CWDM305N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET

发布时间： 2019-04-10

类型：数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载

品牌：

Central Semiconductor（中央半导体）

型号：

CWDM305N; 2N2222A

本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR推出的CWDM305N表面贴装N沟道增强型硅MOSFET。该器件专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计，具备低导通电阻（rDS(ON)）、高电流处理能力、低栅极电荷以及低阈值电压等显著特性。凭借这些技术优势，CWDM305N能够有效提升电源效率与开关性能，被广泛应用于负载开关、电源开关、DC-DC转换电路及电源管理等关键领域。Central Semiconductor在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。

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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司

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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商

Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。

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订货型号	CWDM305N TR13 PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CWDM305N	品类	晶体管
描述/说明	Surface mount N-Channel Enhancement Mode High Current MOSFETs	封装/外壳/尺寸	SOIC-8
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
漏源电压（Vdss）	30 V	25°C 时电流连续漏极 (Id)	5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	30 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	6.3 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	20V	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	560 pF @ 10 V

授权代理商：

世强先进（深圳）科技股份有限公司

商品标签：

授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证

价格：

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订货型号	CMHZ4690 TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMHZ4690	品类	稳压二极管
描述/说明	Surface mount Diode-Zener Single: Low Level	封装/外壳/尺寸	SOD-123
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
Pd-功率耗散	275 mW	电压容差	1.05
Ir - 最大反向漏电流	10 uA	Zz - 齐纳阻抗	45 Ohms
最小工作温度	- 65 ℃	最大工作温度	+ 150 ℃

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￥0.2009

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订货型号	CMR1-10M TR13 PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMR1-10M	品类	整流器
描述/说明	Surface mount Rectifier-General Purpose Single	封装/外壳/尺寸	SMA
最小包装量	5,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电压 DC 反向 (Vr)（最大值）	1000 V	电流平均整流 (Io)	1A
不同 If 时电压正向 (Vf)	1.1 V @ 1 A	速度	标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr 时电流反向泄漏	5 µA @ 1000 V	不同 Vr、F 时电容	8pF @ 4V，1MHz

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￥0.3305

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订货型号	CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CBRHDSH1-40L	品类	桥式整流器
描述/说明	Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电压 - 峰值反向（最大值）	40 V	电流 - 平均整流 (Io)	1.2 A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)	440 mV @ 1 A	不同 Vr 时电流 - 反向泄漏	50 µA @ 40 V

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￥2.7332

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订货型号	CTLSH01-30L TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CTLSH01-30L	品类	整流器
描述/说明	Diode-Schottky (<1A)	封装/外壳/尺寸	TLM2D3D6
最小包装量	8,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电压 DC 反向 (Vr)（最大值）	30 V	电流平均整流 (Io)	100mA
不同 If 时电压正向 (Vf)	370 mV @ 10 mA	速度	小信号 =< 200mA（Io），任意速度
不同 Vr 时电流反向泄漏	7 µA @ 10 V	不同 Vr、F 时电容	7pF @ 0V，1MHz

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￥1.0170

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订货型号	CMNT3904E TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CMNT3904E	品类	Transistors
描述/说明	Transistors	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	已停产(EOL)	停产时间
电流集电极 (Ic)（最大值）	200 mA	电压集射极击穿（最大值）	40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	200mV @ 5mA，50mA	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	100 @ 10mA，1V
功率最大值	250 mW	频率跃迁	300MHz

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￥1.0679

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订货型号	CET3904E TR PBFREE	品牌	Central Semiconductor
型号系列	CET3904E	品类	Transistors
描述/说明	Transistors	封装/外壳/尺寸
最小包装量	3,000	包装形式	-
生命周期	有效(ACTIVE)	停产时间
电流集电极 (Ic)（最大值）	200 mA	电压集射极击穿（最大值）	40 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）	200mV @ 5mA，50mA	不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）	100 @ 10mA，1V
功率最大值	250 mW	频率跃迁	300MHz

