CMPDM202PH SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
发布时间:
2019-04-10
类型:
数据手册,规格书、Datasheet;PDF下载
品牌:
Central Semiconductor(中央半导体)
型号:
CMPDM202PH; 2N2222A; CMPDM202PH BK; CMPDM202PH TR; CMPDM203NH BK; CMPDM203NH TR; CMPDM302PH BK; CMPDM302PH TR; CMPDM303NH BK; CMPDM303NH TR
该数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CMPDM202PH型高电流增强模式硅MOSFET。该器件专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计,具备低导通电阻、高电流承载能力、低阈值电压及低漏电流等显著特性。具体而言,其最大导通电阻仅为0.093Ω(VGS=2.5V时),支持高达2.3A的连续漏极电流,并兼容逻辑电平,适用于负载开关、电源转换电路及电池供电便携式设备等多种场景。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该资料,用户可通过平台获取原厂授权的正品器件,相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价,且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持,覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求,有效缩短供应链响应周期,加速产品开发与上市进程。
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Central Semiconductor官方授权代理:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司)——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)是世界顶级分立半导体制作商,公司总部位于美国纽约,成立于1974年,迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证,生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求,力求为客户提供高品质高可靠性产品;与顶级OEM 设计师合作,提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CMPDM302PH BK PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPDM302PH |
| 品类 | Diodes |
| 描述/说明 | 将于2018八月停产大包装Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode High Current |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,500 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 零件报废(OBS) |
| 停产时间 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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| 订货型号 | CMPDM302PH TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMPDM302PH |
| 品类 | Surface mount MOSFET |
| 描述/说明 | Surface mount MOSFET P-Channel Enhancement Mode High Current |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
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世强自营,
原厂认证
价格:
库存:
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.2009
库存:
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io) |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V,1MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥0.3305
库存:
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向(最大值) | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥2.7332
库存:
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)(最大值) | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA(Io),任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V,1MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0170
库存:
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)(最大值) | 200 mA |
| 电压 集射极击穿(最大值) | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商:
世强先进(深圳)科技股份有限公司
商品标签:
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格:
¥1.0679
库存:
8,200
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技术支持/研发服务
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企业采购服务
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
20-October 2010
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
20-October 2010
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
20-October 2010
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R0
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| 测试报告 - 英文 |
J-Lite和JX-Lite认证
2022/5/17
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
R0
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
Rev:001
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM203NH表面贴装N沟道增强型硅MOSFET
R0
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| 技术文档 - 英文 |
今天的电源管理需要新的中功率MOSFET
2017/10/01
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM302PH SURFACE MOUNT SILICON ENHANCEMENT-MODEP-CHANNEL MOSFET
24-February 2014
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM302PH SURFACE MOUNT SILICONENHANCEMENT-MODEP-CHANNEL MOSFET
24-February 2014
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM302PH SURFACE MOUNT SILICON ENHANCEMENT-MODE P-CHANNEL MOSFET
24-February 2014
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM302PH SURFACE MOUNT SILICON ENHANCEMENT-MODE P-CHANNEL MOSFET
rev 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM302PH SURFACE MOUNT SILICON ENHANCEMENT-MODE P-CHANNEL MOSFET
R2
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| 测试报告 - 英文 |
工艺cp773mosfet晶体管P沟道增强型MOSFET芯片
R3
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CMPDM302PH表面贴装硅增强型P沟道MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM302PH表面贴装硅增强型P沟道MOSFET
R2
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒
2018/07/23
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM202PH SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
11-December 2012
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM202PH SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM202PH SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
11-December 2012
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| 数据手册 - 英文 |
CMPDM202PH SURFACE MOUNT P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
11-December 2012
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor(中央半导体) 以SOT-23F封装制造的MOSFET器件停产通知(PDN01070)
Rev:001
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2019/05/27
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分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/07/30
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分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/07/14
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分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/07/02
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/05/19
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| 技术文档 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2018/04/12
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| 数据手册 - 英文 |
分立半导体样品盒中功率MOSFET
2017/10/05
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01013
REV 002
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CMPDM202PH表面贴装P沟道增强型硅MOSFET
R1
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CMPDM202PH表面贴装P沟道增强型硅MOSFET
Rev:001
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CMPDM202PH表面贴装P沟道增强型硅MOSFET
R1
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CMPDM303NH SURFACE MOUNTN-CHANNEL ENHANCEMENT-MODESILICON MOSFET
11-December 2012
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CMPDM303NH SURFACE MOUNTN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICON MOSFET
11-December 2012
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CMPDM303NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
11-December 2012
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CMPDM303NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
rev 002
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CMPDM303NH SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R2
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世强AI
世强AI是专注硬创领域的专业垂类AI。基于世强硬创平台沉淀的全品类数据,覆盖 IC、元件、材料、电气、电机、仪器,超千万级 SKU。深度融合全行业原厂技术资料与供应链数据,不仅提供方案设计、器件选型、BOM优化等快速精准的研发支持,更能发起快速购买、样品申请、技术支持、批量询价等服务,贯穿硬件创新全链路,让研发更容易,让采购更便宜。
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应用/方案
【经验】低温环境中MOSFET开启门限电平导致WIFI启动异常问题的解决
在一款基于蓝牙和WIFI技术的IoT产品中,使用Central Semiconductor的P沟道MOSFET CMPDM302PH控制WIFI部分供电。因低温环境影响MOS管开启门限电平导致WIFI启动异常,文中描述了问题解决思路并进行详细分析。
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【应用】低导通内阻MOS管 CMPDM203NH和CMPDM202PH在定位产品电池电压采集控制电路中的应用
笔者有参与一款定位产品的开发,产品采用3.6V的锂亞电池ER18505加超级电容SPC电池组进行供电,产品设计中为了让用户实时了解产品电池电量剩余情况,采用Central Semiconductor(中央半导体)的NMOS管CMPDM203NH和PMOS管CMPDM202PH设计电池电压采集控制电路。CMPDM203NH和CMPDM202PH具有非常低的导通电阻,是能量敏感型应用的理想选择。
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分立半导体样品盒介质功率MOSFET
Central Semiconductor提供的离散半导体样品套件,包含适用于高速脉冲放大器、驱动电路和电源管理应用的MOSFET器件。套件中包含多种型号的P沟道和N沟道MOSFET,涵盖不同的电压和电流规格,以及不同的封装类型。样品套件中的器件适用于不同的应用场景,并附有详细的技术数据表。
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特色产品CTLSH01-30
该资料介绍了多种元器件产品,包括30V, 100mA肖特基二极管、20V, 3.2A N沟道MOSFET、20V, 2.3A P沟道MOSFET、30V, 100mA低正向电压肖特基二极管、10A, 100V共阴极肖特基整流器等,详细描述了其特性、优点、应用领域和尺寸等信息。
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最新产品CSHD10-100C
该资料介绍了一种名为CSHD10-100C的通用阴极肖特基整流器。该器件具有10A的总电流和100V的电压,适用于能源效率、太阳能旁路二极管、DC-DC输出整流、单、双或并联配置以及反向极性保护等应用。其主要特点包括高电流、低正向电压和低漏电流。
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