CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CTLTVS5V0B; 2N2222A
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司生产的CTLTVS5V0B双向瞬态电压抑制器（TVS）。该器件是一款专为保护敏感设备设计的表面贴装元件，具备低电容、超低漏电流及快速响应等关键特性，能够有效防止高速数据线连接设备因静电放电（ESD）而损坏。其采用超小尺寸的TLM2D3D6封装，不仅适用于用户界面保护，还能广泛应用于充电端口、电源端口以及串行/并行端口的防护，为电路设计提供高可靠性的过压钳位解决方案。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该方案，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队将提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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现货平台 / Central Semiconductor 授权代理店
| 订货型号 | CTLTVS5V0B TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLTVS5V0B |
| 品类 | 二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Low Capacitance (<=10pF) ESD Diodes and Arrays |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 反向断态（典型值） | 5V（最大） |
| 电压 击穿（最小值） | 5.5V |
| 不同 Ipp 时电压 箝位（最大值） | 15V |
| 电流 峰值脉冲 (10/1000µs) | 2A（8/20µs） |
| 功率 峰值脉冲 | 30W |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
库存：
0
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| 订货型号 | CMHZ4690 TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMHZ4690 |
| 品类 | 稳压二极管 |
| 描述/说明 | Surface mount Diode-Zener Single: Low Level |
| 封装/外壳/尺寸 | SOD-123 |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Pd-功率耗散 | 275 mW |
| 电压容差 | 1.05 |
| Ir - 最大反向漏电流 | 10 uA |
| Zz - 齐纳阻抗 | 45 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 ℃ |
| 最大工作温度 | + 150 ℃ |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.2009
库存：
16,500
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| 订货型号 | CMR1-10M TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMR1-10M |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-General Purpose Single |
| 封装/外壳/尺寸 | SMA |
| 最小包装量 | 5,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 1000 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 1A |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 1.1 V @ 1 A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 5 µA @ 1000 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 8pF @ 4V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥0.3305
库存：
11,375
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| 订货型号 | CBRHDSH1-40L TR13 PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CBRHDSH1-40L |
| 品类 | 桥式整流器 |
| 描述/说明 | Surface mount Rectifier-Bridge Low VF Schottky |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 - 峰值反向（最大值） | 40 V |
| 电流 - 平均整流 (Io) | 1.2 A |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 440 mV @ 1 A |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50 µA @ 40 V |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥2.7332
库存：
8,810
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| 订货型号 | CTLSH01-30L TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CTLSH01-30L |
| 品类 | 整流器 |
| 描述/说明 | Diode-Schottky (<1A) |
| 封装/外壳/尺寸 | TLM2D3D6 |
| 最小包装量 | 8,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电压 DC 反向 (Vr)（最大值） | 30 V |
| 电流 平均整流 (Io) | 100mA |
| 不同 If 时电压 正向 (Vf) | 370 mV @ 10 mA |
| 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 反向泄漏 | 7 µA @ 10 V |
| 不同 Vr、F 时电容 | 7pF @ 0V，1MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0170
库存：
8,200
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| 订货型号 | CMNT3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CMNT3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 已停产(EOL) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0679
库存：
8,200
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| 订货型号 | CET3904E TR PBFREE |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 型号系列 | CET3904E |
| 品类 | Transistors |
| 描述/说明 | Transistors |
| 封装/外壳/尺寸 | |
| 最小包装量 | 3,000 |
| 包装形式 | - |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| 电流 集电极 (Ic)（最大值） | 200 mA |
| 电压 集射极击穿（最大值） | 40 V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 功率 最大值 | 250 mW |
| 频率 跃迁 | 300MHz |
授权代理商：
世强先进（深圳）科技股份有限公司
商品标签：
授权代理,
一支起订,
世强自营,
原厂认证
价格：
￥1.0424
库存：
8,200
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
TLM2D3D6 CASE CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R6
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| 数据手册 - 英文 |
TLM2D3D6 CASE CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R6
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| 测试报告 - 英文 |
J-Lite和JX-Lite认证
2022/5/17
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
PDN01198：CTLTVS5V0BTVS已停产，现归类为寿命终止（EOL）。
11/11/21
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
23-July 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
23-July 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
23-July 2015
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01013
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
表面贴装硅双向低电容瞬态电压抑制器CTLTVS5V0B
REV:R2
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CTLTVS5V0B数据手册
