CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CMKDM8005; 2N2222A
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司推出的CMKDM8005型双通道P沟道增强模式硅MOSFET。该器件专为高速脉冲放大器和驱动器应用设计，采用小型SOT-363表面贴装封装，具备卓越的电气性能。其关键技术特性包括极低的导通电阻（rDS(ON)）和低阈值电压，且与逻辑电平兼容，能够有效提升电路效率。此外，该MOSFET提供高达1800V（人体模型）的ESD保护能力，并支持350mW的功率耗散，确保了在严苛环境下的可靠运行。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMKDM8005 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMKDM8005 |
| 品类 | Surface mount MOSFET |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET Dual P-Channel Enhancement Mode |
| 封装/外壳/尺寸 | SOT-363 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Drain Source Voltage | 20V |
| Gate-Source Voltage | 8V |
| Continuous Drain Current | 650mA |
| Power Dissipation | 350mW |
| Static Drain-Source On Resistance | 360mΩ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0806
库存：
1,782
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
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原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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资料平台
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CMKDM8005表面贴装硅双P沟道增强型MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMKDM8005表面贴装硅双P沟道增强型MOSFET
R3
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| 测试报告 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体）CMKDM8005环境的可靠性测试报告
2012年2月16日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01013
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
3-June 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
3-June 2013
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CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
3-June 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICONDUAL P-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFET
3-June 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
3-June 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
3-June 2013
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| 测试报告 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CMKDM8005 HTRB LIFE 可靠性测试报告
2012年2月16日
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| 测试报告 - 英文 |
J-Lite和JX-Lite认证
2022/5/17
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| 数据手册 - 英文 |
CMKD4448 SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODES
R6
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| 数据手册 - 英文 |
SOT-363 CASE CMKDM8005 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
表面贴装硅双P沟道增强型MOSFET CMKDM8005
REV:R2
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CMKDM8005数据手册
2016年06月28日
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| 数据手册 - 英文 |
CMKD3003DO SURFACE MOUNT DUAL, ISOLATED, OPPOSING LOW LEAKAGE SILICON SWITCHING DIODES
R0
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| 数据手册 - 英文 |
CMNTVS5V0 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 5.0 VOLT, 4-LINE TVS ARRAY
R4
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CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
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CMXTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
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CMKTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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CMOTVS5V7 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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BAS28表面贴装硅双隔离高速开关二极管
19-September 2018
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| 数据手册 - 英文 |
CMKSH-3T SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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CTLTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CXT491E SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R2
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技术论坛
世强代理品牌中，是否有P沟道的 MOSFET管？
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Central(中央半导体）的双P沟道MOSFET CMKDM8005，导通电阻是多少？
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ONSEMI(安森美)双通道P沟道增强型 MOSFET NTJD4152P-D,是否有pin to pin 替换的型号？
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ONSemi FDG6316P； 是否有PIN-TO-PIN 替代的
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双P沟道，带ESD保护的MOSFET NTJD4152PT1G，是否有替换型号？
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现市场上TI在光模块应用上的MOS CSD系列芯片严重缺货，求推荐可替代的产品？
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你好，光模块项目需要一款P-MOS做缓启动，上电瞬间电流600mA左右，稳态工作电流400mA左右，有合适产品推荐吗？
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Central有没有在光模块上用的MOS管来实现负载开关功能?
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原来设计用了2N2222 NPN三极管，现在想替换为世强代理的三极管 ,要求封装为SOT23 给推荐一下 谢谢
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据，覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器，超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据，不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持，更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务，贯穿硬件创新全链路，让研发更容易，让采购更便宜。
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应用/方案
【产品】两款TO-18 封装的硅NPN晶体管，专为小信号，通用开关应用设计
Central公司推出的硅NPN晶体管2N2221A和2N2222A，采用TO-18 封装，其集电极连续电流为800mA， 最大功耗为800mW，结壳热阻ΘJC为97°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+200°C，具有耐高/低温的能力，适应性能强。专为小信号，通用开关应用而设计。
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【方案】200G PAM-4 CFP2光模块优选元器件方案
本方案采用Silicon Labs的8位单片机EFM8LB、EPSON的晶振SG3225和Renesas的DCDC电源模块ISL8205M。SG3225具有很好的低抖动性能，3.2*2.5mm封装，满足DSP时钟要求。ISL8205M采用4.5* 7.5mm封装，5A大电流输出，为DSP提供稳定电源。EFM8LB单片机，集成多路ADC和DAC，高速I2C等接口，3*3mm QFN24封装。
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【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G
Central公司推出的硅晶体管CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，集电极连续电流为600mA。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。
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【方案】100G CFP光模块优选元器件方案
本方案采用Silicon Labs高性能时钟芯片SI532、SI5326、SI5342，这些时钟产品具有超低抖动性能，灵活的控制方法及任意的频率输出可以满足光模块产品对时钟源的需求。
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【方案】25G SFP28低成本光模块优选器件方案
本方案采用Silicon Labs的高性价比8位MCU EFM8LB、圣邦微的升压芯片SGM41285， II-VI MARLOW公司的TEC控制器SP8135，实现整个光模块主控、收发、温控等一体化设计，在实现高性能的同时有效降低了模块成本，增加了光模块厂家的市场竞争力，其中EFM8LB单片机，集成多路ADC和DAC，高速I2C等接口，4*4mm QFN32封装，实时处理模块内部数据并完成状态监
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