CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
发布时间：
2019-04-10
类型：
数据手册，规格书、Datasheet；PDF下载
品牌：
Central Semiconductor（中央半导体）
型号：
CBR4M-L010; CBR4M-L020; CBR4M-L040; CBR4M-L060; CBR4M-L080; CBR4M-L100; 2N2222A
本数据手册详细介绍了CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CBR4M-L010系列硅桥式整流器。该系列器件专为通用高电流应用设计，具备优异的电气性能与热特性。在技术规格方面，其最大重复峰值反向电压与直流阻断电压覆盖100V至1000V范围，平均正向电流（25°C）可达4.0A，并能承受200A的正向浪涌电流。此外，该整流器支持-65°C至+150°C的宽结温范围，热阻为3.5°C/W，且详细规定了每二极管的漏电流及正向压降等关键电气特性，能够满足多种高功率电路设计需求。CENTRAL SEMICONDUCTOR在世强硬创平台上由世强先进（深圳）科技股份有限公司授权代理并提供技术支持及采购服务。基于该产品，用户可通过平台获取原厂授权的正品器件，相关型号支持单件起订、在线下单、样品申请及批量询价，且库存充足。平台专职FAE团队可提供从选型、设计验证到调试的全流程技术支持，覆盖从研发打样到量产的全生命周期采购需求，有助于缩短供应链响应周期，加速产品开发与上市。
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Central Semiconductor官方授权代理：世强先进（深圳）科技股份有限公司
世强先进（深圳）科技股份有限公司是Central Semiconductor的官方授权代理，是其重要的分销合作伙伴之一。作为深耕电子元器件行业三十年的国家级高新技术企业及广东省“专精特新”企业，世强先进已获得1500多家全球知名原厂授权。
世强硬创平台作为专注于硬科技领域的研发与采购服务平台，平台不仅提供Central Semiconductor的正品现货、透明报价与稳定交期，还整合原厂技术资源，联合双方FAE团队，为客户提供从选型参考、设计支持到样品申请、批量交付的一站式服务，助力研发高效落地，保障供应链安全可靠。
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Central Semiconductor（美国中央半导体公司）——世界顶级分立半导体制作商
Central Semiconductor(美国中央半导体公司，简称Central)是世界顶级分立半导体制作商，公司总部位于美国纽约，成立于1974年，迄今已有42年历史。获得ISO9001:2008认证，生产的元器件符合 RoHS2 和 REACH 要求，力求为客户提供高品质高可靠性产品；与顶级OEM 设计师合作，提供创新解决方案。
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资料平台
| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
11-October 2013
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| 测试报告 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CASE DM 材质分析表
2011年06月03日
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
CBR4M-L040桥式整流器产品停产通知（PDN01232）
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010系列硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010系列硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R4
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010系列硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R4
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| 测试报告 - 英文 |
J-Lite和JX-Lite认证
2022/5/17
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01009
REV 002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CBR4MF-L010快速恢复桥式整流器停产通知（PDN01090）
REV.002
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| 产品变更通知及停产信息 - 英文 |
产品寿命终止通知PDN01013
REV 002
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| 数据手册 - 英文 |
Central Semiconductor（中央半导体） CBR4M-L010 数据手册
2016年10月11日
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CASE DM CBR4M-L010 SERIES SILICON BRIDGE RECTIFIERS 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLT
R4
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CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅整流桥4.0安培，100至1000伏特外壳数字万用表
REV 002
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CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅整流桥4.0安培，100至1000伏特外壳数字万用表
R1
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CBR4M-L010M GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLTS
R1
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CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLTS
REV 002
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CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP, 100 THRU 1000 VOLTS
REV 002
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CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP ,100 THRU 1000 VOLTS
18- April 2002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M SERIES GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON BRIDGE RECTIFIER 4.0 AMP,100THRU 1000VOLTS
18- April 2002
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| 数据手册 - 英文 |
CBR4M-L010M系列玻璃钝化JICTION硅桥整流器4.0安培，100至1000伏特外壳DMM
R1
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CBR4M-L010M系列玻璃钝化结硅桥式整流器4.0安培，100至1000伏
R1
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CMNTVS5V0 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL 5.0 VOLT, 4-LINE TVS ARRAY
R4
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CMRDM7590表面贴装双P沟道增强型硅MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
CMXTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R3
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CMKTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
R4
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CMOTVS5V7 SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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BAS28表面贴装硅双隔离高速开关二极管
19-September 2018
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CMKSH-3T SURFACE MOUNT SILICON TRIPLE ISOLATED SCHOTTKY DIODE
R5
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| 数据手册 - 英文 |
CMRDM3590 SURFACE MOUNT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET
R5
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CXDM4060N SURFACE MOUNT SILICON N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
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| 数据手册 - 英文 |
CXT491E SURFACE MOUNT NPN SILICON TRANSISTOR
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMASH-4 SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODE
R2
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| 数据手册 - 英文 |
CMO5V0LC SURFACE MOUNT SILICON UNI-DIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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CTLTVS5-4 SURFACE MOUNT SILICON LOW CAPACITANCE QUAD TVS/DIODE ARRAY
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| 数据手册 - 英文 |
CTLTVS5V0B SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL LOW CAPACITANCE TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR
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CMOD2005 SURFACE MOUNT HIGH VOLTAGE SILICON SWITCHING DIODE
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| 数据手册 - 英文 |
CMLT491E表面贴装硅NPN晶体管
R5
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技术论坛
原来设计用了2N2222 NPN三极管，现在想替换为世强代理的三极管 ,要求封装为SOT23 给推荐一下 谢谢
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世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答，帮助您快速完成研发及采购。
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世强AI
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应用/方案
无线充电器应用简介
本资料介绍了无线充电技术及其所需的元器件。主要内容包括：无线充电的工作原理，强调电磁感应场和高效MOSFETs的重要性；Central Semiconductor提供的适用于无线充电系统的元器件，包括整流器、MOSFETs和保护器件；具体列举了不同型号的元器件及其参数，如桥式整流器、MOSFETs和瞬态电压抑制器等。
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Highly Efficient Rectifiers, MOSFETs, and Protection Devices Ideal for Wireless Charging Systems
Wireless chargers have become a popular technology to simplify charging portable electronic products. It is critical that conduction and switching losses are minimized in all semiconductor devices to achieve a high level of efficiency. Central Semiconductor‘s diverse portfolio contains highly efficient rectifiers, MOSFETs, and protection devices ideal for wireless charging systems.
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中央半导体为无线充电系统提供整流器、MOSFET和保护二极管，助力提高充电效率
无线充电器已成为一种流行的技术，它可以简化便携式电子产品的充电过程。要获得高效率，关键是所有半导体器件的传导和开关损耗要尽量小。Central Semiconductor（中央半导体）可提供适合无线充电系统的高效整流器、MOSFET和保护二极管。
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【产品】两款TO-18 封装的硅NPN晶体管，专为小信号，通用开关应用设计
Central公司推出的硅NPN晶体管2N2221A和2N2222A，采用TO-18 封装，其集电极连续电流为800mA， 最大功耗为800mW，结壳热阻ΘJC为97°C/W，工作和存储结温的范围均为-65 °C~+200°C，具有耐高/低温的能力，适应性能强。专为小信号，通用开关应用而设计。
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【产品】专为小信号通用放大器和开关应用而设的硅互补晶体管CMLT2207G
Central公司推出的硅晶体管CMLT2207G，由一个隔离的2N2222A NPN晶体管和一个互补的隔离式2N2907A PNP晶体管组成，采用外延平面工艺制造，环氧树脂模塑，采用SOT-563表面贴装封装，集电极连续电流为600mA。主要应用于小信号通用放大器和开关等领域。
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【产品】硅单相全波整流桥CBR4M-L010，反向耐压高达1000V、平均正向电流4.0A
CBR4M-L010系列是CENTRAL半导体公司推出的硅单相全波桥式整流器，该系列包括6个型号：CBR4M-L010, CBR4M-L020, CBR4M-L040, CBR4M-L060, CBR4M-L080, CBR4M-L100。CENTRAL该CBR4M-L010系列硅单相全波桥式整流器具有高耐压值、高电流能力、低泄漏电流等特点。该系列器件采用直插式DM封装，散热良好，适用于全波整流。
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专业音频产品简介
Central Semiconductor自1974年起专注于生产高品质的离散半导体器件，广泛应用于全球专业音频设计。产品包括多种型号的晶体管、二极管等，如2N3055、2N2222A、1N4007等，并提供TO-3、TO-18、TO-39等多种封装选项。如需更多信息或特定产品，可联系Central Sales。
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