2016年07月05日
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B表面贴装硅双向低电容瞬态电压抑制器
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B表面贴装硅双向低电容瞬态电压抑制器
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B表面贴装硅双向低电容瞬态电压抑制器
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B URFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
23-July 2015
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMNTVS5V0 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 5.0 VOLT, 4-LINE TVS ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMXTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMKTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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| 数据手册 - 英文 |
BAS28表面贴装硅双隔离高速开关二极管
19-September 2018
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| 数据手册 - 英文 |
CMOTVS5V7 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMKSH-3T SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM3590 SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CXT491E SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMASH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODE
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMLDM7585 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL AND P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE COMPLEMENTARY MOSFET
R6
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| 数据手册 - 英文 |
CMAD4448 SURFACE MOUNT ULTRA HIGH SPEED SILICON SWITCHING DIODE
R1
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| 数据手册 - 英文 |
CMLDM5757 SURFACE MOUNT SILICON DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CDM4-650 SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL MEDIUM POWER MOSFET 4.0 AMP, 650 VOLT
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMLT491E表面贴装硅NPN晶体管
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMOD2005 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
R3
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| 数据手册 - 英文 |
CMXD2004 SURFACE MOUNT TRIPLE ISOLATED HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODES
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CXDM3069N SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R1
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技术论坛
原来设计用了2N2222 NPN三极管，现在想替换为世强代理的三极管 ,要求封装为SOT23 给推荐一下 谢谢
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应用/方案
报警传感器电路应用简介
该资料介绍了中央半导体公司（Central Semiconductor）提供的用于报警传感器电路的元器件。内容包括快速开关的晶体管、高速MOSFET、桥式整流器、瞬态电压抑制器等，旨在确保报警系统的快速响应和可靠性。资料还提供了不同型号的元器件及其规格参数，适用于不同单元的接收器和主控制台。
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无线充电器应用简介
本资料介绍了无线充电技术及其所需的元器件。主要内容包括：无线充电的工作原理，强调电磁感应场和高效MOSFETs的重要性；Central Semiconductor提供的适用于无线充电系统的元器件，包括整流器、MOSFETs和保护器件；具体列举了不同型号的元器件及其参数，如桥式整流器、MOSFETs和瞬态电压抑制器等。
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音频扬声器应用简介
本文介绍了PoE音频扬声器系统，强调其灵活性和可放置性。文章重点介绍了Central Semiconductor提供的能效半导体产品，包括瞬态电压抑制器、齐纳二极管、ESD瞬态电压抑制器、小信号晶体管、MOSFETs、肖特基二极管和稳压二极管等，旨在降低功耗和减小封装尺寸。文中还提供了相关产品的详细规格和应用信息，并提供了样品订购和进一步联系的方式。
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【应用】中央半导体为报警传感器电路提供高可靠性分立器件组合，保证系统安全运行
安全系统是保护任何建筑物及其内容物的极其重要的组成部分，为了及时通知业主有人闯入，集成在报警电路中的半导体器件必须有快速的响应时间和高度的可靠性。Central Semiconductor公司拥有广泛的分立器件产品组合，这些器件响应速度快且产品质量最高，保证了系统安全运行。
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Highly Efficient Rectifiers, MOSFETs, and Protection Devices Ideal for Wireless Charging Systems
Wireless chargers have become a popular technology to simplify charging portable electronic products. It is critical that conduction and switching losses are minimized in all semiconductor devices to achieve a high level of efficiency. Central Semiconductor‘s diverse portfolio contains highly efficient rectifiers, MOSFETs, and protection devices ideal for wireless charging systems.
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中央半导体为无线充电系统提供整流器、MOSFET和保护二极管，助力提高充电效率
无线充电器已成为一种流行的技术，它可以简化便携式电子产品的充电过程。要获得高效率，关键是所有半导体器件的传导和开关损耗要尽量小。Central Semiconductor（中央半导体）可提供适合无线充电系统的高效整流器、MOSFET和保护二极管。
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【产品】两款TO-18 封装的硅NPN晶体管，专为小信号，通用开关应用设计
Central公司推出的硅NPN晶体管2N2221A和2N2222A，采用TO-18 封装，其集电极连续电流为800mA， 最大功耗为800mW，结壳热阻ΘJC为97°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+200°C，具有耐高/低温的能力，适应性能强。专为小信号，通用开关应用而设计。
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【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G
Central公司推出的硅晶体管CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，集电极连续电流为600mA。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。
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【产品】超小型TLM2D3D6贴片型封装的CTLTVS5V0BULC双向TVS，专用于保护高速数据传输电路
CTLTVS5V0BULC是一款由Central Semiconductor推出的全新硅双向瞬态抑制二极管（瞬态电压抑制器），该器件的电气优点主要有低结电容，超低反向漏电流，瞬态快速响应和双向过压抑制等，因此其极其适合用在高速信号传输线路中，起到防静电保护的作用。另外，该器件不仅节能省电，而且还有良好的电气可靠性和工作稳定性，其温度稳定性也相当不错。
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