45低功耗双电源转换收发器3-状态
Rev. 6
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| 测试报告 - 英文 |
74AUP1T97GN中国RoHS
2018/04/25
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| 数据手册 - 英文 |
74AUP1T45低功耗双电源转换收发器;3态产品数据表
Rev. 7
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中国RoHS 74AUP1T97GX
2018/09/28
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| 测试报告 - 中文 |
中国RoHS 74AUP1T97GX
2018/03/07
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中国RoHS 74AUP1T97GF
2019/01/07
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世强AI
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应用/方案
功率氮化镓(氮化镓)场效应晶体管(FETs)以领先的效率实现最大功率密度
GaN FETs在低功率和高功率转换应用中表现出优异的性能,具有快速切换能力和最佳功率效率。Nexperia的GaN FETs提供增强型模式(e-mode)和级联模式(cascode mode),适用于多种电压等级的应用,包括数据中心、电动汽车、数据通信、电信、光伏和工业领域。产品包括低电压e-mode GaN FETs、650-700 V e-mode GaN FETs、双向e-mode GaN FETs和650 V cascode GaN FETs。Nexperia还提供创新的铜夹包装技术,以优化散热和灵活性。
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