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技术支持/研发服务

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企业采购服务

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资料平台

数据手册 - 英文	CWDM305N表面贴装N沟道增强型硅MOSFET R2	下载
数据手册 - 英文	CWDM305N表面贴装N沟道增强型硅MOSFET R2	下载
数据手册 - 英文	CWDM305N表面贴装N沟道增强型硅MOSFET R2	下载
测试报告 - 英文	J-Lite和JX-Lite认证 2022/5/17	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	产品/工艺变更通知单（PCN#168） R0	下载
数据手册 - 英文	表面贴装N沟道增强型硅MOSFET CWDM305N REV:R0	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	PCN#203：CWDM3011NETC。焊线产品/工艺变更通知的构成	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	PCN#203：采用SOIC-8封装制造的所有器件（键合线的成分从金（Au）变为铜/钯/金（CuPdAu）。） R0	下载
数据手册 - 英文	CWDM305N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 1-November 2012	下载
数据手册 - 英文	CWDM305N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 1-November 2012	下载
数据手册 - 英文	CWDM305N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 1-November 2012	下载
数据手册 - 英文	CWDM305N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET 1-November 2012	下载
产品变更通知及停产信息 - 英文	产品寿命终止通知PDN01013 REV 002	下载
数据手册 - 英文	SOIC-8 CASE CWDM305N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET R2	下载
技术文档 - 英文	今天的电源管理需要新的中功率MOSFET 2017/10/01	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒 2018/07/23	下载
数据手册 - 英文	CWDM305P SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET R4	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2019/05/27	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2018/07/30	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2018/07/14	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2018/07/02	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2018/05/19	下载
技术文档 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2018/04/12	下载
数据手册 - 英文	分立半导体样品盒中功率MOSFET 2017/10/05	下载
数据手册 - 英文	Central Semiconductor（中央半导体） CWDM305N数据手册 2016年07月05日	下载
数据手册 - 英文	CMNTVS5V0 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 5.0 VOLT, 4-LINE TVS ARRAY R4	下载
数据手册 - 英文	CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET R3	下载
数据手册 - 英文	CMXTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY R3	下载
数据手册 - 英文	CMKTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY R4	下载
数据手册 - 英文	CMKSH-3T SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED SCHOTTKY DIODE R5	下载
数据手册 - 英文	BAS28表面贴装硅双隔离高速开关二极管 19-September 2018	下载
数据手册 - 英文	CMOTVS5V7 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR R4	下载
数据手册 - 英文	CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET R2	下载
数据手册 - 英文	CXT491E SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR R2	下载

技术论坛

新电元p8f28hp2适合放大40Mhz的吗？做中间极放大,出2w左右有效功率

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P沟道MOS管内阻很小，耐大电流的有推荐的吗？

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原来设计用了2N2222 NPN三极管，现在想替换为世强代理的三极管 ,要求封装为SOT23 给推荐一下谢谢

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应用/方案

【产品】两款TO-18 封装的硅NPN晶体管，专为小信号，通用开关应用设计

Central公司推出的硅NPN晶体管2N2221A和2N2222A，采用TO-18 封装，其集电极连续电流为800mA，最大功耗为800mW，结壳热阻ΘJC为97°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+200°C，具有耐高/低温的能力，适应性能强。专为小信号，通用开关应用而设计。

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分立半导体样品盒介质功率MOSFET

Central Semiconductor提供的离散半导体样品套件，包含适用于高速脉冲放大器、驱动电路和电源管理应用的MOSFET器件。套件中包含多种型号的P沟道和N沟道MOSFET，涵盖不同的电压和电流规格，以及不同的封装类型。样品套件中的器件适用于不同的应用场景，并附有详细的技术数据表。

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【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G

Central公司推出的硅晶体管CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，集电极连续电流为600mA。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。

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【产品】专为高速脉冲放大器/驱动器设计的表面安装硅N沟道增强型MOSFET CWDM305N

CENTRAL的CWDM305N是一款高电流N沟道增强型硅MOSFET，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这种节能MOSFET提供有利的低rDS（ON），低栅极电荷和低阈值电压，低热阻。

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【产品】30V/5.8A CWDM305ND双路N沟道增强型MOSFET，导通电阻低至0.024Ω，适用于高速脉冲电路

CWDM305ND是Central Semiconductor全新推出的一款硅双路N沟道增强型MOSFET芯片，最大特点是能够承受很高的持续工作电流。其漏极持续电流ID高达5.8A。该器件极适合应用在高速脉冲放大电路和驱动电路中，能承受较大的电流浪涌冲击。该器件的封装选用紧凑贴片型的SOIC-8，其具有体积小、重量轻、壳体坚固等机械优点。

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